【应用】SiC-MOSFET应用实例分享：移相DC/DC转换器和脉冲电源

时间： 2018-12-10 来源：ROHM

技术问答

本章将介绍部分ROHM推出的SiC-MOSFET的应用实例。其中也包括一些以前的信息和原型级别的内容，总之希望通过这些介绍能帮助大家认识采用SiC-MOSFET的好处以及可实现的新功能。通过SiC-MOSFET的应用实例，思考SiC-MOSFET的有效性。

SiC-MOSFET应用实例1：移相DC/DC转换器

下面是演示机，是与功率Power Assist Technology Ltd.联合制作的。

全桥式逆变器部分使用了3种晶体管（Si IGBT、第二代SiC-MOSFET、第三代沟槽结构SiC-MOSFET），组成相同尺寸的移相DCDC转换器，就是用来比较各产品效率的演示机。

首先，在SiC-MOSFET的组成中，发挥了开关性能的优势实现了Si IGBT很难实现的100kHz高频工作和功率提升。另外，第二代（2G）SiC-MOSFET中，由2个晶体管并联组成了1个开关，但由于第三代（3G）SiC-MOSFET导通电阻更低，晶体管数得以从8个减少到4个。关于效率，采用第三代（3G）SiC-MOSFET时的结果最理想，无论哪种SiC-MOSFET的效率均超过Si IGBT。

SiC-MOSFET应用实例2：脉冲电源

脉冲电源是在短时间内瞬时供电的系统，应用例有气体激光器、加速器、X射线、等离子电源等。作为现有的解决方案有晶闸管等真空管和Si开关，但市场需要更高耐压更高速的开关。针对这种市场需求，利用SiC的高耐压和高速性能，实现了超高电压高速开关。从高速性的角度看这是Si IGBT很难实现的。下例是与福岛SiC应用技研株式会社、株式会社京都New-Tronics、国立研究开发法人科学技术振兴机构合作开发，在CEATEC 2014、TECHNO-FRONTIER2015展出的产品。

超高压脉冲电源

特征：

・超高耐压伪N通道
SiC MOSFET
・低导通电阻
（以往产品的1/100以下）
・高重复频率

应用例子：

・荷电粒子加速器
・医疗用设备电源
・等离子发生器等

・1～10kV随机脉冲发生器：13.2kV SiC开关

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 0
| 转发至：

本文由LEA酱的一生转载自ROHM，原文标题为:所谓SiC-MOSFET－SiC-MOSFET的应用实例，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。

全部评论（0）

暂无评论

【成功案例】为图瑞Formula E车队赛车逆变器搭载ROHM全SiC功率模块，开关损耗降低了75%

ROHM为文图瑞车队提供将SiC-MOSFET和SiC-SBD模块化的全SiC功率模块，与搭载SiC-SBD的第3赛季逆变器相比，实现了30%的小型化与4kg的轻量化，与未使用SiC功率元器件的第2赛季逆变器相比，实现了43%的小型化和6kg的轻量化。

应用方案发布时间 : 2018-09-13

【应用】使用SiC-MOSFET的隔离型准谐振转换器的设计案例——设计案例电路

本文主要介绍基于AC/DC转换器控制IC“BD7682FJ-LB”设计的24V/1A隔离型准谐振转换器的设计案例电路。转换电路采用准谐振方式，是利用变压器一次绕组的电感和谐振电容器的电压谐振的自激式反激转换器，通常损耗和噪声可以比PWM反激式转换器降得更低。

应用方案发布时间 : 2019-04-28

电动游艇——零排放水上运动，电机驱动由SiC-MOSFET DIF120SIC022-AQ提供动力

DIOTEC的SiC-MOSFET DIF120SIC022-AQ是高效船形驱动逆变器的完美器件。它在100℃的外壳温度下提供1200V的漏源电压和85A的连续漏电流。它采用4脚TO-247封装，配备开尔文源（Kelvin）触点。这使得可以实现高速开关，减少功率损耗和有高可靠运行。它非常适合用于电动游艇的高压电池，现在正被海军部门采用。

应用方案发布时间 : 2024-07-06

SiC-MOSFET和Si-MOSFET、IGBT的区别

功率转换电路中的晶体管的作用非常重要，为进一步实现低损耗与应用尺寸小型化，一直在进行各种改良。SiC功率元器件半导体的优势如：低损耗、高速开关、高温工作等，显而易见这些优势是非常有用的。本文介绍SiC-MOSFET和Si-MOSFET、IGBT的的区别。

技术探讨发布时间 : 2023-10-20

【经验】SiC-MOSFET与IGBT的区别

本章将针对ROHM推出的SiC-MOSFET与IGBT的区别进行介绍。SiC-MOSFET在Vd-Id特性方面，导通电阻特性的变化呈直线型，因此在低电流范围优于IGBT。SiC-MOSFET的开关损耗大大低于IGBT。

设计经验发布时间 : 2018-12-24

晶体管的种类和特征

晶体管是现代电子技术的核心元件，具有广泛的应用方向和重要作用。为了帮助各位工程师更深入全面地了解晶体管，本文概述了晶体管类型及其特征。

技术探讨发布时间 : 2024-09-19

Evaluation Board for E/G-type Full SiC Module with 2nd Generation SiC-MOSFET User’s Guide

型号- RB168VAM150TR,LTR18EZPFLR470,MCR01MZPF2202,MCR01MZPF2201,MCR01MZPF2002,NON-C1005,MCR01MZPF6801,BD71L4LG-1GTR,MCR01MZPF4700,MCR01MZPF6800,NON-C2012,MCR01MZPF4701,MCR01MZPF4702,MCR01MZPF6802,2SCR572D3TL1,BSMXXXD12P2GXXX,BSMXXXC12P2EXXX,NFM18CC223R1C3D,MCR01MZPF1000,UMK212B7105KGHT,EMZ6.8NTL,NON-C1608,NON-BSM300,MCR01MZPF1502,UMK105CH101JVHF,BSM180C12P2E202,TFZVTR30B,EMK212BBJ106KGHT,RHU003N03FRAT106,MCR01MZPF3600,UMJ316BC7475KLHTE,LTR18EZPF68R0,MCR03EZPJ000,MCR03EZPFX4702,EMK212AB7475KGHT,3408-6002LCPL,BM60054AFV-CE2,BSM400D12P2G003,BU4S11G2-TR,MCR01MZPF2701,RF071MM2STR,UMK107B7102KAHT,MCR03EZPFX1003,2SAR572D3TL1,MCR03EZPFL3R90,BSM300D12P2E001,NON-LTR18,UMK105B7104KVHF,BU4S81G2-TR,BSMXXXC12P2GXXX,BD450M2EFJ-CE2,BSMXXXD12P2EXXX,S-19110PABH-M6T1U4,MCR01MZPF5101,MCR03EZPFX3301,MCR01MZPJ000,MCR03EZPFX1000,NON-MCR10,BSMGD2G12D24-EVK001,RFN1LAM7STR,MCR01MZPF3902,MCR01MZPF1003,RB160MM-40TR,MCR01MZPF1001,BU7261SG-TR,MCR01MZPF5602,BD7F200EFJ-LBE2,TFZVTR12B,MCR10EZPF6801,LTR18EZPF2701,RB160VAM-60TR,MCR10EZPF4701,MCR01MZPF3901,MCR01MZPF1801,HFTR4CA,TFZVTR6.2B,GMK107AB7105KAHT,BSM180D12P2E002,S-19700A00A-E8T1U4,MCR01MZPF10R0,TMK107B7474KAHT,NON-MCR03,NON-MCR01

用户指南 - ROHM - Rev.002 - SEP.2019 PDF 英文下载