【产品】采用先进GaAs pHEMT工艺的超低噪声放大器ATR2092，工作频段0.6GHz到5GHz
中科微ATR2092是一款应用于无线通信射频前端，工作频段为0.6GHz到5GHz的超低噪声放大器。该低噪声放大器采用先进的GaAs pHEMT工艺设计和制作，该低噪声放大器在整个工作频段内可以获得非常好的射频性能，超低噪声系数，高的功率增益以及非常高的线性度，非常适合在有高干扰的环境中使用，可以使得无线通信系统获得非常优秀的灵敏度。
该芯片的工作带宽可以覆盖0.6到5GHz，外围器件简单即可以达到射频性能最优。芯片功能模块示意图如下，该芯片采用2×2 mm，8-pin DFN封装，芯片集成了有源偏置电路，以降低工艺偏差和温度变化对芯片性能的影响,并可以通过调整偏置电阻来调整芯片的工作电流，根据性能需求可以增加或者减小芯片的工作电流达到系统的应用要求。芯片的电源供电通过RFOUT/VDD进入,RFIN和RFOUT/VDD需要连接隔直电容以保证其对应的直流工作点不会受到影响。芯片内部集成关断电路，在芯片需要进入低功耗模式时，可以开启使能降低芯片功耗。
芯片应用及特征
主要应用方向
>LTE，GSM, WCDMA，HSDPA等宏基站和微基站
>应用于L和S波段的超低噪声接收机
>蜂窝中转站，DHS和RRH等终端设备
>TDD和FDD系统
>环境温度会高达105度的收发机
芯片主要特征
>超宽工作带宽:0.6GHz-5GHz
>工作频段内超低噪声系数，0.5dB @2600MHz
>高增益，高稳定性
>增益大于20dB的频率范围为1GHz-4GHz
>增益平坦度小于2dB的频率范围为1.5GHz-3.8GHz
>高OIP3:工作频段内OIP3=+35dBm@2600MHz
>芯片工作电流从 30mA 到100mA可调，典型工作电流75mA
>芯片采用单电源供电，集成使能控制电路
>宽的工作电压:3V-5V
>内部集成温度和工艺稳定的有源偏置
>采用DFN2×2mm封装
芯片描述
芯片管脚描述
额定最大值
热力学参数
典型性能参数
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