【IC】 UMS新开发运行频率7.9~11GHz的两级高功率放大器CHA8612-QDB，提供15W饱和输出功率
UMS开发了一种在7.9和11GHz之间运行的两级高功率放大器。CHA8612-QDB通常提供15W的饱和输出功率和37%的功率附加效率。小信号增益超过25dB。此外，建议采用标准表面贴装封装。整体供电为30V/680mA（静态电流）。该电路设计用于军事、商业通信系统。
它是在坚固的0.25μm栅极长度GaN on SiC HEMT工艺上开发的，将提供标准表面贴装46引脚QFN7x7（封装），符合法规，特别是指令RoHS N°2011/65和REACh N°1907/2006。
电气特性（脉冲模式）
Tamb.=+25°C，Vd=+30V，Idq=680mA。 脉冲宽度=25μs，占空比=10%。
这些值代表QFN参考计划中的测量值
推荐工作范围( 1 , 2)
Tamb . = + 25℃
(1) 电气性能是针对指定的测试条件定义的
(2) 不保证所有推荐的工作条件下的电气性能
绝对最大额定值 (3)
Tamb.= +25°C
(3) 在这些参数的任何一个以上运行该设备可能会造成永久性损坏。
典型偏置条件
Tamb . = + 25℃
“上电”顺序
1.偏置Vg处的HPA栅极电压接近Vpinch-off（例如：Vg ≈-5V）。
2. 施加Vd偏置电压（示例：Vd = 30V）。
3. 将Vgs增加到静态偏置漏极电流Ids0（施加在栅极上的680mA）。
4. 施加射频信号。
“断电”顺序
1. 关闭射频信号。
2. 偏置Vg处的HPA栅极电压接近Vpinch-off（示例：Vg ≈ -5V）
3. 将Vd设置为0V。
4. 关闭Vd电源。
5. 关闭Vg电源。
器件热性能
本节中给出的所有数据都是假设QFN器件仅通过封装散热焊盘的传导冷却（未考虑对流模式）获得的。温度在封装背面接口（Tcase） 处监控。系统最高温度必须进行调整以保证Tjunction保持在绝对最大额定值表中指定的最大值以下。因此，系统PCB的设计必须符合此要求。
(1)假设85℃ Tcase
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