出货量已超过1.2亿颗，英诺赛科推出VGaN双向导通系列、SolidGaN合封系列等多款氮化镓芯片

随着电动车、绿色能源、全球可持续理念及国家对于低碳排放的要求，高频、高功率密度、低能耗、耐高压等优势的第三代半导体成为热点。氮化镓作为第三代半导体的明星材料，具备击穿电场强度高、耐高温、高频高效等优势，是实现“绿色能源”的核心器件。

英诺赛科是全球领先的8英寸硅基氮化镓IDM企业，拥有世界上最大的氮化镓生产基地，先进的研发与制造能力，配套全自动生产线与全流程质量管控体系。2022年，英诺赛科全面增加研发投入，打造了40V、100V及150V工艺平台，推出了多系列创新型产品，并成功量产，在终端应用中表现出色。采用英诺赛科氮化镓芯片的终端有三星，OPPO，VIVO，联想，雅迪，LG，安克，努比亚，倍思，绿联，闪极等数多家知名品牌和厂商，据消息称，当前英诺赛科出货量已经超过1.2亿颗。下面就让我们对英诺赛科全系列氮化镓芯片进行逐一介绍，方便行业伙伴了解和选购。

1、VGaN双向导通系列

INN040W048A

VGaN 系列 INN040W048A 氮化镓芯片耐压40V，导通电阻4.8mΩ，支持双向导通。采用 WLCSP2.1x2.1 封装，仅用1颗就能代替两颗硅MOSFET。该产品也是全球首款导入手机内部的GaN芯片，目前已应用于OPPO / Realme 智能手机的主板，节省手机PCBA空间，大大降低手机温度，为用户提供了更高效的快充体验。

VGaN 系列 INN040W080A 氮化镓芯片耐压40V，导通电阻8mΩ，支持双向导通。采用 WLCSP 1.7x1.7 封装，寄生参数小。可应用于高侧负载开关，智能手机USB端口中的OVP保护，多电源系统中的开关电路场景中，为系统增效。

VGaN 系列 INN040W120A 氮化镓芯片耐压40V，导通电阻12mΩ，支持双向导通，无反向恢复。采用 WLCSP 1.2x1.7 封装，寄生参数小。同样可应用于高侧负载开关，智能手机USB端口中的OVP保护，多电源系统中的开关电路场景中。

40V/8mΩ 和 40V/12mΩ 是英诺赛科VGaN系列最新发布的双向导通芯片，以不同的导通电阻，覆盖更广的功率场景，为客户设计选型提供更多参考。

2、SolidGaN合封系列

ISG 3201

SolidGaN ISG3201 是一颗耐压100V的半桥氮化镓芯片，其内部集成了2颗100V/3.2mΩ的增强型氮化镓和1颗100V半桥驱动，凭借内部集成驱动器省去了外部钳位电路，能够显著降低关联的寄生参数。ISG3201 采用 5x6.5 封装，能够有效减小PCB板面积。同时，该芯片还具有独立的高侧和低侧PWM信号输入，并支持TTL电平驱动，可由专用控制器或通用MCU进行驱动控制。

目前，英诺赛科 SolidGaN 系列产品还在进一步拓展，包括 ISG 6102，ISG 6103，ISG 6104 等，帮助终端产品提高系统的可靠性和稳定性。

3、40-150V低压GaN系列

INN150LA070A 

INN150LA070A 是一颗耐压150V，导通电阻7mΩ的氮化镓芯片。采用了 3.2x2.2 LGA封装，占板面积极小，有着零反向恢复、低栅极电荷、低导通电阻等特性，能适应-40℃~150℃的工作环镜。基于其高频、低能耗的性能优势，可广泛应用于可广泛应用于快充、适配器、Class D 功放，电机驱动，通信模块电源。

INN100W032A

INN100W032A 是一颗耐压100V，导通电阻3.2mΩ的增强型氮化镓芯片，零反向恢复电荷。采用 WLCSP 3.5x2.1 封装，体积小巧，能够极大节省占板面积。在同步整流、Class D 功放、高频 DC-DC 模块电源及电机驱动等应用场景中，能够有效地提高工作频率和效率。

INN100W070A

INN100W070A 是一颗耐压100V，导通电阻7mΩ的增强型氮化镓芯片，无反向恢复。采用 WLCSP 2.5x1.5 封装，寄生参数非常小，非常适合用在激光雷达等需要快速开关的场合，也适合应用在高功率密度的模块电源，Class D 功放，中小功率电机驱动等场合。

INN100W027A

INN100W027A 是一颗耐压100V，导通电阻2.7mΩ的增强型氮化镓芯片，连续电流64A. 脉冲电流可达320A，无反向恢复电荷。采用WLCSP 4.45x2.3 封装。该芯片是InnoGaN 100V 系列导通电阻最小的一颗，非常适合应用在高功率密度的模块电源，也适合在大功率的Class D 功放和电机驱动等场合。

INN040LA015A

INN040LA015A 是一颗耐压40V，导阻1.5mΩ的增强型氮化镓芯片，采用晶圆级 FCLGA 5x4 封装，相比传统MOS管封装体积大大缩小。具备超低的寄生电容，且无反向恢复，同时其优化的走线更加方便高频大电流布线。能够实现更高的功率密度的终端应用。

除了 FCLGA 封装，FCQFN 封装的40V产品 INN040FQ015A 和 INN040FQ043A 也已全面量产，导阻分别为1.5mΩ和4.3mΩ。

4、650-700V高压GaN系列

TOLL 封装INN650TA030AH

INN650TA030AH 是英诺赛科全新推出的采用 TOLL 封装的氮化镓芯片，耐压650V，导通电阻30 mΩ，具备超高开关频率和无反向恢复电荷等特性。适合应用在AC-DC转换器，DC-DC转换器，图腾柱PFC，快充及其他高功率密度、高效率转换器的应用。

DFN 封装INN650D080BS

基于上一代产品迭代的 INN650D080BS，采用 DFN8×8 封装，内阻仅为80mΩ，其超低的开关损耗以及零反向恢复的特性，可实现高频、小体积、高功率密度、高效率的电源转换。据悉，该产品目前在国内工业市场已大批量使用，且多项国际合作项目也在同步进行，如比利时鲁汶大学/EnergieVille 1KW 以上的400V双桥（DAB）转换器；瑞士伯尔尼高等专业学院（BFH）研究所的11KW/850V多电平转换器项目。

INN650DA240A

INN650DA240A 是一颗耐压650V，导通电阻240mΩ的高压氮化镓芯片，能够有效降低系统能耗，2nC 的栅极电荷为高频率的开关需求提供保证。采用 DFN5x6 封装，能够实现系统的小体积高效率。

该产品目前已在手机快充（安克、倍思、ASUS等），电动两轮车快充（雅迪），LED电源等诸多产品中得到应用，有效提升了终端品牌在市场上的竞争力。

650V DFN 封装的高压GaN 还包含 140mΩ/350mΩ/500mΩ/600mΩ 等产品，以 5mm×6mm 和 8mm×8mm 不同尺寸的封装满足多种方案设计所需。

INN700DC140A

INN700DC140A 是一颗耐压700V，导通电阻140mΩ的高压氮化镓芯片，采用更小尺寸的 DFN 5x6 封装，具备高开关频率、无反向恢复电荷等功能，符合JEDEC标准。在AC-DC变换器、DC-DC变换器、快速充电等应用中实现高功率密度和高效率功率转换。

与此同时，相同耐压等级的 240mΩ 和 350mΩ 产品也全面实现量产，满足终端应用对不同产品规格的需求。

TO 封装TO252 / TO220

近期，英诺赛科还也推出了耐压700V，采用 TO252 / TO220 封装的氮化镓新品，借助于 InnoGaN 平面结构的特点，TO252 封装散热PAD可连接大面积散热铜箔，TO220 封装散热片加装更加简单；相比 Si MOS，TO封装的GaN 能够使 Cpe 减小5/6，共模噪音减小5/6；同时，TO封装的驱动回路G-S与功率回路D-S天然解耦，能将layout设计达到更优。

作为第三代半导体之一的GaN，最近几年的发展中势不可挡，期待英诺赛科继续为电源市场提供更多更高效率、更低能耗、更符合市场需求的产品，推动氮化镓技术的发展和普及。