【产品】20V/60A的N沟道增强型场效应晶体管YJD60N02A，采用沟槽功率低压MOSFET技术
扬杰科技推出的N沟道增强型场效应晶体管YJD60N02A，采用TO-252封装。采用沟槽功率低压MOSFET技术、低RDS(ON)的高密度单元设计及良好的散热封装，可用于大电流负载应用、负荷开关、硬开关和高频电路、不间断电源等领域。
产品图和内部电路图
产品特征
l 漏源电压最大额定值为20V
l 栅源电压最大额定值为±10V
l 漏极电流（TC= 25℃）可达60A
l 脉冲漏极电流最大额定值210A
l 雪崩能量最大值为195mJ
l 总功率耗散最大值为35W（TC= 25℃）
l 静态漏源导通电阻不超过6mΩ（VGS=4.5V,ID=20A）
静态漏源导通电阻不超过8.8mΩ（VGS=2.5V, ID=15A)
静态漏源导通电阻不超过14mΩ（VGS=1.8V, ID=10A）
l 结温和存储温度范围均为-55~+175℃
l 结壳热阻最大额定值为4.3℃/W
l 通过100%▽VDS 测试
l 通过100%UIS 测试
l 沟槽功率低压MOSFET技术
l 低RDS(ON)的高密度单元设计
l 良好的散热封装
应用领域
大电流负载应用
负荷开关
硬开关和高频电路
不间断电源
订购信息
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 3
本文由董慧翻译自扬杰科技，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
评论
全部评论（3）
-
![]()
![]()
dylen Lv7. 资深专家 2020-12-28学习 -
![]()
![]()
夏拉 Lv7. 资深专家 2020-12-28学习 -
![]()
![]()
好运常伴吾 Lv8. 研究员 2020-12-28学习
相关推荐
【产品】60V/5A的N沟道增强型场效应晶体管YJS05N06A，采用沟槽功率低压MOSFET技术
扬杰科技推出的N沟道增强型场效应晶体管YJS05N06A，SOP-8封装。采用沟槽栅低压功率MOSFET技术和低RDS(ON)的高密度单元设计，可用于高速开关。
【新产品】PDFN 5X6封装的N沟道增强型场效应晶体管YJG40G10A
YJG40G10A为扬杰科技推出的N通道增强型场效应晶体管，非常适用于电源开关应用、硬开关和高频电路和不间断电源供应等相关领域。采用SGT MOSFET技术设计，漏源电压为100V，漏电流为40A（@TC=25°C）。采用高密度单元设计，具有较低RDS（ON）。
【产品】漏源电压100V，漏极电流45A的N沟道增强型场效应管YJD45G10A，采用TO-252封装
扬杰科技推出N沟道增强型场效应晶体管YJD45G10A，采用TO-252封装，漏源电压最大额定值为100V，栅源电压最大额定值为±20V。在Tc= 25℃条件下，器件的漏极电流最大额定值可达45A，脉冲漏极电流最大额定值180A。总耗散功率最大额定值仅为72W，主要用于电源开关应用、硬开关和高频电路及不间断电源等领域。
扬杰科技MOSFET选型表
扬杰科技提供MOSFET产品，漏源电压VDSS(V)：-100V~900V，漏极电流ID(A)：-115~300，耗散功率PD(W)：-0.83W~375W；
|
产品型号
|
品类
|
Package
|
Status
|
ESD
|
Configuration
|
Type
|
VDSS(V)
|
ID(A)
|
PD(W)
|
VGS(V)
|
Tj(℃）
|
Vth_Typ(V)
|
Rdson@VGS10V_TYP(mΩ)
|
Rdson@VGS10V_Max(mΩ)
|
Rdson@VGS4.5V_TYP(mΩ)
|
Rdson@VGS4.5V_Max(mΩ)
|
Ciss_Typ(pF)
|
Coss_Typ(pF)
|
Crss_Typ(pF)
|
Qg_Typ(nC)
|
Grade
|
|
2N7002
|
MOSFET
|
SOT-23
|
Active
|
No
|
Single
|
N
|
60
|
0.34
|
0.35
|
±20
|
150
|
1.5
|
1200
|
2500
|
1300
|
3000
|
27.5
|
2.75
|
1.9
|
1.6
|
Standard
|
选型表 - 扬杰科技 立即选型
【产品】60V/3A的N沟道增强型场效应晶体管YJL03N06B，采用沟槽功率低压MOSFET技术
扬杰科技推出的N沟道增强型场效应晶体管YJL03N06B，采用SOT-23封装，漏源电压最大额定值为60V，栅源电压最大额定值为±16V。采用沟槽栅低压功率MOSFET技术和低RDS(ON)的高密度单元设计，可高速开关，产品可用于电池保护、负荷开关、电源管理等领域。
电子商城
现货市场
服务
提供CE测试服务，通过晶体回路匹配分析，给出测试报告。支持EPSON所有MHz无源晶体、32.768KHz晶体。支持到场/视频直播测试，资深专家全程指导。
实验室地址： 深圳/上海 提交需求>
测试范围：扬兴晶振全系列晶体，通过对晶体回路匹配分析，调整频率、驱动功率和起振能力，解决频偏、不起振、干扰、频率错误等问题。技术专家免费分析，测完如有问题，会进一步晶振烧录/修改电路。
实验室地址： 深圳 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论