【产品】800V/5.0A N沟道功率MOSFET CDM2205-800FP，适用于高电压、快速开关应用

时间： 2018-06-17 来源：Central

技术问答

CDM2205-800FP是CENTRAL半导体公司推出的一款N沟道功率MOSFET。N沟道功率MOSFET CDM2205-800FP具有高电压能力，低r_DS(ON)，低阈值电压，低栅极电荷以获得最佳效率。N沟道功率MOSFET CDM2205-800FP采用TO-220FP封装，专为高电压，快速开关应用而设计，如功率因数校正(PFC)，照明和电源逆变器。

CENTRAL推出的CDM2205-800FP的漏源电压V_DS为800V，连续漏极电流I_D为5.0A。其具有较低的导通电阻，当V_GS=10V, I_D=2.5A时，其典型值为2.2Ω，最大值为2.7Ω。N沟道功率MOSFET CDM2205-800FP的t_d(on)，t_r，t_d(off) ，t_f分别为13ns，27ns，44ns，30ns，导通和关断时间较低，可实现开关的快速切换。另外，N沟道功率MOSFET CDM2205-800FP还具有较低的栅极电荷，典型值Q_g（tot）为17.4nC，其启动阈值电压范围为2.0V~4.0V，以利于驱动设备。

CENTRAL推出的N沟道功率MOSFET CDM2205-800FP的工作和存储结温均为-55℃~+150℃，能够适应较为恶劣的工业环境。其结壳热阻为2.6℃/W，有着较低的热损耗。N沟道功率MOSFET CDM2205-800FP可用于功率因数校正，可替代能源逆变器，固态照明领域。

图1 N沟道功率MOSFET CDM2205-800FP实物图

N沟道功率MOSFET CDM2205-800FP的产品特性：

• 高电压能力（V_DS=800V）

• 低栅极电荷（典型值Q_g（tot）=17.4nC）

• 低r_DS（ON）（典型值为2.2Ω）

N沟道功率MOSFET CDM2205-800FP的应用领域：

• 功率因数校正

• 可替代能源逆变器

• 固态照明

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