【新产品】PDFN 5X6封装的N沟道增强型场效应晶体管YJG40G10A
扬杰科技推出的YJG40G10A为N沟道增强型场效应晶体管，采用PDFN 5X6封装，非常适用于电源开关应用、硬开关和高频电路和不间断电源供应等相关领域。
图1 YJG40G10A封装及电路图
YJG40G10A采用SGT MOSFET技术设计，漏源电压为100V，漏电流为40A（@TC=25°C）。采用高密度单元设计，具有较低RDS（ON），其RDS（ON）典型值仅为14mΩ（@VGS=10V, ID=20A），具有较低的开关损耗。另外，YJG40G10A的反向恢复时间典型值仅为39.8ns（@IF=20A, di/dt=100A/us）。结温和储存温度范围均为-55°C～+150°C，极宽的温度范围使得YJG40G10A可更好适用于更多环境中。
YJG40G10A特点：
SGT MOSFET技术
具有出色散热功能的封装
高密度单元设计，低RDS（ON）
YJG40G10A应用：
电源开关应用
硬开关和高频电路
不间断电源供应
YJG40G10A订购信息：
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