【新产品】PDFN 5X6封装的N沟道增强型场效应晶体管YJG40G10A

时间： 2020-11-19 来源：扬杰科技

代理服务

技术支持

采购服务

扬杰科技推出的YJG40G10A为N沟道增强型场效应晶体管，采用PDFN 5X6封装，非常适用于电源开关应用、硬开关和高频电路和不间断电源供应等相关领域。

图1 YJG40G10A封装及电路图

YJG40G10A采用SGT MOSFET技术设计，漏源电压为100V，漏电流为40A（@T_C=25°C）。采用高密度单元设计，具有较低R_DS（ON），其R_DS（ON）典型值仅为14mΩ（@V_GS=10V, I_D=20A），具有较低的开关损耗。另外，YJG40G10A的反向恢复时间典型值仅为39.8ns（@IF=20A, di/dt=100A/us）。结温和储存温度范围均为-55°C～+150°C，极宽的温度范围使得YJG40G10A可更好适用于更多环境中。

YJG40G10A特点：

SGT MOSFET技术

具有出色散热功能的封装

高密度单元设计，低R_DS（ON）

YJG40G10A应用：

电源开关应用

硬开关和高频电路

不间断电源供应

YJG40G10A订购信息：

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 0
| 转发至：

本文由两斤樱桃翻译自扬杰科技，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。

平台合作

提交评论

全部评论（0）

暂无评论

【产品】60V/3A的N沟道增强型场效应晶体管YJL03N06B，采用沟槽功率低压MOSFET技术

扬杰科技推出的N沟道增强型场效应晶体管YJL03N06B，采用SOT-23封装，漏源电压最大额定值为60V，栅源电压最大额定值为±16V。采用沟槽栅低压功率MOSFET技术和低RDS(ON)的高密度单元设计，可高速开关，产品可用于电池保护、负荷开关、电源管理等领域。

2020-11-21 - 新产品代理服务技术支持采购服务

【产品】20V/60A的N沟道增强型场效应晶体管YJD60N02A，采用沟槽功率低压MOSFET技术

扬杰科技推出的N沟道增强型场效应晶体管YJD60N02A，采用TO-252封装。采用沟槽功率低压MOSFET技术、低RDS(ON)的高密度单元设计及良好的散热封装，可用于大电流负载应用、负荷开关、硬开关和高频电路、不间断电源等领域。

2020-12-28 - 新产品代理服务技术支持采购服务

【产品】150/15A N沟道增强型场效应晶体管YJG15N15B，封装为DFN5×6

扬杰科技推出N沟道增强型场效应晶体管YJG15N15B，采用DFN5×6的封装设计，漏源电压为150V，漏极电流为15A(TA=25℃)。采用栅沟道MOSFET技术，高速电源开关，逻辑电平，具有增强的体二极管dv / dt功能，增强了雪崩强度，已通过100％UIS测试，100％Rg测试。

2020-05-05 - 新产品代理服务技术支持采购服务

扬杰科技MOSFET选型表

扬杰科技提供MOSFET产品，漏源电压VDSS(V)：-100V~900V，漏极电流ID(A)：-115~300，耗散功率PD(W)：-0.83W~375W；

Rdson@VGS4.5V_TYP(mΩ)

Rdson@VGS4.5V_Max(mΩ)

选型表 - 扬杰科技立即选型

YJB180G10B N沟道增强型场效应晶体管数据表

本资料介绍了YJB180G10B型N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET）的产品概要。该器件具有低导通电阻、极低的开关损耗、优异的稳定性和均匀性以及快速切换和软恢复等特点。适用于电源转换应用、硬开关和高频电路。

扬杰科技 - N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR,N沟道增强型场效应晶体管,YJB180G10B,HARD SWITCHED AND HIGH FREQUENCY CIRCUITS,UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY,不间断电源,POWER SWITCHING APPLICATION,电源切换应用,硬开关高频电路

26-Qct-20 - 数据手册 - Rev.1.0 代理服务技术支持采购服务

YJG5D0G10H N沟道增强型场效应晶体管

本资料介绍了YJG5D0G10H型N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET）的产品概要、特性参数和应用领域。该器件采用分割栅槽式MOSFET技术，具有高密度单元格设计以降低导通电阻，适用于电源开关应用。

扬杰科技 - N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR,N沟道增强型场效应晶体管,YJG5D0G10H,UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY,不间断电源,直流-直流变换器,DC-DC CONVERTOR

3-Sep-24 - 数据手册 - Rev.1.0 代理服务技术支持采购服务

YJQ029N06AHQ N沟道增强型场效应晶体管

本资料介绍了YJQ029N06AHQ型号的N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET）的产品概要、特性参数和应用领域。该器件具有高密度设计以降低导通电阻，适用于电源开关应用、不间断电源和直流-直流转换器。

扬杰科技 - N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR,N沟道增强型场效应晶体管,YJQ029N06AHQ,UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY,不间断电源,POWER SWITCHING APPLICATION,电源切换应用,12V汽车系统,12V AUTOMOTIVE SYSTEM,直流-直流变换器,DC-DC CONVERTOR

31-May-24 - 数据手册 - Rev.1.0 代理服务技术支持采购服务

YJG110G10B N沟道增强型场效应晶体管

本资料介绍了YJG110G10B型号的N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET）。该器件具有高电流承载能力、低导通电阻和良好的热散性能。它适用于电源开关应用，如不间断电源和DC-DC转换器。

扬杰科技 - N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR,N沟道增强型场效应晶体管,YJG110G10B,UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY,不间断电源,POWER SWITCHING APPLICATION,电源切换应用,直流-直流变换器,DC-DC CONVERTOR

24-Oct-23 - 数据手册 - Rev.1.1 代理服务技术支持采购服务

YJB6D8G15H N沟道增强型场效应晶体管

本资料介绍了YJB6D8G15H型N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET）的产品特性、电气参数和应用领域。该器件采用分割栅槽式MOSFET技术，具有低导通电阻和高热散性等特点，适用于电源开关应用。

扬杰科技 - N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR,N沟道增强型场效应晶体管,YJB6D8G15H,UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY,不间断电源,直流-直流变换器,DC-DC CONVERTOR

3-Sep-24 - 数据手册 - Rev.1.0 代理服务技术支持采购服务

YJG60G10A N沟道增强型场效应晶体管

本资料介绍了YJG60G10A型N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET）的产品概要、特性参数和应用领域。该器件采用分割栅槽式MOSFET技术，具有高密度单元设计以实现低RDS(ON)，适用于电源开关应用和高频电路。

扬杰科技 - N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR,N沟道增强型场效应晶体管,YJG60G10A,HIGH FREQUENCY CIRCUITS,UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY,不间断电源,POWER SWITCHING APPLICATION,电源切换应用,高频电路,HARD SWITCHED CIRCUITS,硬开关电路

24-Oct-23 - 数据手册 - Rev.3.4 代理服务技术支持采购服务查看更多版本

YJG175G06AR N沟道增强型场效应晶体管

本资料介绍了YJG175G06AR这款N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET）的产品特性、电气参数和应用领域。该器件采用分割栅槽式MOSFET技术，具有低导通电阻和高热散耗能力，适用于电源开关应用。

扬杰科技 - N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR,N沟道增强型场效应晶体管,YJG175G06AR,PD CHARGE,UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY,不间断电源,POWER SWITCHING APPLICATION,电源切换应用,PD充电,直流-直流变换器,DC-DC CONVERTOR

31-Aug-23 - 数据手册 - Rev.1.2 代理服务技术支持采购服务

YJG9D5G06A N沟道增强型场效应晶体管

本资料介绍了YJG9D5G06A型N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET）的产品特性、电气参数和应用领域。该器件具有高密度设计以实现低导通电阻，适用于电源开关应用。

扬杰科技 - N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR,N沟道增强型场效应晶体管,YJG9D5G06A,UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY,不间断电源,直流-直流变换器,DC-DC CONVERTOR

30-Aug-24 - 数据手册 - Rev.1.1 代理服务技术支持采购服务查看更多版本

YJD110G06B N沟道增强型场效应晶体管

本资料介绍了YJD110G06B型N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET）的产品概要、技术规格和应用领域。该器件具有高电流承载能力、低导通电阻和良好的热散性，适用于电源开关应用。

扬杰科技 - N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR,N沟道增强型场效应晶体管,YJD110G06B,UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY,不间断电源,POWER SWITCHING APPLICATION,电源切换应用,直流-直流变换器,DC-DC CONVERTOR

25-May-22 - 数据手册 - Rev.1.1 代理服务技术支持采购服务

YJG200G04BRQ N沟道增强型场效应晶体管

本资料介绍了YJG200G04BRQ型号的N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET）。该器件具有高电流承载能力、低导通电阻和良好的热散性，适用于电源开关应用。资料详细说明了其电气特性、热阻、封装信息和订购信息。

扬杰科技 - N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR,N沟道增强型场效应晶体管,YJG200G04BRQ,UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY,不间断电源,POWER SWITCHING APPLICATION,电源切换应用,直流-直流变换器,DC-DC CONVERTOR

02-Sep-23 - 数据手册 - Rev.1.0 代理服务技术支持采购服务