【产品】30V/10A N沟道功率MOSFET DI010N03PW, 采用QFN2x2节省空间的封装
DIOTEC推出商业等级N沟道功率MOSFET DI010N03PW，该器件漏源电压30V，漏极持续电流可达10A（25℃），导通电阻约为10mΩ，同时该器件采用QFN2x2节省空间的封装，具有剖面低，尺寸小的优点。
图1. 产品封装与内部结构图
典型应用：
l 电源管理元件
l 电池供电设备
l DC/DC转换器
l 负载开关
l 型号后缀-AQ：符合AEC-Q101认证
主要特征：
l 采用节省空间的微型封装
l 低剖面高度
l 低导通电阻
l 快速开关
l 低栅极电荷
l 符合ROHS、REACH标准和冲突矿物法
机械参数：
l 盘带包装：tbd/13”
l 重约0.05 g
l 外壳材料阻燃等级：UL 94V-0
l 焊接和组装条件：260℃/10s，MSL=1
最大额定值
静态参数
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DIOTEC MOSFETs选型表
DIOTEC提供以下参数选型： Drain Source Voltage VDS[V]:-100~700、Drain Current ID[A]：-70~280、Junction Temperature Tjmax[℃]：150~175、Power Dissipation Ptot [W]：0.2~425、Peak Drain Current IDM [A]：-350~1200、Threshold Voltage VGSth[V]：-4~4.2、On-Resistance RDSon[Ω]：0.0013~15、On-Resistance ID[A]:-30~100、On-Resistance VGS[V]：-10~10、Turn-OnTime ton[ns]：3~1206、Turn-Off Time toff[ns]：7~991
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产品型号
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品类
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Type
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Package
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Drain Source Voltage VDS[V]
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Drain Current ID[A]
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Junction Temperature Tjmax[℃]
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Polarity pol
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Power Dissipation Ptot [W]
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Peak Drain Current IDM [A]
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Threshold Voltage VGSth[V]
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On-Resistance RDSon[Ω]
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On-Resistance ID[A]
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On-Resistance VGS[V]
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Turn-OnTime ton[ns]
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Turn-Off Time toff[ns]
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2N7000
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MOSFETs
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Wire-lead
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TO-92
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60
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0.2
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150
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N
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0.35
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0.5
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0.8
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5
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1
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10
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10
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10
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选型表 - DIOTEC 立即选型
DI050N04PT N沟道功率MOSFET
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型号- DI045N03PT,DI045N03PT-AQ
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描述- 该资料介绍了DI065N06PT型号的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的特性。它适用于电源管理单元、电池供电设备、负载开关和极性保护等领域。产品具有小尺寸、低导通电阻、快速切换时间等特点，符合RoHS标准。
型号- DI065N06PT
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现货市场
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
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