【产品】采用先进沟槽技术的N，P沟道互补功率MOSFET AP3910GD，可用于H桥和逆变器
AP3910GD是铨力半导体推出的采用先进的沟槽技术和设计的N，P沟道互补性功率MOSFET，它具有出色的R-DS（ON）和低栅极电荷。它采用PDFN5*6-8L封装，可以用于H桥，逆变器等领域。
电路及封装图
特性
N沟道
●VDS=30V，ID=36A
RDS(ON)＜12mΩ@VGS=10V
RDS(ON)＜15mΩ@VGS=4.5V
P沟道
●VDS=-30V，ID=-30A
RDS(ON)＜14mΩ@VGS= -10V
RDS(ON)＜20mΩ@VGS= -4.5V
●超低Rdson的高密度设计
●良好的稳定性和一致性且具有高雪崩能量（EAS）
●优秀的封装设计使其具有良好的散热性
●特殊制程技术使其具备高ESD防护能力
应用
●H桥
●逆变器
绝对最大额定值（TC=25℃，除非另有说明）
订购信息
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