【产品】525V/5A的车规级N沟道功率MOSFET R5205PND3FRA，AEC-Q101认证
ROHM推出的低导通电阻、快速开关速度的车规级N沟道功率MOSFET R5205PND3FRA，AEC-Q101认证，采用无铅电镀，符合RoHS标准，采用TO-252封装，封装尺寸较小。主要应用于开关电源应用。
图1 R5205PND3FRA的产品图
电气特性方面，关于R5205PND3FRA的最大额定值，漏源电压为525V，栅源电压为±30V。连续漏极电流和脉冲漏极电流分别为±5A/±20A。耗散功率为65W（Tc=25℃）。产品具有宽温度范围，结温为150℃，工作结温和存储温度范围为-55℃~150℃。该产品的结壳热阻最大为1.91℃/W，散热性能较好。
R5205PND3FRA的特点：
低导通电阻
快速开关速度
驱动电路简单
无铅电镀，符合RoHS标准
AEC-Q101认证
R5205PND3FRA的应用：
开关电源
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 1
本文由一号演员翻译自ROHM，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
相关推荐
【产品】1200V/43A车规级N沟道碳化硅功率MOSFET SCT4036KEHR，耗散功率可达176W
罗姆推出的SCT4036KEHR是一款车规级N沟道碳化硅功率MOSFET。该器件无铅电镀，符合AEC-Q101和RoHS标准。在绝对最大额定值方面，其漏源电压为1200V，脉冲漏极电流为84A，等效结温为175℃，存储温度范围为-40℃~+175℃。
【产品】800V/7A的车规级N沟道功率MOSFET R8007AND3FRA，采用TO-252封装
ROHM推出的R8007AND3FRA是漏源电压为800V，连续漏极电流为±7A的N沟道功率MOSFET 。该产品采用TO-252封装，符合AEC-Q101标准，适用于开关电源应用。
【产品】ROHM新推的N沟道SiC功率MOSFET SCT2160KEHR，导通电阻仅为160mΩ
ROHM新推出的N沟道SiC功率MOSFET-SCT2160KEHR，符合AEC-Q101标准的车规级产品；其漏源电压为1200V，漏极电流达22A，导通电阻仅为160mΩ（典型值）；具有耐压高、低导通电阻、开关速度快等特点。
【产品】车规级N沟道碳化硅功率MOSFET SCT4026DEHR，漏源电压最大值为750V
SCT4026DEHR是罗姆推出的一款车规级N沟道碳化硅功率MOSFET；无铅电镀，符合AEC-Q101和RoHS标准。在绝对最大额定值 (Tc=25°C)方面，其漏源电压为750V，脉冲漏极电流为91A（PW≤10μs，占空比≤1%）。
【产品】车规级N沟道碳化硅功率MOSFET SCT4062KRHR，耗散功率为115W
罗姆（ROHM）推出的SCT4062KRHR是一款车规级N沟道碳化硅功率MOSFET，具有导通电阻低、开关速度快、反向恢复快等特点；采用TO-247-4L封装，无铅电镀，符合RoHS标准，可用于汽车、开关电源领域
【产品】开关速度快的车规级N沟道碳化硅功率MOSFET SCT4026DW7HR，符合RoHS标准
SCT4026DW7HR是罗姆（ROHM）推出的一款车规级N沟道碳化硅功率MOSFET。该器件无铅电镀，符合AEC-Q101和RoHS标准；在绝对最大额定值 (Tc=25℃)方面，其漏源电压为750V，脉冲漏极电流为91A。
【产品】车规级N沟道SiC功率MOSFET SCT4036KW7HR，导通电阻低且开关速度快
罗姆（ROHM）推出的SCT4036KW7HR是一款车规级N沟道SiC功率MOSFET；无铅电镀，符合AEC-Q101和RoHS标准；采用TO-263-7L封装，可用于汽车、开关电源领域；漏源电压绝对最大额定值为1200V。
【产品】ROHM车规级N沟道碳化硅功率MOSFET SCT4062KW7HR，漏源电压为1200V
ROHM推出的SCT4062KW7HR是一款车规级N沟道碳化硅功率MOSFET，该器件无铅电镀，符合AEC-Q101和RoHS标准。在绝对最大额定值 (Tc=25°C)方面，其漏源电压为1200V。
【产品】1200V/26A车规级N沟道碳化硅功率MOSFET，静态漏源导通电阻典型值低至62mΩ
SCT4062KEHR是ROHM推出的一款车规级N沟道碳化硅功率MOSFET，采用TO-247N封装，通过AEC-Q101认证。该产品漏源电压1200V，静态漏源导通电阻典型值低至62mΩ，连续漏极电流26A，耗散功率115W，最高结温可至175℃。
【产品】750V/34A 车规级N沟道SiC功率MOSFET SCT4045DRHR，静态漏源导通电阻典型值仅45mΩ
ROHM（罗姆）半导体集团是全球最知名的半导体厂商之一,其推出的SCT4045DRHR是一款汽车级N沟道SiC功率MOSFET，该器件具有导通电阻低、开关速度快等特点，采用TO-247-4L封装，无铅电镀，符合RoHS标准，可用于汽车、开关电源领域。
【产品】车规级N沟道碳化硅功率MOSFET SCT4045DEHR，静态漏源导通电阻典型值仅45mΩ
罗姆（ROHM）半导体集团是全球最知名的半导体厂商之一，其推出的SCT4045DEHR是一款车规级N沟道碳化硅功率MOSFET，该器件无铅电镀，符合AEC-Q101和RoHS标准。在绝对最大额定值 (Tc=25°C)方面，其漏源电压为750V。
【产品】车规级N沟道SiC功率MOSFET SCT2280KEHR，漏源导通电阻典型值为280mΩ
ROHM旗下的SCT2280KEHR是一款符合AEC-Q101认证的车规级N沟道SiC功率MOSFET，具有低导通电阻和开关速度快等特性。其漏源电压为1200V，连续漏极电流为14A（TC=25℃），耗散功率为108W（TC=25℃）。
【产品】ROHM新推的N沟道SiC功率MOSFET SCT2450KEHR，导通电阻仅450mΩ
ROHM旗下的N沟道SiC功率MOSFET-SCT2450KEHR，采用TO-247N封装，符合AEC-Q101标准的车规级产品；其漏源电压为1200V，漏极电流达10A，导通电阻仅为450mΩ（典型值）；具有耐压高、低导通电阻、开关速度快等特点。
R5205PND3FRA N沟道525V 5A功率MOSFET数据表
本资料为ROHM公司生产的R5205PND3FRA型号N沟道MOSFET的数据手册。该器件具有低导通电阻、快速开关速度等特点，适用于各种电源转换应用。
ROHM - NCH 525V 5A POWER MOSFET,N沟道525V 5A功率MOSFET,R5205PND3FRA,R5205PND3,开关电源供电,SWITCHING POWER SUPPLY
电子商城
现货市场
服务
可定制车规级电感的电流范围0.3~17.9A，尺寸最小1x0.55x0.5mm到最大12.5x12.5x6mm，工作频率100KHz~2MHz，感值范围：0.47uH~4.7mH。符合IATF16949和AECQ-200。SPQ为5K。
提交需求>
可定制变压器电压最高4.5KV，高频30MHz；支持平面变压器、平板变压器、OBC变压器、DCDC变压器、PLC信号变压器、3D电源、电流变压器、反激变压器、直流直流变压器、车载充电器变压器、门极驱动变压器等产品定制。
最小起订量： 100000 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论