【产品】N沟道增强型MOSFET CJAC50SN03适用于高效快速开关，雪崩和换相模式下可承受高能量脉冲

时间： 2023-07-13 来源：长晶科技

技术问答

长晶科技N沟道增强型功率场效应晶体管CJAC50SN03采用了SGT技术，该先进的技术专门用于最小化导通状态电阻，提供卓越的开关性能，并在雪崩和换相模式下承受高能量脉冲，使得该器件非常适用于高效快速开关应用中。

产品特点

电池转换开关
负载开关
高密度电池设计满足超低 RDS(ON)
优化散热性能的封装

应用领域

网络
负载开关
LED

电气参数

注释：

1.仅受允许的最高温度限制T_C=25℃。

2.脉冲宽度≤10μs, 占空比≤1%.

3.雪崩能量条件: V_DD=15V,V_GS=10V, L=0.5mH, R_g=25Ω 初始T_J = 25°℃.

4.脉冲测试: 脉冲宽度≤300µs, 占空比≤2%.

5.设计保证，不受生产限制。

6.R_θJA的值是在T_a=25℃，静止的空气环境中用安装在1 in 2 （1 in²）FR-4的2oz铜板上的器件测量的。

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