【产品】N沟道超结功率MOSFET RM18N200TI(T2)(HD)，具有低栅极电荷和低导通电阻的优点

时间： 2019-11-17 来源：丽正国际

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N沟道超结功率MOSFET,RM18N200TI,RM18N200HD,RM18N200T2

丽正国际推出的RM18N200HD、RM18N200T2、RM18N200TI系列是N沟道超结功率MOSFET，该系列器件采用先进的超级结技术和设计，具有低栅极电荷和低R_DS（ON）的优点，符合行业对PFC、AC / DC转换器和工业电源应用的AC-DC SMPS要求。在T_C=25°C时，该系列MOSFET漏源电压最大额定值为200V，栅源电压最大额定值为±20V，连续漏极电流最大额定值为18.2A，工作结温和储存温度范围为-55~170℃，结到环境的热阻为65℃/W。其封装类型有三种，分别是TO-263，TO-220和TO-220F，如图1所示。

图1 产品封装图

产品特性

•V_DS =200V , I_D =18A

V_GS =10V , R_DS(on)<120mΩ

V_GS=4.5V, R_DS(on)<140mΩ

•用于高压设备的新技术

•低导通电阻和低传导损耗

•小封装

•超低栅极电荷，驱动要求低

•经过100％雪崩测试

•符合ROHS

•无卤素

应用领域

•功率因数校正（PFC）

•开关电源（SMPS）

•不间断电源（UPS）

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