【产品】30V/10A N沟道功率MOSFET DI010N03PW, 采用QFN2x2节省空间的封装
DIOTEC推出商业等级N沟道功率MOSFET DI010N03PW，该器件漏源电压30V，漏极持续电流可达10A（25℃），导通电阻约为10mΩ，同时该器件采用QFN2x2节省空间的封装，具有剖面低，尺寸小的优点。
图1. 产品封装与内部结构图
典型应用：
l 电源管理元件
l 电池供电设备
l DC/DC转换器
l 负载开关
l 型号后缀-AQ：符合AEC-Q101认证
主要特征：
l 采用节省空间的微型封装
l 低剖面高度
l 低导通电阻
l 快速开关
l 低栅极电荷
l 符合ROHS、REACH标准和冲突矿物法
机械参数：
l 盘带包装：tbd/13”
l 重约0.05 g
l 外壳材料阻燃等级：UL 94V-0
l 焊接和组装条件：260℃/10s，MSL=1
最大额定值
静态参数
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