【产品】40V/40A双N沟道功率MOSFET RUH40D40M，可用于DC-DC转换器和锂电池保护等应用

时间： 2022-04-22 来源：锐骏半导体

技术问答

锐骏半导体推出的双N沟道功率MOSFET RUH40D40M，漏源电压40V，持续漏极电流为40A（Tc=25℃，V_GS=10V），具有超低导通电阻和开关速度快等特性，R_DS（ON）=6.5mΩ（典型值）@V_GS=10V，R_DS（ON）=8mΩ（典型值）@V_GS=4.5V。它采用PDFN5060封装形式，可应用于DC-DC转换器和锂电池保护等应用中。

图1 RUH40D40M的实物图、封装形式和电路结构示意图

特性：

40V/40A
R_DS（ON）=6.5mΩ（典型值）@V_GS=10V
R_DS（ON）=8mΩ（典型值）@V_GS=4.5V
超低导通电阻
开关速度快
提供无铅绿色器件（符合RoHS标准）

应用：

DC-DC转换器

锂电池保护

RUH40D40M的最大额定值参数（Tc=25℃）：

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