【选型】提高AC/DC转换器效率的二次侧同步整流电路设计之分流稳压器电路部分外围电路部件的选型

时间： 2020-02-20 来源：ROHM

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本文是ROHM系列文章“提高AC/DC转换器效率的二次侧同步整流电路设计”中的其中一篇，主要将介绍“分流稳压器电路部分的外围部件”选型。

本文稍微会涉及到一些同步整流电路部分的内容，因此下方附上电源IC BM1R00147F的结构框图。

分流稳压器电路部分的外围部件

下图是BM1R00147F的内部分流稳压器部分的电路图和所需的外围部件。

首先来计算设置输出电压VOUT的电阻RFB1和RFB2。内置分流稳压器为CMOS结构，因此无需确保用于内部运算放大器工作的输入（SH_IN）偏置电流。所以，RFB1和RFB2可由较高的阻值构成，通过将流过电阻RFB1和RFB2的IFB设置为最低，可减少待机功耗。

如果阻抗过高，则可能产生对噪声敏感等不稳定问题，考虑到稳定运行而选用使IFB达到10µA左右的RFB1和RFB2。内置分流稳压器的基准电压VREF=0.8V（Typ），VOUT由以下公式来决定。

在本设计案例中，VOUT为5V，RFB1、RFB2可通过以下公式求得。

从公式中可以看出，为了在VOU=5V条件下实现IFB=10µA，设RFB1和RFB2的和为500kΩ，求出RFB1和RFB2的比率使得分压点（SH_IN）的电压达到0.8V即可。

接着来确定CFB1和CFB2。CFB1是相位补偿用的电容器，选用1000pF左右。CFB2是SH_IN引脚噪声消除用的电容器，大致在100～470pF左右即可。在本设计案例中选用220pF。

可通过对光电耦合器PC1施加偏置的电阻RSH1来调整输出负载响应。将RSH1调小可使输出负载响应变快，从而抑制输出电压的负载波动。然而，提高负载响应速度与稳定性之间存在权衡关系，因此需要进行充分的验证。在本设计案例中为510Ω。

电阻RSH2用来设置内置分流稳压器的电路电流。当SH_IN=Low时，SH_OUT引脚电流的最大值ISH_OUT_max为75µA。所以，光电耦合器PC1的Vf最小值Vf_min和RSH2的关系需要满足以下公式。

当光电耦合器PC1的Vf_min=1.1V时，通过以下公式计算出RSH2在14.7kΩ以下。

在本设计案例中，考虑到余量最终选用12kΩ。

关键要点:

・通过BM1R00147F的分流稳压器电路部分的外围部件设置来设置输出电压。

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maomao Lv8. 研究员 2020-02-20

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2024-09-15 - 技术探讨代理服务技术支持采购服务

【经验】提高AC/DC转换器效率的二次侧同步整流电路设计之同步整流用MOSFET的选型

本文是以ROHM BM1R001xxF系列电源IC为核心进行二次侧同步整流电路设计系列文档中的一篇，主要对取代二极管的的MOSFET进行选型。先选择取代二次侧整流二极管DOUT的同步整流用MOSFET M2。为了进行替换，需要先确认现有电路中的电流、电压和波形等，然后选择适合的MOSFET。还需要考虑到Ron（导通电阻）带来的损耗、封装的最大容许损耗PD等因素。

2020-01-30 - 设计经验代理服务技术支持采购服务

ROHM小型高性能硅电容器BTD1RVFL，实现0402业界超小尺寸，助力智能手机等产品的小型化

近年来，随着智能手机等设备的功能增加和性能提升，对小型、薄型且支持高密度安装的电容器的需求日益增加。特别是采用薄膜半导体技术的硅电容器，因其与多层陶瓷电容器（MLCC）相比具有厚度更薄、电容量更大，温度特性更优异、即使在高温环境下也不容易发生电容量变化等优点，因此预计未来需求仍将保持强劲态势。在这种背景下，ROHM利用多年来积累的硅半导体加工技术优势，开发出小型高性能硅电容器“BTD1RVFL”

2024-09-13 - 产品代理服务技术支持采购服务