【产品】30V/7.2A N沟道增强型MOSFET PJW8N03
PANJIT（强茂）推出了PJW8N03为N沟道增强型MOSFET。采用SOT-223封装，其中漏-源电压最大额定值为30V，连续漏极电流在25℃时最大额定值为7.2A。
图1 封装图
PJW8N03特性：
RDS(ON), VGS@10V, ID@5.6A<38mΩ
RDS(ON), VGS@4.5V, ID@3.5A<55mΩ
先进的沟槽技术
专为开关负载、PWM应用等设计
符合AEC-Q101标准
无铅，符合欧盟RoHS 2.0标准
绿色环保塑封，符合IEC61249标准
PJW8N03最大额定值和热特性：
PJW8N03电气特性：
PJW8N03机械参数：
外壳：SOT-223封装
端子：可焊性均符合MIL-STD-750标准（方法2026）
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沧桑岁月 Lv8. 研究员 2019-09-20学习了
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