【产品】20V/60A的N沟道增强型场效应晶体管YJD60N02A，采用沟槽功率低压MOSFET技术
扬杰科技推出的N沟道增强型场效应晶体管YJD60N02A，采用TO-252封装。采用沟槽功率低压MOSFET技术、低RDS(ON)的高密度单元设计及良好的散热封装，可用于大电流负载应用、负荷开关、硬开关和高频电路、不间断电源等领域。
产品图和内部电路图
产品特征
l 漏源电压最大额定值为20V
l 栅源电压最大额定值为±10V
l 漏极电流（TC= 25℃）可达60A
l 脉冲漏极电流最大额定值210A
l 雪崩能量最大值为195mJ
l 总功率耗散最大值为35W（TC= 25℃）
l 静态漏源导通电阻不超过6mΩ（VGS=4.5V,ID=20A）
静态漏源导通电阻不超过8.8mΩ（VGS=2.5V, ID=15A)
静态漏源导通电阻不超过14mΩ（VGS=1.8V, ID=10A）
l 结温和存储温度范围均为-55~+175℃
l 结壳热阻最大额定值为4.3℃/W
l 通过100%▽VDS 测试
l 通过100%UIS 测试
l 沟槽功率低压MOSFET技术
l 低RDS(ON)的高密度单元设计
l 良好的散热封装
应用领域
大电流负载应用
负荷开关
硬开关和高频电路
不间断电源
订购信息
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本文由董慧翻译自扬杰科技，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
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dylen Lv7. 资深专家 2020-12-28学习 -
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夏拉 Lv7. 资深专家 2020-12-28学习 -
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好运常伴吾 Lv8. 研究员 2020-12-28学习
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