【产品】-20V/-3A P沟道增强型功率MOSFET RM2301，采用SOT-23封装

时间： 2019-11-03 来源：丽正国际

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丽正国际推出的RM2301是一款P沟道增强型功率MOSFET，该器件采用先进的沟槽技术，可提供出色的R_DS（ON）性能以及极低的栅极电荷，并且可以在低至2.5V的栅极电压下工作，适合用于负载开关或PWM应用。在环境温度为25°C时，RM2301可承受的漏源电压最大额定值为-20V，栅源电压最大额定值为±12V，可承受的漏极连续电流最大额定值为-3A，工作结温和储存温度范围为-55~150℃，结到环境的热阻为125℃/W。RM2301采用SOT-23封装，其产品图如图1所示。

图1 RM2301产品图

RM2301产品特性

·V_DS= -20V,I_D = -3A

R_DS(ON) < 140mΩ @ V_GS=-2.5V

R_DS(ON) < 110mΩ @ V_GS=-4.5V

·高功率和大电流处理能力

·无铅产品

·表面贴装

·不含卤素

RM2301应用领域

·PWM应用

·负载开关

·电源管理

RM2301订购信息

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