【产品】采用先进沟槽技术的N，P沟道互补功率MOSFET AP3910GD，可用于H桥和逆变器

时间： 2022-03-22 来源：铨力半导体

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AP3910GD是铨力半导体推出的采用先进的沟槽技术和设计的N，P沟道互补性功率MOSFET，它具有出色的R-_DS（ON）和低栅极电荷。它采用PDFN5*6-8L封装，可以用于H桥，逆变器等领域。

电路及封装图

特性

N沟道

●V_DS=30V，I_D=36A

R_DS(ON)＜12mΩ@V_GS=10V

R_DS(ON)＜15mΩ@V_GS=4.5V

P沟道

●V_DS=-30V，I_D=-30A

R_DS(ON)＜14mΩ@V_GS= -10V

R_DS(ON)＜20mΩ@V_GS= -4.5V

●超低Rdson的高密度设计

●良好的稳定性和一致性且具有高雪崩能量（E_AS）

●优秀的封装设计使其具有良好的散热性

●特殊制程技术使其具备高ESD防护能力

应用

●H桥

●逆变器

绝对最大额定值（T_C=25℃，除非另有说明）

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RDS(on) (mΩ) max. at VGS=10V

RDS(on) (mΩ) max. at VGS=4.5V

RDS(on) (mΩ) max. at VGS=2.5V

RDS(on) (mΩ) max. at VGS=1.8 V

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