【新产品】PDFN 5X6封装的N沟道增强型场效应晶体管YJG40G10A

时间： 2020-11-19 来源：扬杰科技

技术问答

扬杰科技推出的YJG40G10A为N沟道增强型场效应晶体管，采用PDFN 5X6封装，非常适用于电源开关应用、硬开关和高频电路和不间断电源供应等相关领域。

图1 YJG40G10A封装及电路图

YJG40G10A采用SGT MOSFET技术设计，漏源电压为100V，漏电流为40A（@T_C=25°C）。采用高密度单元设计，具有较低R_DS（ON），其R_DS（ON）典型值仅为14mΩ（@V_GS=10V, I_D=20A），具有较低的开关损耗。另外，YJG40G10A的反向恢复时间典型值仅为39.8ns（@IF=20A, di/dt=100A/us）。结温和储存温度范围均为-55°C～+150°C，极宽的温度范围使得YJG40G10A可更好适用于更多环境中。

YJG40G10A特点：

SGT MOSFET技术

具有出色散热功能的封装

高密度单元设计，低R_DS（ON）

YJG40G10A应用：

电源开关应用

硬开关和高频电路

不间断电源供应

YJG40G10A订购信息：

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 0
| 转发至：

本文由两斤樱桃翻译自扬杰科技，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。

全部评论（0）

暂无评论

【产品】60V/5A的N沟道增强型场效应晶体管YJS05N06A，采用沟槽功率低压MOSFET技术

扬杰科技推出的N沟道增强型场效应晶体管YJS05N06A，SOP-8封装。采用沟槽栅低压功率MOSFET技术和低RDS(ON)的高密度单元设计，可用于高速开关。

新产品发布时间 : 2020-12-19

【产品】内置两个MOS管的DFN5060-8L封装N沟道增强型场效应晶体管YJGD20G10A，采用高密度单元设计

扬杰科技推出的N沟道增强型场效应晶体管YJGD20G10A，内置两个MOS管，MOS管的漏源电压均为100V，漏电流均为20A（@TC=25°C）。采用高密度单元设计，具有较低RDS（ON），最大不超过22mΩ（@VGS= 10V, ID=15A），较低的导通电阻可降低开关损耗。

新产品发布时间 : 2020-11-24

【产品】YJQ50N03A型N沟道增强型场效应晶体管，采用DFN3.3×3.3封装

扬杰科技推出的YJQ50N03A型N沟道增强型场效应晶体管，采用DFN3.3×3.3封装，Trench低压功率MOSFET技术，可用于电源转换和电机驱动等领域。其结温和存储温度范围均为-55~+175℃，可以在严苛的温度环境下工作，稳态下结至外壳热阻典型值为3.9℃/W。

新产品发布时间 : 2021-01-31

YJG40G10AQ N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

型号- YJG40G10AQ

数据手册 - 扬杰科技 - Rev.1.0 - 9-Feb-22 PDF 英文下载

YJG2D0G04AQ N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

型号- YJG2D0G04AQ

数据手册 - 扬杰科技 - Rev.1.0 - 19-Oct-24 PDF 英文下载

YJP6D9G15H N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

型号- YJP6D9G15H

数据手册 - 扬杰科技 - Rev.1.0 - 29-Sep-24 PDF 英文下载

【产品】扬杰科技推出的YJJ03G10A型N沟道增强型场效应晶体管，静态漏源导通电阻不超过140mΩ

扬杰科技推出N沟道增强型场效应晶体管YJJ03G10A，采用SOT-23-6L封装，漏源电压最大额定值为110V，栅源电压最大额定值为±20V。器件具有低导通电阻RDS（ON），静态漏源导通电阻不超过140mΩ（VGS=10V，ID=3A）。产品具有出色的散热封装和低RDS（ON）等特性，结温和存储温度范围均为-55~+150℃，主要用于DC-DC转换器及电源管理功能等领域。

新产品发布时间 : 2020-12-30

【产品】采用沟槽型中压功率MOSFET技术的N沟道增强型场效应晶体管2N7002，漏源电压60V

扬杰科技推出的2N7002是一款N沟道增强型场效应晶体管，采用SOT-23封装，符合RoHS标准。其漏源电压极限值为60V，漏极电流极限值为340mA（@TA=25℃），漏源导通电阻＜3.0ohm@VGS=4.5V，且具有输入电容低、开关速度快、输入/输出漏电流小的特点。

新产品发布时间 : 2020-11-07

YJG5D0G10H N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

型号- YJG5D0G10H

数据手册 - 扬杰科技 - Rev.1.0 - 3-Sep-24 PDF 英文下载

【产品】60V/3A的N沟道增强型场效应晶体管YJL03N06B，采用沟槽功率低压MOSFET技术

扬杰科技推出的N沟道增强型场效应晶体管YJL03N06B，采用SOT-23封装，漏源电压最大额定值为60V，栅源电压最大额定值为±16V。采用沟槽栅低压功率MOSFET技术和低RDS(ON)的高密度单元设计，可高速开关，产品可用于电池保护、负荷开关、电源管理等领域。

新产品发布时间 : 2020-11-21

【产品】漏源电压100V，漏极电流45A的N沟道增强型场效应管YJD45G10A，采用TO-252封装

扬杰科技推出N沟道增强型场效应晶体管YJD45G10A，采用TO-252封装，漏源电压最大额定值为100V，栅源电压最大额定值为±20V。在Tc= 25℃条件下，器件的漏极电流最大额定值可达45A，脉冲漏极电流最大额定值180A。总耗散功率最大额定值仅为72W，主要用于电源开关应用、硬开关和高频电路及不间断电源等领域。

新产品发布时间 : 2021-01-01