【产品】N沟道超结功率MOSFET RM18N200TI(T2)(HD)，具有低栅极电荷和低导通电阻的优点
丽正国际推出的RM18N200HD、RM18N200T2、RM18N200TI系列是N沟道超结功率MOSFET，该系列器件采用先进的超级结技术和设计，具有低栅极电荷和低RDS（ON）的优点，符合行业对PFC、AC / DC转换器和工业电源应用的AC-DC SMPS要求。在TC=25°C时，该系列MOSFET漏源电压最大额定值为200V，栅源电压最大额定值为±20V，连续漏极电流最大额定值为18.2A，工作结温和储存温度范围为-55~170℃，结到环境的热阻为65℃/W。其封装类型有三种，分别是TO-263，TO-220和TO-220F，如图1所示。
图1 产品封装图
产品特性
•VDS =200V , ID =18A
VGS =10V , RDS(on)<120mΩ
VGS=4.5V, RDS(on)<140mΩ
•用于高压设备的新技术
•低导通电阻和低传导损耗
•小封装
•超低栅极电荷，驱动要求低
•经过100％雪崩测试
•符合ROHS
•无卤素
应用领域
•功率因数校正（PFC）
•开关电源（SMPS）
•不间断电源（UPS）
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