【新产品】PDFN 5X6封装的N沟道增强型场效应晶体管YJG40G10A
扬杰科技推出的YJG40G10A为N沟道增强型场效应晶体管，采用PDFN 5X6封装，非常适用于电源开关应用、硬开关和高频电路和不间断电源供应等相关领域。
图1 YJG40G10A封装及电路图
YJG40G10A采用SGT MOSFET技术设计，漏源电压为100V，漏电流为40A（@TC=25°C）。采用高密度单元设计，具有较低RDS（ON），其RDS（ON）典型值仅为14mΩ（@VGS=10V, ID=20A），具有较低的开关损耗。另外，YJG40G10A的反向恢复时间典型值仅为39.8ns（@IF=20A, di/dt=100A/us）。结温和储存温度范围均为-55°C～+150°C，极宽的温度范围使得YJG40G10A可更好适用于更多环境中。
YJG40G10A特点：
SGT MOSFET技术
具有出色散热功能的封装
高密度单元设计，低RDS（ON）
YJG40G10A应用：
电源开关应用
硬开关和高频电路
不间断电源供应
YJG40G10A订购信息：
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扬杰科技MOSFET选型表
扬杰科技提供MOSFET产品，漏源电压VDSS(V)：-100V~900V，漏极电流ID(A)：-115~300，耗散功率PD(W)：-0.83W~375W；
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产品型号
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品类
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Package
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Status
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ESD
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Configuration
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Type
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VDSS(V)
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ID(A)
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PD(W)
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VGS(V)
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Tj(℃）
|
Vth_Typ(V)
|
Rdson@VGS10V_TYP(mΩ)
|
Rdson@VGS10V_Max(mΩ)
|
Rdson@VGS4.5V_TYP(mΩ)
|
Rdson@VGS4.5V_Max(mΩ)
|
Ciss_Typ(pF)
|
Coss_Typ(pF)
|
Crss_Typ(pF)
|
Qg_Typ(nC)
|
Grade
|
|
2N7002
|
MOSFET
|
SOT-23
|
Active
|
No
|
Single
|
N
|
60
|
0.34
|
0.35
|
±20
|
150
|
1.5
|
1200
|
2500
|
1300
|
3000
|
27.5
|
2.75
|
1.9
|
1.6
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Standard
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选型表 - 扬杰科技 立即选型
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