【新产品】PDFN 5X6封装的N沟道增强型场效应晶体管YJG40G10A

时间： 2020-11-19 来源：扬杰科技

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扬杰科技推出的YJG40G10A为N沟道增强型场效应晶体管，采用PDFN 5X6封装，非常适用于电源开关应用、硬开关和高频电路和不间断电源供应等相关领域。

图1 YJG40G10A封装及电路图

YJG40G10A采用SGT MOSFET技术设计，漏源电压为100V，漏电流为40A（@T_C=25°C）。采用高密度单元设计，具有较低R_DS（ON），其R_DS（ON）典型值仅为14mΩ（@V_GS=10V, I_D=20A），具有较低的开关损耗。另外，YJG40G10A的反向恢复时间典型值仅为39.8ns（@IF=20A, di/dt=100A/us）。结温和储存温度范围均为-55°C～+150°C，极宽的温度范围使得YJG40G10A可更好适用于更多环境中。

YJG40G10A特点：

SGT MOSFET技术

具有出色散热功能的封装

高密度单元设计，低R_DS（ON）

YJG40G10A应用：

电源开关应用

硬开关和高频电路

不间断电源供应

YJG40G10A订购信息：

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