【产品】800V/5.0A N沟道功率MOSFET CDM2205-800FP，适用于高电压、快速开关应用
CDM2205-800FP是CENTRAL半导体公司推出的一款N沟道功率MOSFET。N沟道功率MOSFET CDM2205-800FP具有高电压能力，低rDS(ON)，低阈值电压，低栅极电荷以获得最佳效率。N沟道功率MOSFET CDM2205-800FP采用TO-220FP封装，专为高电压，快速开关应用而设计，如功率因数校正(PFC)，照明和电源逆变器。
CENTRAL推出的CDM2205-800FP的漏源电压VDS为800V，连续漏极电流ID为5.0A。其具有较低的导通电阻，当VGS=10V, ID=2.5A时，其典型值为2.2Ω，最大值为2.7Ω。N沟道功率MOSFET CDM2205-800FP的td(on)，tr，td(off) ，tf分别为13ns，27ns，44ns，30ns，导通和关断时间较低，可实现开关的快速切换。另外，N沟道功率MOSFET CDM2205-800FP还具有较低的栅极电荷，典型值Qg（tot）为17.4nC，其启动阈值电压范围为2.0V~4.0V，以利于驱动设备。
CENTRAL推出的N沟道功率MOSFET CDM2205-800FP的工作和存储结温均为-55℃~+150℃，能够适应较为恶劣的工业环境。其结壳热阻为2.6℃/W，有着较低的热损耗。N沟道功率MOSFET CDM2205-800FP可用于功率因数校正，可替代能源逆变器，固态照明领域。
图1 N沟道功率MOSFET CDM2205-800FP实物图
N沟道功率MOSFET CDM2205-800FP的产品特性：
• 高电压能力（VDS=800V）
• 低栅极电荷（典型值Qg（tot）=17.4nC）
• 低rDS（ON）（典型值为2.2Ω）
N沟道功率MOSFET CDM2205-800FP的应用领域：
• 功率因数校正
• 可替代能源逆变器
• 固态照明
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由零点翻译自Central，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
相关推荐
【产品】使机器尺寸减小40%的耐高压功率MOSFETMG020201，最大反向电压可达600V
MG020201是新电元推出的一款耐高压功率MOSFET，其最大反向电压可达600V，可满足高电压的工作环境。同时平均正向电流为30A，可满足大功率电路的设计应用。
【产品】TO-247封装的600V超结功率MOSFET TPW60R090MFD，导通电阻最大仅0.09Ω
TPW60R090MFD是一款漏源电压为600V的超结功率MOSFET，采用TO-247封装，尺寸较小。该产品具有超快速体二极管和极低的品质因数，通过了100％雪崩测试，符合RoHS标准，主要用于开关电源、不间断电源和功率因数校正。
【产品】TO-247封装的R6030ENZ4功率MOSFET，600V/30A，导通电阻最大仅0.130Ω
R6030ENZ4是ROHM最新推出的N沟道功率MOSFET，为无铅电镀产品，符合RoHS标准，产品漏源电压为600V，连续漏极电流高达30A，耐压能力强，可满足大电流应用对电流的需求，产品易于并行使用，具有低导通电阻和快速开关的特点，用于各种开关应用。
瑶芯碳化硅功率MOSFET AKCK2M016WAMH，为充电桩模块提供高电压、低阻值的单管方案
高效、可靠的充电桩组成模块是需要考虑的核心问题之一。这对功率半导体组件，特别是高效能的功率MOSFET，提出了更高的要求。功率MOSFET在电能转换效率、系统可靠性和成本控制方面扮演着核心角色。瑶芯微的碳化硅功率MOSFET AKCK2M016WAMH正是面向未来的一种先进解决方案，其高电压和低阻值特性使其成为大功率充电桩模块设计中的理想选择。
CDFM10-600N表面贴装硅N沟道中等功率MOSFET 10A，600伏
描述- 该资料介绍了CENTRAL SEMICONDUCTOR公司生产的CDFM10-600N型600伏N沟道MOSFET，适用于高压、快速切换应用，如功率因数校正（PFC）、照明和电源逆变器。该MOSFET具有高电压能力、低rDS(ON)、低阈值电压和低栅极电荷，以实现最佳效率。
型号- CDFM10-600N
带有源功率因数校正的JW1602D降压LED稳压器
描述- 该资料介绍了JW1602D是一款具有高电流精度和主动功率因数校正功能的降压型LED调节器。它集成了低Rdson功率MOSFET，简化了LED照明系统的设计。JW1602D具备智能LED照明系统所需的使能引脚，确保输出完全关闭或快速唤醒。专利的电流采样技术保证了良好的线路和负载调节。此外，多保护功能增强了CV模式至关断LED谷值开启以降低开关损耗，并提供了周期性电流限制、LED短路保护和开路保护等功能。
型号- JW1602D
CDM7-600LR表面贴装硅N沟道LR功率MOSFET 7.0安培，600伏
描述- 该资料介绍了CENTRAL SEMICONDUCTOR公司的CDM7-600LR型表面贴装硅N沟道功率MOSFET。这款MOSFET适用于高压、快速切换应用，如功率因数校正（PFC）、照明和电源逆变器。它具有高电压能力、极低的导通电阻、低阈值电压和低栅极电荷，以实现最佳效率。
型号- CDM7-600LR
KP1062C 非隔离、降压型有源功率因数校正LED功率开关
描述- KP1062C是一款高度集成的非隔离降压型LED功率开关，采用有源功率因数校正技术和准谐振模式，实现高功率因数、低谐波失真和高效率。它内置高压500V功率MOSFET和保护功能，适用于LED照明等领域。
型号- KP1062C
KP1060C/KP1061C/KP1062C/KP1063C 非隔离、降压型有源功率因数校正LED功率开关
描述- 该资料介绍了KP106XC系列非隔离、降压型有源功率因数校正LED功率开关的特点和应用。该系列产品采用准谐振工作模式和有源功率因数校正技术，提供高功率因数、低谐波失真和高效率的性能。产品内置高压500V功率MOSFET和保护功能，适用于LED球泡灯、天花灯和T5/T8灯管等。
型号- KP1063C,KP1062C,KP1061C,KP1060C,KP106XC
CDM7-650表面贴装硅N沟道中功率MOSFET 7.0安培，650伏
描述- 该资料介绍了CENTRAL SEMICONDUCTOR公司的CDM7-650型650伏N沟道MOSFET。这款MOSFET适用于高压、快速切换应用，如功率因数校正（PFC）、照明和电源逆变器。它结合了高电压能力、低导通电阻、低阈值电压和低栅极电荷，以实现最佳效率。
型号- CDM7-650,CDM7-650 BK,CDM7-650 TR13
24N50功率MOSFET
描述- UTC 24N50是一款采用平面条纹和DMOS技术的N沟道功率MOSFET。该器件具有低导通电阻和高开关速度，适用于高效率开关电源、主动功率因数校正和基于半桥拓扑结构的电子灯镇流器。
型号- 24N50L-T47-T,24N50G-T47-T,24N50L-T3P-T,24N50G-T3P-T,24N50,24N50G-T47S-T,24N50L-T47S-T
【应用】导通电阻低至8.5mΩ的功率MOSFET P40F10SN如何适用于地铁屏蔽门150W直流无刷电机逆变设计？
为实现对地铁屏蔽门150W直流无刷电机驱动控制，其逆变单元一般需要至少72V/30A功率MOSFET做逆变，推荐选用Shindengen（新电元）功率MOSFET P40F10SN，FTO-220AG（3pin）封装，规格为100V/40A，低至8.5mΩ典型导通电阻，总栅极电荷Qg典型值仅为92nC，反向传输电容Crss典型值为205pF，可满足市场上大功率快速开关设计需求。
CDM4-650表面贴装硅N沟道中功率MOSFET 4.0安培，650伏
描述- 该资料介绍了CENTRAL SEMICONDUCTOR公司的CDM4-650型650伏N沟道MOSFET。这款MOSFET适用于高压、快速切换应用，如功率因数校正（PFC）、照明和电源逆变器。它结合了高电压能力、低导通电阻、低阈值电压和低栅极电荷，以实现最佳效率。
型号- CDM4-650,CDM4-650 BK,CDM4-650 TR13,CDM7-650 BK,CDM7-650 TR13
KP1063M 非隔离、降压型有源功率因数校正LED功率开关
描述- 该资料介绍了KP1063M非隔离、降压型有源功率因数校正LED功率开关。它是一款高度集成的恒流LED功率开关，采用准谐振工作模式和有源功率因数校正技术，提供高功率因数、低谐波失真和高效率的性能。内部集成高压600V功率MOSFET和保护功能，适用于LED球泡灯、天花灯和T5/T8灯管等。
型号- KP1063M,KP1063MSPA
KP1162/KP1164 非隔离、升降压型有源功率因数校正 LED 功率开关
描述- 该资料介绍了KP116X系列非隔离、升降压型有源功率因数校正LED功率开关的特点和应用。该系列产品采用准谐振工作模式和有源功率因数校正技术，具备高功率因数、低谐波失真和高效率等特点。芯片内部集成高压650V功率MOSFET和保护功能，适用于T5/T8 LED灯管和PF LED球泡灯。
型号- KP1162,KP1164,KP116X
电子商城
现货市场
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
可定制波导隔离器频率覆盖5.5GHz~110GHz，插损损低至0.25dB、隔离度、正向方向功率、封装尺寸参数。
最小起订量： 1pcs 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论