【产品】中微半导体全新CSP封装MOSFET，满足锂电池高可靠与高耐受要求

时间： 2022-04-08 来源：中微半导体

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MOSFET,CMS2D1B012CSPA,CMS5D5B012CSPA,CMS5B5D012CSPB

中微半导体基于自主研发专利推出全新CSP封装MOSFET产品，新器件主要针对单节锂电池保护应用开发设计，适用于手机、平板电脑、可穿戴设备等，满足锂电池高可靠与高耐受要求。

全新CSP封装MOSFET产品是中微半导独有专利芯片结构设计，综合性能远超传统Trench VDMOS，拥有体积小、散热性好、电性连接寄生参数小等特点，12V系列产品内阻1.8mΩ-10mΩ多种等级，满足常见单节锂电池充放电管理需求。

除优化器件结构降低产品的导通内阻之外，中微半导深入研究CSP系列产品在各种恶劣环境中的应用。对于锂电保护系统在开关过程中由于回路中电感的存在，极端情况下可能出现的器件过电压应力问题，以及防止电池产品接口误操作导致的系统过电流异常等问题，中微半导CSP系列产品均有针对性的器件设计与检测，其雪崩耐压能力、短路耐受能力及驱动级信号可控性，经过重复测试与验证，可大大降低异常情况下器件失效率概率。

针对芯片在组装加工过程中易受外界机械应力影响出现暗裂甚至破碎的情况，中微半导自主研发小型化CSP封装产品进行基础结构优化，芯片厚度较传统产品的约100um提升到300um，大幅提升耐受机械压力。

典型单节锂电保护应用原理图如下所示：

选型及特性

覆盖范围广：中微CSP系列产品提供1.8-10mΩ产品供客户选择可支持充放电电流从1A-5A应用，器件温升低于20℃；
机械强度高：提升CSP器件机械应力的承受能力，降低生产要求耐受的机械压力>60N，较传统产品提升200%；
保障安全性好：降低器件发热，保障电池续航与可靠性多次重复测试，验证短路时耐受能力；
器件可靠性高：提升雪崩耐压能力，降低器件失效率

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丝雨 Lv8. 研究员 2022-04-21

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颓废的高贵 Lv7. 资深专家 2022-04-21

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阿尼古 Lv8. 研究员 2022-04-21

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叶子41535136 Lv4. 资深工程师 2022-04-20

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马小马儿 Lv5. 技术专家 2022-04-19

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finemems Lv7. 资深专家 2022-04-18

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AI时代 Lv7. 资深专家 2022-04-15

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kit Lv7. 资深专家 2022-04-15

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小小马2020 Lv6. 高级专家 2022-04-13

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101 Lv4. 资深工程师 2022-04-13

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2022-12-01 - 新产品代理服务技术支持采购服务

应能微 MOSFET/TVS/电源管理芯片(PMIC)选型指南

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型号- AU1271P6,AU4581D3,APC2801 SERIES,ASM12,SLVU2.8-4,CM2302B,CM2302A,CMN3002TF5,AU4581D3H,SMF15A,AU0571P1A,AR0544P5LV,AU2424P5LV,AU1281D1F,AU0521D5,CM65R400XF,AU1221P1,CM60N10AGB,AR0511P1LV,CM2301B,CM2301A,AU2481D1F-T,AU2421P1,AU4891P1,SMCJ50CA,AU0591P1,CM2312J,AR0552S2,CMN6002GF5,AU2471D1F-T,CM20N65TP,AR0524P5,APO3605A,SMAJ15CA,SMAJ26A,AU0771P6,AU0541P1,AU0541P0,AR3341P0SC,APO2003F,CM1602A,AR0502S2,APO2003H,AR0502S1,AR6051P1,APO2003D,AU0581D3,ASD05,APO3105A,CMN1002PGLA,AR0502S5,ASD12CL,SMAJ26CA,SMAJ15A,APC2801,CM20N65TF,AU056P1,AU1501P4-3,CM4N65BTF,AR2411P1,AU0501P4-3,CM4N65BTP,AR0508PBA,AU1271D3,AU1201P4-3,CMN4002F5,AU0521P0,CM180N10AGB,CM80N10GF5,CM2305TW,CM5N65TF,CM5N65TP,CMN3003GF5,AR3324P5,AU0581P1A,AR1811P1A,CMN3004AF5,AU0521P4-3,AU0561D5,SMBJ15CA,AR0524P5B,AR0541P0S,CM7N65TP,AR3621P0,AR3621P1,AU0581P1H,AR0524P5L,AU1811P1,AR3621P6,CM65R550D,CM65R550F,CM7N65TF,APO3605,AR1811P0A,AR0541P1,CMN6004GLA,CM3401P,AU0521PZ,AU0701P4-3,AR1821P1,SMBJ26CA,CM65R550FF,ASD05C,APL0501A,APL0501B,AU0781D1F,AU0581P6,SMBJ26A,SRV05-4L,AU0581P1,AU1571P6,CM65R550FP,AR3311D3U,AU2804S8,CMN301R5F5,AR0504S2L,AR0504S2,AR0504S2A,ASRV05-4,SMBJ15A,AU0701P1,ASM24CLV,AR0521P0LV,ASM05C,AR0504P3,AU4501P4-3L,CMN3013F3D,AR5051P1,CM2302BH,AU0571D1F,CMN1003GXP,CM80N10LGF5,AU0791P1,CM65R310XF,AU0561P0,AU0561P1,CMP3007F5,CM3400,AR2421P1,AU0771D3,AR2421P0,APL0501 SERIES,AU0761D1F-T,CM65R310XP,CMP3007F3,AR0521D5,AU0511P0,AU0521M1,AU0591P1A,CM180N10GP,CM3407,AU0971P6,S4MF7.0CA,AST24CL,AU6351P1,CM65R550P,AU0771D1F,CM65R550U,AR0511D3,CM2N7002D,CM10N65TF,SMF15CA,CMBSS138,CM65R030FZ,CM4407,AU1571D3,CM10N65TP,AR0541P1SC,CMN6003GLA,ASM24CH,AU0581D3H,ASD05CL,AR3304P5,ASM24CL,AU4581P6H,CM65R640XP,AU3321P0,SMF7.0CA,AU2461D1F-T,APL0501,AR1521P1,AU3321P1,AR0521P1,CMN3010F3,CM65R640XF,CM1601A,AR0521P0,CM65R180F8,AU4501P4-3,AU4581P6,AU1271D1F,AU4581P1,CM60R030FZ,CM3134AK,AR0502S1A,CM65R175P,AU4571D3,CM1662,AR0541P0SC,AR0506PAL,SRV05-4,ASM24C,APO2003,APC2801A,AR3382P6L,APC2801B,SMF7.0A,CM175N10GLB,ASM12H,CM3400NJ,APO3605 SERIES,AU0561M1,AU2401P4-3F,AU2401P4-3D,APO2003 SERIES,CM1623T,AR3311D3,AU1261D1F-T,CM3134BT,AU0721P1,CMN3006F3,AU0721P0,AR1211D3,AR6061P1,CM15N10U,AU4521P4-3,CMN3003TF5,AR3311P0LV,CM65R400XP,AU2401P4-3,AU4581P1H,S4MF7.0A,ASR05,AU0721PZ,AU3361P0,ASM712H,AR3321P0,AR0511P0LV,AR3321P1,SMDJ50CA,AU0701P4-3F,AR3304P5J,AU0781P1,AR1255P4,CM12N65TP,AR0521P1LV,ASM712,AU3361P1,CM12N65TF

2023/10/27 - 应能微 - 选型指南代理服务技术支持采购服务

锐骏半导体（Ruichips）应用于充电器的MOSFET选型指南

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2022/2/23 - 锐骏半导体 - 选型指南代理服务技术支持采购服务

手机、手表和无线耳机的无线充电，由德欧泰克MOSFET DI048N04PT供电，导通电阻＜7.5mΩ

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2024-07-31 - 应用方案代理服务技术支持采购服务

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2024-07-12 - 器件选型代理服务技术支持采购服务

【选型】可用于无线充电器的MOSFET选型推荐

无线充电器主要是指手机无线充电器，无线充电器是利用电磁感应原理进行充电的设备，本文主要介绍无线充电器的工作方式、工作原理、电路分析及锐骏半导体的MOSFET推荐。

2022-03-03 - 器件选型代理服务技术支持采购服务

方舟微助力实现电子设备待机零功耗，为手机、家电及电子产品带来巨大节能效果，提升能源利用效率

目前各大PD电源管理芯片均有低待机功耗解决方案，但搭配ARK（方舟微）产品DMZ6005E（ARK（方舟微）公司DMMOS®系列产品之一，耗尽型MOSFET，也简称为DFET）还可进一步降低待机功耗。

2023-11-13 - 应用方案代理服务技术支持采购服务

中微半导体MOS选型表

中微半导体提供以下MOSFET参数选型，VDS：12V-40V，ID(25℃) ：3A-200A，VGSth：0.6V-1.5V。

产品型号	品类	封装形式	VDS (V)	ID(25℃) (A)	RDSON@VGS=4.5V Typ.(mΩ)	RDSON@VGS=3.8V Typ.(mΩ)	VGSth(V)	Polarity	VGS (±V)
CMS1D8B012CSPA	MOS	CSP	12V	16A	1.8mΩ	2.2mΩ	0.6V	N+N	8±V