【产品】28A/100V的商业级双N沟道功率MOSFET DI028N10PQ2， 漏源导通电阻典型值低至15mΩ
DIOTEC（德欧泰克）推出型号为DI028N10PQ2的双N沟道功率MOSFET，器件采用QFN5x6-2封装，具有低导通电阻和开关速度快的特点。电气参数方面，漏源电压为100V（VGS=0V），持续栅源电压为±20V，耗散功率为32.7W（TC=25℃），允许通过的漏极持续电流为28A（TC=25℃ ），漏极峰值电流为130A，工作结温和存储温度范围-55~+150℃，产品适用于DC/DC转换器，电源，直流驱动器，同步整流器，商业级应用等领域。
图1. 产品外形、尺寸及内部结构图
主要特征
双N沟道MOSFET
薄型封装，可节省空间
低导通电阻
开关速度快
低栅极电荷
高雪崩能量
符合RoHS、REACH标准，以及Conflict Minerals（冲突矿产）的管理规定
典型应用
DC/DC转换器
电源
直流驱动器
同步整流器
商业级应用
机械参数
编带和卷盘包装：5000/13”
重量约0.1 g
外壳材料的阻燃等级：UL 94V-0
焊接和装配条件：260℃/10s，MSL（湿度敏感等级）=1
最大额定值
电气特性
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UT6K30是ROHM公司推出的一款具有低导通电阻和小型表面贴装封装的双N沟道功率MOSFET。这款产品采用无铅电镀，符合RoHS标准，低功耗、开关性能较好，适用于开关类应用和DC/DC转换器。
DIOTEC MOSFETs选型表
DIOTEC提供以下参数选型： Drain Source Voltage VDS[V]:-100~700、Drain Current ID[A]：-70~280、Junction Temperature Tjmax[℃]：150~175、Power Dissipation Ptot [W]：0.2~425、Peak Drain Current IDM [A]：-350~1200、Threshold Voltage VGSth[V]：-4~4.2、On-Resistance RDSon[Ω]：0.0013~15、On-Resistance ID[A]:-30~100、On-Resistance VGS[V]：-10~10、Turn-OnTime ton[ns]：3~1206、Turn-Off Time toff[ns]：7~991
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产品型号
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品类
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Type
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Package
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Drain Source Voltage VDS[V]
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Drain Current ID[A]
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Junction Temperature Tjmax[℃]
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Polarity pol
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Power Dissipation Ptot [W]
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Peak Drain Current IDM [A]
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Threshold Voltage VGSth[V]
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On-Resistance RDSon[Ω]
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On-Resistance ID[A]
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On-Resistance VGS[V]
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Turn-OnTime ton[ns]
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Turn-Off Time toff[ns]
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2N7000
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MOSFETs
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Wire-lead
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TO-92
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60
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0.2
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150
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N
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0.35
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0.5
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0.8
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5
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1
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10
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10
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10
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选型表 - DIOTEC 立即选型
ZMD68403S双N沟道功率MOSFET
描述- 该资料介绍了ZMJ半导体公司的ZMD68403S双通道N沟道功率MOSFET。这款器件采用先进的深沟槽技术，具有极低的导通电阻，适用于笔记本计算机、便携式设备和电池供电系统的电源管理。
型号- ZMD68403S
DI038N04PQ2双通道N沟道功率MOSFET
描述- 该资料介绍了DI038N04PQ2型双通道功率MOSFET的特性，包括静态和动态特性、热特性、尺寸和封装信息。产品适用于直流转换器、电机驱动、同步整流器和商业工业级应用。
型号- DI038N04PQ2-AQ,DI038N04PQ2
JMSL1040AUD 100V 31mΩ双N沟道功率MOSFET
描述- 本资料介绍了JMSL1040AUD这款100V 31mΩ双通道功率MOSFET的特性。该器件具有低栅极电荷、经过100% UIS和Rg测试，符合无铅和无卤素标准。适用于计算设备、通信设备和电源管理等领域。
型号- JMSL1040AUD,JMSL1040AUD-13
ZMD68305M双N沟道功率MOSFET
描述- 该资料介绍了ZMJ半导体公司的ZMD68305M双通道功率MOSFET。这款器件采用先进的沟槽技术，具有极低的RDS(ON)，适用于笔记本电脑、便携式设备和电池供电系统中的电源管理。
型号- ZMD68305M
DI048N04PQ2双通道N沟道功率MOSFET
描述- 本资料介绍了DI048N04PQ2双通道功率MOSFET的特性、规格和应用。该器件具有低导通电阻、快速开关时间和低栅极电荷等特点，适用于直流转换器、电源供应、直流驱动器和同步整流器等领域。
型号- DI048N04PQ2,DI048N04PQ2-AQ
ZMD68605N双N沟道功率MOSFET
描述- 该资料介绍了ZMJ半导体公司的ZMD68605N双通道功率MOSFET。这款器件采用先进的沟槽技术，具有极低的RDS(ON)，适用于直流/直流和交流/直流转换器中的同步整流以及工业和电机驱动应用。
型号- ZMD68605N
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型号- JMSL0620AGDE-13,JMSL0620AGDE
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型号- DI052N04PQ2,DI052N04PQ2-AQ
ZMD68405M双N沟道功率MOSFET
描述- 该资料介绍了ZMJ半导体公司的ZMD68405M双通道功率MOSFET。这款器件结合了先进的沟槽技术，提供极低的RDS(ON)，适用于笔记本电脑、便携式设备和电池供电系统中的电源管理。
型号- ZMD68405M
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描述- 本资料介绍了DI035N06PQ2双通道功率MOSFET的特性，包括其静态和动态特性、热特性、尺寸和封装信息。该器件适用于直流转换器、直流驱动器和同步整流器等领域。
型号- DI035N06PQ2,DI035N06PQ2-AQ
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描述- 本资料介绍了DI016N06PQ2双通道功率MOSFET的特性，包括静态和动态特性、热特性、尺寸数据等。该器件适用于直流/直流转换器、直流驱动器和同步整流器等领域。
型号- DI016N06PQ2,DI016N06PQ2-AQ
DI028N10PQ2双通道N沟道功率MOSFET
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型号- DI028N10PQ2,DI028N10PQ2-AQ
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服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
可定制波导隔离器频率覆盖5.5GHz~110GHz，插损损低至0.25dB、隔离度、正向方向功率、封装尺寸参数。
最小起订量： 1pcs 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
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