【产品】40V/40A双N沟道功率MOSFET RUH40D40M，可用于DC-DC转换器和锂电池保护等应用
锐骏半导体推出的双N沟道功率MOSFET RUH40D40M，漏源电压40V，持续漏极电流为40A（Tc=25℃，VGS=10V），具有超低导通电阻和开关速度快等特性，RDS（ON）=6.5mΩ（典型值）@VGS=10V，RDS（ON）=8mΩ（典型值）@VGS=4.5V。它采用PDFN5060封装形式，可应用于DC-DC转换器和锂电池保护等应用中。
图1 RUH40D40M的实物图、封装形式和电路结构示意图
特性：
40V/40A
RDS（ON）=6.5mΩ（典型值）@VGS=10V
RDS（ON）=8mΩ（典型值）@VGS=4.5V
超低导通电阻
开关速度快
提供无铅绿色器件（符合RoHS标准）
应用：
DC-DC转换器
锂电池保护
RUH40D40M的最大额定值参数（Tc=25℃）：
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