【产品】采用DFN2×2B-6L塑封封装的P沟道MOS场效应管BRCS150P02ZJ,VDSS值为-20V
蓝箭电子推出的P沟道MOS场效应管BRCS150P02ZJ,采用DFN2×2B-6L塑封封装。具有VDS(V)=-20V,ID=-11A,RDS(ON)@-4.5V≤17mΩ(Type.15mΩ),HF Product的特征。该产品可用于电源管理,便携式设备和电池供电系统,其VDSS值-20V,ID(Tc=25℃)值为-11A,Tj和Tstg温度范围为-55~150℃,为无卤产品。
特征:
VDS(V)=-20V,ID=-11A,RDS(ON)@-4.5V≤17mΩ(Type.15mΩ),HF Product,无卤产品。
用途:
用于电源管理,便携式设备和电池供电系统。
极限参数(Ta=25℃)
电性能参数(Ta=25℃)
外形尺寸图:
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由提灯破云转载自蓝箭电子,原文标题为:BRCS150P02ZJ,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。
相关推荐
【产品】国产P沟道MOS场效应管BRCS50P06FA,门电荷低,适用于汽车电路及DC/DC转换
蓝箭电子推出的P沟道MOS场效应管BRCS50P06FA,采用TO-220F塑封封装。其具有RDS(on)小,门电荷低,Crss小,开关速度快。BRCS50P06FA用于低压电路如汽车电路、DC/DC转换、便携式产品的电源高效转换。
MOS管FDN336P具有-0.7V的阈值电压,常用于高效小型负载开关和功率管理应用
FDN336P是一款由萨科微(Slkor)生产的P沟道MOS场效应管,专为负载开关和功率管理应用而设计。它具有紧凑的SOT-23封装和低阈值电压,使其适用于各种小型电子设备。首先,FDN336P的主要特点之一是负载开关应用。这意味着它可以用于控制电路中的负载开关,例如打开和关闭电源或其他电子设备。由于其设计用于负载开关,它具有较低的导通电阻和较高的漏极电流能力,可以有效地传输电力。
-60V/-30A P沟道MOS场效应管IRFR5305,在小家电领域具有广泛的应用和显著的优势
IRFR5305是一款P沟道MOS场效应管,具有出色的性能参数,其具有较高漏源电压(-60V)和大电流承受能力(-30A),非常适合用于高压高功率的电路设计中。此外,其较低的导通电阻(26mΩ@-10V,-15A)和较低的阈值电压(-1.8V@-250μA)保证了其在工作状态下能降低功率损耗。该器件在各种电子设备和电路中都能发挥重要作用,为电子设备和系统的性能提升和能效改进提供了强大支持。
FS3401S SOT-23 -30V P沟道增强型场效应管(FS3401S SOT-23 -30V P Channel Enhancement MOS Field Effect Transistor)
富信电子集团旗下安徽富信半导体科技有限公司生产的FS3401S是一款SOT-23封装的-30V P Channel Enhancement MOSFET场效应管。该产品具有高漏极电流、低导通电阻和良好的热性能,适用于各种电源管理、开关电源和电机驱动等应用。
富信 - P沟道增强型MOS场效应晶体管,P沟道增强型场效应管,P CHANNEL ENHANCEMENT MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR,FS3401S
【产品】采用SOT23-6塑封封装的无卤BRCS4953DMF双P沟道MOS场效应管,超高密度设计,导通电阻小
蓝箭电子推出的无卤BRCS4953DMF是一款采用SOT23-6塑封封装双P沟道MOS场效应管。具有超高密度设计,导通电阻小,可靠性好的特征。适用于电源管理,便携式设备和电池供电系统。
FSN4481S PDFN5X6-8L P 沟道增强型场效应管(FSN4481S PDFN5X6-8L P Channel Enhancement MOS Field Effect Transistor)
富信电子集团旗下安徽富信半导体科技有限公司生产的FSN4481S是一款沟道增强型MOS场效应管,具有低导通电阻和适用于负载开关、PWM应用和电源管理等领域的特性。
富信 - P沟道增强型MOS场效应晶体管,P 沟道增强型场效应管,P CHANNEL ENHANCEMENT MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR,FSN4481S,PWM应用,POWER MANAGEMENT,电源管理,LOAD SWITCH,脉宽调制,PWM APPLICATION,负载开关
FS6P03F SOT-89 P沟道增强型场效应管(FS6P03F SOT-89 P Channel Channel Enhancement MOS Field Effect Transistor)
FS6P03F是一款沟道增强型MOS场效应管,具有低导通电阻特点,适用于负载开关、DC-DC转换和电源管理等应用。
富信 - P沟道沟道增强型MOS场效应晶体管,P沟道增强型场效应管,P CHANNEL CHANNEL ENHANCEMENT MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR,FS6P03F,POWER MANAGEMENT,电源管理,LOAD SWITCH,DC-DC CONVERSION,升压转换,直流-直流转换,负载开关
FS6P03 SOT-23-3L P沟道沟道增强型MOS场效应晶体管
该资料介绍了安徽富信半导体科技有限公司生产的FS6P03沟道增强型MOS场效应管。该器件具有低导通电阻,适用于负载开关、DC-DC升压转换和电源管理等应用。
富信 - P沟道沟道增强型MOS场效应晶体管,P CHANNEL CHANNEL ENHANCEMENT MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR,FS6P03,POWER MANAGEMENT,电源管理,LOAD SWITCH,负载开关
BRCS150P04DSC数据表
该资料为BRCS150P04DSC型双P沟道MOS场效应管的数据手册。资料详细介绍了该产品的特性、极限参数、电性能参数、应用领域、封装尺寸、标记说明、回流焊温度曲线图、耐焊接热试验条件以及包装规格。
蓝箭电子 - 双P沟道MOSFET,DOUBLE P-CHANNEL MOSFET,双 P 沟道 MOS 场效应管,BRCS150P04DSC,电机控制,POWER MANAGEMENT,MOTOR CONTROL,LOAD SWITCHES,PORTABLE EQUIPMENT,BATTERY POWERED SYSTEMS,电脑,便携式设备,负荷开关,电池供电系统,电源管理,COMPUTER,负载开关,计算机
FS6P03 SOT-23-3L P场效应管沟道增强型(FS6P03 SOT-23-3L P Channel Channel Enhancement MOS Field Effect Transistor)
FS6P03是一款沟道增强型MOS场效应管,具有低导通电阻特点,适用于负载开关、DC-DC转换和电源管理等领域。
富信 - P沟道沟道增强型MOS场效应晶体管,P沟道增强型场效应管,P CHANNEL CHANNEL ENHANCEMENT MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR,FS6P03,POWER MANAGEMENT,电源管理,LOAD SWITCH,DC-DC CONVERSION,升压转换,直流-直流转换,负载开关
【产品】蓝箭电子推出P沟道MOS场效应管BRCS200P03DP,采用TO-252塑封封装
蓝箭电子推出的P沟道MOS场效应管BRCS200P03DP,采用TO-252塑封封装,具有阻抗低,开关速度快的特征,该产品可用于工业级DC/DC转换器的电源管理,其VDS值为-30V,ID(Tc=25℃)值为-40A,Tj和Tstg温度范围为-55~150℃,为无卤产品。
BRD50P06Q数据表
本资料为BRD50P06Q型P沟道MOS场效应管的数据手册,详细介绍了该产品的特性、应用、电性能参数、封装尺寸、焊接温度曲线等。
蓝箭电子 - P-CHANNEL MOSFET,P 沟道 MOS 场效应管,P通道MOSFET晶体管,BRD50P06Q,低压电路,汽车,DC/DC CONVERTERS,高效率开关,电源高效转换,LOW VOLTAGE,电池供电产品,DC/DC转换器,便携式产品,DC/DC 转换,PORTABLE PRODUCTS,电源管理,POWER MANAGEMENT,汽车电路,HIGH EFFICIENCY SWITCHING,BATTERY OPERATED PRODUCTS,AUTOMOTIVE,低电压
FS6P03F SOT-89 沟道增强型场效应管(FS6P03F SOT-89 P Channel Channel Enhancement MOS Field Effect Transistor)
FS6P03F是一款沟道增强型MOS场效应管,具有低导通电阻特点,适用于负载开关、DC-DC转换和电源管理等应用。
富信 - P沟道沟道增强型MOS场效应晶体管,P CHANNEL CHANNEL ENHANCEMENT MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR,沟道增强型场效应管,FS6P03F,POWER MANAGEMENT,电源管理,LOAD SWITCH,负载开关
【产品】采用SOP-8塑封封装的P沟道MOS场效应管AP4407,适用于电源管理,便携式设备和电池供电系统
铨力半导体推出一款采用SOP-8塑封封装的P沟道MOS场效应管AP4407,具有V-DS(V)= -30V,l-D=12 A (V-GS= -20V),R-DS(ON)< 13mΩ (V-GS = -20V),R-DS(ON) < 14mΩ (V-GS = -10V)的特征。
BRCS350P04SC数据表
本资料为BRCS350P04SC数据手册,详细介绍了该产品的特性、参数和应用领域。BRCS350P04SC是一款SOP-8封装的P沟道增强型MOS场效应管,适用于电源管理、便携式设备和电池供电系统。
蓝箭电子 - P 沟道 MOS 场效应管,P沟道增强型场效应晶体管,P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR,BRCS350P04SC,POWER MANAGEMENT,便携式设备,电源管理,电池供电系统,笔记型计算机,PORTABLE EQUIPMENT,BATTERY POWERED SYSTEMS,NOTEBOOK COMPUTER
电子商城
服务
定制液冷板尺寸5mm*5mm~3m*1.8m,厚度2mm-100mm,单相液冷板散热能力最高300W/cm²。
最小起订量: 1片 提交需求>
提供全面表征产品器件耗电特征及功耗波形、快速瞬态效应、电源优化、表征和仿真测试服务,使用直流电源分析仪测量精度达50µV,8nA,波形发生器带宽100kHz,输出功率300W,示波器200kHz,512 kpts
实验室地址: 深圳/苏州 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论