【产品】峰值脉冲电流高达17A的单线双向超低电容TVS二极管SEH0501D5,电容典型值为0.6pF
萨瑞微电子推出一款单线双向超低电容TVS二极管SEH0501D5,其采用萨瑞微Punch-Through工艺技术设计,用于保护电压敏感元器件免受ESD影响。器件出色的钳位能力、低漏电流和快速响应特性为ESD防护设计提供一流的性能。小尺寸封装,使其非常适用于手机、MP3播放器、数码相机和许多其他板间受限的便携式应用。
由于其又具有低电容特性,因此器件又适用于高频应用设计,如高速USB2.0、超高速USB3.0、VGA、DVI、HDMI、eSATA和其他高速线路传输应用。另外,器件可专门设计用于保护连接到数据线和传输线的敏感组件,以防止ESD(静电放电)和EFT(电快速瞬变)引起的过电压损害。
TA=25℃、RH=45%-75%时,器件峰值脉冲功率为350W(tp=8/20μs,波形),峰值脉冲电流高达17A(tp=8/20μs,波形),在VR=0V,f=1MHz条件下,其结电容典型值为0.6pF,最大值为0.9pF;反向漏电流最大值低至0.5µA(VRWM=5.0V),器件符合IEC61000-4-2(ESD)标准,工作温度范围为-55℃至125℃,存储温度范围宽至-55℃至150℃,器件引脚配置如下图所示:
产品特点
超低电容:典型值为0.6pF
3.0GHz时无插入损耗
工作电压:5V
低钳位电压
2-pin脚无引线封装
符合以下标准:
IEC 61000-4-2(ESD)抗扰度试验:
空气放电:±15kV
接触放电:±15kV
IEC61000-4-5(EFT)4A(5/50ns)
符合RoHS标准
机械特性
器件封装:SOD-523
引脚处理:雾锡
外壳材料:绿色环保塑封
可燃性分类等级:UL 94V-0
湿度敏感度:3级(J-STD-020标准)
产品应用
高速数据线路:USB1.0/2.0/3.0/3.1,VGA,DVI,SDI
高清多媒体接口(HDMI1.3/1.4/2.0)
串行和并行端口
笔记本电脑、台式机、服务器
外围设备
手机及其配件
便携式仪器
最大额定参数(TA=25℃,RH=45%-75%,除非另有说明)
电气特性(除非另有说明,TA=25℃)
产品订购信息
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浅谈USB2.0的电压和电流
USB有一个很好的特性,就是USB设备可以从USB总线上取得电源,这也是USB充电的基础。USB2.0规范中定义的供电电压范围为4.4V到5.25V,更大供电电流为500mA。从电源角度可以将USB设备分为自供电和总线供电两种设备类型,自供电USB设备不需要使用USB主机或集线器的电源,自身有电源供应;总线供电指USB设备的电源来自US 电缆中VBUS线。
萨瑞微电子(SALLTECH)ESD保护器件选型表
描述- 公司成立于2014年,总部位于江西南昌赣江新区,在上海成立研发中心,在深圳成立销售中心,在南昌建立了35000平米制造基地,现设有年产100万片4寸/5寸/6寸晶圆生产事业部以及年产300亿只集成封装生产线。主营产品包括分电源管理芯片、MOSFET、LDO、OVP、锂电保护IC、标准器件、电路保护器件。
型号- SEN1821D3,SEU0524PC,SEN0501D3,SEN0501D5,SEN1201P1,SEN1201P0,SES2411P6,SES2411P1,SEN1531D5,SEN3321P1,SEL0521D5,SES2411P4,SES2011P4D,SEN0522P1,SEN0512S2,SEN0512S4,SEU0501P0,SEL1211S2,SEU0501P1,SES0521P1,SEN0512S9,SEN0731D5,SEN0802S2,SEN3612S2,SEU0512P1S,SES0701P1,SEN2411P1,SEN2411P0,SES4521D3,SEH0532P1,SEP3011P6,SEU3301P1,SEU3301P0,SEL0532S2,SEN3301D5,SEN0551D5,SEN3611P1,SEN3301D3,SEH0511D5,SEL3314P8,SES0501D3,SEN3312S2,SES0501D5,SEU1511D5,SEP1011P6,SEN1231D5,SEN3601D3,SEN2401P0,SES2011P1,SEP4511P6,SES4511D3,SEP0501P6,SES2011P4,SEU3324PC,SEH0801D3,SEU3311P1,SES3301D5,SEN0701P1,SEN0701P0,SES3031P4,SEN2401P1,SEN2414S2,SES2631P4,SES1011D3,SEN0502S2,SEN2402S2,SEN1551P1,SES0511P1,SEH2401P6,SES0511P4,SEU2401P0,SEU2401P1,SEN0812S2,SEN1212S2,SES0521D3,SM3612S2,SEL0502P1,SEU0501D5,SES1511P4,SES1511P6,SEP0711P6,SEH1201D3,SEN0501P0,SEL3301P1,SEN1211P6,SEN1211P1,SEN1811D5,SEU1501D5,SEP4831PD,SEU1512SD,SEN4501D5,SEN3611D5,SEN3302S2,SEP4551P1,SEN3611D3,SEU0511P1,SES0531P1,SEH0511P0,SEN1531P1,SEN2001D1,SEH1501P6,SEL0514S5,SEN0711P6,SEL0514S2,SEL0501P0,SEL0501P1,SEH3301D3,SEN0811D3,SEL0541D5,SEN3301D5-1,SEN3301P0,SEN0811D5,SEH0512S4,SEN2412S2,SEH0801P6,SEN0515S3,SEN0502P1,SEH0512S2,SEU1511P1,SEU0521P0,SEU0518PB,SEH0501D3,SEN2401D3,SEN0531D5,SEP2011P6,SES0511D3,SEN1202S2,SEH0512S9,SEU1211D5,SEP4501P4,SEP4501P6,SEU3324PCS,SEN0701D5,SES1011P4,SEN2401D5,SPH0603H30,SEH0504S6,SEN1211D3,SES1511D3,SEU1201D5,SEN2432S2,SEU0521P1S,SEN1211D5,SEN2011D1,SEN4501P1,SES0711D3,SEP2411P6,SES0531D3,SEN1512S2,SEL0502S4,SES3011P4,SEU0501P1-C,SEP1211P6,SEH3301P6,SEN1811P1,SEN1501D5,SEN1501D3,SEH0503S1,SEU1501P1,SEN1811P6,SEN2411D3,SEN1221P1,SEN2411D5,SEU0504PC,SEN2701D3,SES2431P4,SEN1511D3,SES1211D3,SEH1501D3,SEL0501D3,SM712,SEU2411D3,SEU2411D5,SEH0514S3,SEN0532S4,SEN0532S9,SEN1801P1,SEL0501D5,SEH0501P1,SES0541P1,SEH0501P0,SEN1511D5,SEN0711D5,SEN1801P6,SEL3321P1,SEN0711D3,SEU1211P1,SEU1211P0,SES1811P4,SES4501P4,SEU3304PC,SEL0524S2,SEN1521P1,SES4501P1,SEH0501P6,SEL3301D3,SEN2431P1,SEN1201D5,SEN1802S2,SEN1201D3,SEU3312P1S,SES0711P4,SEU1201P1,SEU1201P0,SES0711P1,SEN2431D3,SEN1502S2,SEH1521D3,SEH3321D3,SES3311P1,SEL2501P1,SEP2411D1,SES3311P4,SES2411D5,SEL4501P6,SES2411D1,SEU3301P0-C,SEU3304PCS,SES2411D3,SEH2422S2,SEL0501P1-1,SEN0511D3,SEN0511D5,SEN1501P1,SES3011D3,SEL0201P0,SEN3301DBH,SEN0522S4,SEN1221D5,SEN0522S9,SEL2011P6,SEL0521P1,SEL0511S2,SEN1511P6,SES4511P4G,SES4511P4,SEN1511P1,SEH2401D3,SEH3301D3-1,SEU0501P0-C,SEN2501P1S,SEN0521P1,SES0501P0,SES0501P1,SEN3311D5,SEN1511PM,SEN3601P1,SEU2411P0,SES1211P4,SEU2411P1,SEN3311D3,SEN1831D3,SEN1231P1,SPH0603H24,SEL0541D5-1,SEP3311P6,SEH1201P6,SEH0516S8,SEP4531P1,SEU2401D3,SEH1201P1,SEU2401D5,SES3301P1,SES4501D3,SEP0511P6,SES4501D5,SEN3602S2
萨瑞微电子2023年专利介绍:一种Trench MOS器件及其制备方法
本发明涉及半导体电子器件领域,具体为一种Trench MOS器件及其制备方法。针对现有技术中沉积金属前注入与阱区掺杂离子同类导致BV下降的问题,本发明提出一种新制备方法,包括在P型外延衬底上刻蚀沟槽、沉积介质层、生长多晶硅栅极、进行N型和P型掺杂形成阱区和源极、在凹槽内先后进行P型和N型离子注入并沉积金属。该方法通过先注入P型离子抑制N型离子扩散,使阱区平滑,抑制BV下降,提高了器件性能。
【技术】USB2.0的驱动特性
USB的硬件信号都是由USB的物理层来处理的,USB 2.0的物理层收发器包括一个接收器和一个发送器,由于USB规范的向下兼容性要求,USB 2.0的物理发送器同时包括一个全/低速驱动器和一个支持高速传输的电流驱动器。接收器同样包括一个支持全/低速的差分接收器和两个单端的接收器,还包括一个支持高速传输的差分接收器和高速设备连接断开接测器。
萨瑞微电子MOS选型表
N型或P型低Rds(ON)阻抗选择,开关电压转换低功耗,符合 IPC/JEDEC J-STD-033C MSD Level 3,UL 易燃性等级 94V-0,Leadless Chip设计降低了结电容,6针或8针选择适合多功能产品应用,表贴封装,先进的沟槽电池设计,极低的阈值电压,ESD保护,低 RDS(ON) 和 FOM,具备优异的稳定性和均匀性。
产品型号
|
品类
|
封装
|
Type
|
Vds(V)
|
Vgs(V)
|
Rds(on) Vgs=10V Typ(mΩ)
|
Rds(on) Vgs=10V Max(mΩ)
|
Rds(on) Vgs=4.5V Typ(mΩ)
|
Rds(on) Vgs=4.5V Max(mΩ)
|
VGS(th) Min(V)
|
VGS(th) Max(V)
|
ID (A)
|
PD (W)
|
ESD
|
Dynamic.Ciss(pf)
|
Dynamic.Coss(pf)
|
Dynamic.Crss(pf)
|
Dynamic.Rg(Ω)
|
Marking
|
SR3406
|
MOSFET
|
SOT23
|
SN
|
30
|
20
|
65
|
82
|
75
|
95
|
1
|
3
|
3.6
|
1.25
|
No
|
288
|
57
|
39
|
3
|
R6
|
选型表 - 萨瑞微电子 立即选型
江西萨瑞微电子携多款保护器件、二三极管亮相2024深圳国际电子展,圆满落幕
2024年8月27日至29日,江西萨瑞微电子参加了在深圳会展中心举办的2024深圳国际电子展。此次参展,萨瑞微电子以其创新的技术、优质的产品和专业的团队,吸引了众多业内人士和观众的目光,展位现场人头攒动,交流热烈,圆满完成了此次展会任务。
萨瑞微电子ESD保护器件选型表
萨瑞微提供的ESD保护器件(ESD Diode),先进的单片硅技术,保护电压敏感的数据和电源线;符合IEC-6100-4-2 4级ESD标准(±30kV空气和±30kV接触)放电电压;符合IPC/JEDEC J-STD-033C MSD 3级标准;超小尺寸DFN封装;主要应用于手机和配件、个人数字助理、笔记本和手持设备、便携式仪器、数码相机、外围设备、音频播放器、键盘、侧键、LCD显示器等。
产品型号
|
品类
|
极性
|
Max Reverse Working Voltage VRWM(V)
|
Junction Capacitance Cj(pF)
|
Peak Pulse Current IPP@8/20uS(A)
|
Min Breakdown Voltage VBR(V)
|
Max Breakdown Voltage(V)
|
Max Leakage Current IR@VRWM(uA)
|
Max Clamping Voltage VC@lpp1A 8/20uS(V)
|
Max Clamping Voltage Vc@Ipp=Max Clamping Voltage(V)
|
Max Peak Pulse Power PPP(W)
|
Marking
|
SEL0201P0
|
ESD Diode
|
双向
|
2.5
|
20
|
8
|
3.1
|
4.5
|
0.2
|
4.2
|
7
|
55
|
C02
|
选型表 - 萨瑞微电子 立即选型
萨瑞微电子(SALLTECH)MOS选型表
描述- 公司成立于2014年,总部位于江西南昌赣江新区,在上海成立研发中心,在深圳成立销售中心,在南昌建立了35000平米制造基地,现设有年产100万片4寸/5寸/6寸晶圆生产事业部以及年产300亿只集成封装生产线。主营产品包括分电源管理芯片、MOSFET、LDO、OVP、锂电保护IC、标准器件、电路保护器件。
型号- SR2300K,SR150PE2PH,SR2300B,SR3139KDS6,SR3139KDS3,SR2N7002KDS3,SR250P03,SR3134KPD,SR2301DSC,SR340N06,SR2SK3018,SR46N06T5,SR2SK3019,SR270P03T4,SR3437KS3,SR4449T4,SR100N02P4K,SR2N7002KS4,SR3437KS6,SR2N7002KS9,SR150PE2P4,SR2399,SR3134KS9,SG70N12PS,SR32D040,SR4449SC,SR2310B,SR200P02SA,SR85P03T4,SR43N03PS,SR3134KSD,SG28N06T6,SR4449S2,SR300C03SC,SR400N10T4,SR43N03PH,SR2N7002KP1,SR400N10T5,SR4449S8,SR3134KS4,SR3134KS2,SR140P03PH,SR500N02SD,SR100A02P4K,SR80N02,SR2N10,SR3139KSD,SR520P06PH,SR2N7002DS3,SR420P03P4,SR3139KS2,SR180P06PS,SR3139KS9,SR3139KS4,SR360C03SC,SR01P10,SR190N03PH,SR170N02S8K,SR19N03T6,SRN30P03Q,SR150N01P4,SR2N7002SD,SR2305B,SR2305A,SG45N04PS,SR75P03PH,SR138KSD,SR2K4N02KS4,SR3137KS9,SR2N7002S4,SR57P03PS,SR84K,SR25N04PS,SR11NE4PS,SR2N7002S9,SG45N04PH,SR3137KSD,SR900N10,SG22N10T6,SR380N02P4,SR90P06T6,SR57P03PH,SR3137KS2,SR3137KS4,SG27N10T6,SG27N10T5,SR2310,SG150N15T4,SR4008SC,SG150N15T7,SR3160KDS3,SR170N02P4K,SG45N04T4,SR66N08T5,SG27NE8T66,SR66N08T6,SR550P02,SR2309,SR24N03T5,SR115P03PS,SR850N06P4,SR118N02SCK,SR2307,SR2306,SR2301,SR4953DS8,SR1211,SR2300,SR2303,SR3415K,SG26N03PS,SR2302,SR66N08T4,SR3408SD,SG70N12T5,SR350N04,SR360C03P4,SC350N1K2TA,SR43N03T4,SR900N10PH,SR57P03T4,SR123K,SR4406S8,SR4007SC,SR25N04T6,SR2SK3541,SR27N03T4,SR2301SD,SR25N04T4,SR25N04T5,SR30N03T4,SR54N03PS,SR850P02P1,SR54N03PH,SG46N10T6,SR320A03P4,SG46N10T5,SR3415,SR2323,SR37K,SR130A02P4K,SR29N03T5,SR3160KS9,SR2321,SR3137KDS3,SR3137KDS6,SR29N03T4,SR3005DSC,SR35N03PH,SR116A02SC,SG45NE8PS,SR98P03PH,SR123KP1,SR3161KP1,SR35N03PS,SR3408,SR170A02P4K,SR61N03T4,SR98P03PS,SR3404,SR3407,SR230N06T4,SR3406,SG22N10T66,SR2312,SR3401,SR112N06S8,SR33N04PH,SR3400,SR2311,SR3402,SR4407S8,SR900N10T4,SR3004DSC,SR210P06T5,SR210P06T4,SG80N06PH,SR210P06T6,SR3160KP1,SR127P03PH,SG9NE4PS,SR39K,SR145N10T4,SR98P03T4,SR112N06T5,SR112N06T6,SR112N06T4,SR2302S4,SR270N03P4,SR130A06PS,SG22N10TL,SR42N04SF,SR30N03PS,SR2N7002,SG150N15PS,SG27NE8T5,SG27NE8T6,SR2305K,SR250P03P4,SR39N03PH,SR3161KDS3,SG46N10PS,SR180P03S8,SR3439KS3,SR3439KS6,SR42N04T4,SR2333,SR750N03SD,SR3415KSC,SR29N03PS,SRS2D040,SR42N04PH,SR100N02P4,SR2N7002K,SR400N15S8,SG45NE8T6,SG45NE8T5,SG45NE8T4,SR61N03PH,SR150P02S8,SR35N03T4,SR450N10T4,SR42N04PS,SG25N06T5,SR650N10T4,SR56N04PS,SR750P06SF,SR61N03PS,SG23N10T6,SR84KSD,SR27N03PH,SR138K,SR3161K,SR70N06T4,SR250P06T4,SR150PE2,SR200P02,SG39N10T6,SR63N06PS,SG39N10T5,SR27N03PS,SR100N03T4,SR360N03P4,SR280P02P4K,SR84,SR3N40SFK,SR150PE2T4,SR112N06PH,SR100A03S8,SR57N03PS,SR2N7002KSD,SR95N03PH,SR260C04PS,SR100N03P4,SR8205DSC,SR3160K,SR3415SC,SR116N02P4,SR138KDS3,SR53P02PH,SR180P06T4,SR3134KDS6,SR3134KDS3,SR700P02SJ,SR100N03PH,SR2314P4,SR200P02P4,SP13KN60SF,SR100N03PS,SR40N03T4,SR4449DS8,SR380P02SCK,SR490P06PS,SR23H1,SR520P06T4,SR127P03T4,SR123KDSC,SR140P03T4,SR230A06P4,SR34K,SR320N03S8,SR50N04T4,SR112N06PS
USB2.0通信协议概述
USB2.0通信协议是一个主从关系的协议, 多个USB设备通过USB总线及集线器(Hub)连接到一个USB主机上,形成个星状网络。在这个网络中,USB主机管理和配置接入的每一个设备,从逻辑层面来说,每个加入的USB设备(除集线器外)都只能看到USB2.0主机,其他的设备都不可见,所以相互之间不能直接通信。
沁恒USB2.0高速通讯+USB2.0百兆网卡拓展+USB PD快充三合一方案简介
Type-C PD快充+HUB+网卡方案实现USB2.0高速端口扩展与百兆以太网接口拓展,支持Type-C PD充电。该方案主要包含工业级USB2.0高速4端口HUB CH334、USB网卡芯片CH397和PD芯片CH227,外围精简。USB2.0高速通讯+USB2.0百兆网卡拓展+USB PD快充三合一。
江西萨瑞微电子邀您共聚深圳国际电子展
江西萨瑞微电子诚邀您参加2024年8月27日至29日在深圳会展中心(福田)举办的深圳国际电子展,展位号1J07。将展示保护器件、二三极管、MOSFET、模拟IC等产品,应用于消费电子、通信等领域。期待与您共探技术发展与合作机会。
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可定制OGS一片式电容屏,G+G电容屏,G+F电容屏,G+F+F电容屏,尺寸范围:1”~21”,单层产品厚度:0.55mm~2mm,可按客户要求在产品上附加防反射,防指纹,多色丝印,钻孔磨边,2.5D导圆角等工艺。
最小起订量: 1000 提交需求>
可定制B-Flon极细同轴线导体规格:AWG36~48,特性阻抗:50±5Ω,工作温度:-40~90℃,静电容量:105-120PF/m,减衰量:10MHZ:0.5-2.6db/m;100MHZ:1.6-4.2db/m,阻燃UL:VW-1规格。
最小起订量: 50000m 提交需求>
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