【产品】20V/60A的N沟道增强型场效应晶体管YJD60N02A,采用沟槽功率低压MOSFET技术

2020-12-28 扬杰科技
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扬杰科技推出的N沟道增强型场效应晶体管YJD60N02A,采用TO-252封装。采用沟槽功率低压MOSFET技术、低RDS(ON)的高密度单元设计及良好的散热封装,可用于大电流负载应用、负荷开关、硬开关和高频电路、不间断电源等领域。

 

产品图和内部电路图 

产品特征

l  漏源电压最大额定值为20V

l  栅源电压最大额定值为±10V

l  漏极电流(TC= 25℃)可达60A

l  脉冲漏极电流最大额定值210A

l  雪崩能量最大值为195mJ

l  总功率耗散最大值为35W(TC= 25℃)

l  静态漏源导通电阻不超过6mΩ(VGS=4.5V,ID=20A)

   静态漏源导通电阻不超过8.8mΩ(VGS=2.5V, ID=15A)

   静态漏源导通电阻不超过14mΩ(VGS=1.8V, ID=10A)

l  结温和存储温度范围均为-55~+175℃

l  结壳热阻最大额定值为4.3℃/W

l  通过100%▽VDS 测试

l  通过100%UIS 测试

l  沟槽功率低压MOSFET技术

l  低RDS(ON)的高密度单元设计

l  良好的散热封装

 

应用领域

大电流负载应用

负荷开关

硬开关和高频电路

不间断电源

 

订购信息

授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道:世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
概念,方案,设计,选型,BOM优化,FAE技术支持,样品,加工定制,测试,量产供应服务提供:世强硬创平台www.sekorm.com
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  • dylen Lv7. 资深专家 2020-12-28
    学习
  • 夏拉 Lv7. 资深专家 2020-12-28
    学习
  • 好运常伴吾 Lv8. 研究员 2020-12-28
    学习
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