【产品】N沟道增强型MOSFET CJAC50SN03适用于高效快速开关，雪崩和换相模式下可承受高能量脉冲
长晶科技N沟道增强型功率场效应晶体管CJAC50SN03采用了SGT技术，该先进的技术专门用于最小化导通状态电阻，提供卓越的开关性能，并在雪崩和换相模式下承受高能量脉冲，使得该器件非常适用于高效快速开关应用中。
产品特点
电池转换开关
负载开关
高密度电池设计满足超低 RDS(ON)
优化散热性能的封装
应用领域
网络
负载开关
LED
电气参数
注释：
1.仅受允许的最高温度限制TC=25℃。
2.脉冲宽度≤10μs, 占空比≤1%.
3.雪崩能量条件: VDD=15V,VGS=10V, L=0.5mH, Rg=25Ω 初始TJ = 25°℃.
4.脉冲测试: 脉冲宽度≤300µs, 占空比≤2%.
5.设计保证，不受生产限制。
6.RθJA的值是在Ta=25℃，静止的空气环境中用安装在1 in 2 （1 in2）FR-4的2oz铜板上的器件测量的。
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