【产品】基于独特的“共源共栅”电路配置的650V-85mΩ SiC FET，具有超低栅极电荷
UF3C065080B7S是UnitedSiC公司推出的一款650V-85mΩ SiC FET，这种SiC FET器件基于独特的“共源共栅”电路配置，其中将常开SiC JFET与Si MOSFET封装在一起来构成常关型SiC FET器件。该器件的标准栅极驱动特性允许对Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超结器件实现真正的“直接替代”。该产品采用D2PAK-7L 封装，该器件具有超低栅极电荷和出色的反向恢复特性，非常适合于开关感性负载，以及任何需要标准栅极驱动的应用。
产品特征
●导通电阻 RDS(on)：85mΩ（典型值）
●工作温度：175°C（最高值）
●出色的反向恢复特性：Qrr = 69nC
●低VFSD：1.54V（体二极管）
●低栅极电荷：QG = 23nC
●阈值电压 VG(th)：4.8V（典型值），允许 0 至 15V 驱动
●爬电距离和电气间隙> 6.1mm
●具有用于优化开关性能的开尔文源极引脚
●ESD 保护，HBM 2 级
订购信息：
典型应用
●电信和服务器电源
●工业电源
●功率因数校正模块
●电机驱动
●感应加热
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