【产品】N沟道功率MOSFET BLM08N06L采用先进沟槽技术，漏源导通电阻＜8.0mΩ（VGS=10V）
BLM08N06L是上海贝岭推出的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的沟槽技术，提供优良的漏源导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。该器件有广泛的应用领域，适用于电源开关应用、硬开关和高频电路、以及不间断电源。
产品外观和原理示意图
产品主要特点：
漏源电压VDS=60V，连续漏极电流ID=80A（TO-220/252），ID=12A（SOP-8）；
漏源导通电阻RDS(ON)<8.0mΩ（VGS=10V）（TO-220/252），RDS(ON)<10mΩ（VGS=10V）（SOP-8）
采用特殊的工艺技术，ESD耐受能力高
超低导通电阻的高密度单元设计
可充分界定雪崩电压和电流
好的稳定性和均匀性，EAS高
良好的散热封装
100% UIS测试
100% DVDS测试
产品应用：
电源开关应用
硬开关和高频电路
不间断电源
绝对最大额定值参数（TA=25℃，除非另有说明）：
电气特性（TA=25℃，除非另有说明）：
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