【应用】512M动态随机存取存储器助力GPON高效数据传输和大容量存储
PON 是一种点到多点结构的无源光网络,GPON(Gigabit-Capable PON) 技术是基于ITU-TG.984.x标准的最新一代吉比特无源光网络,GPON支持多种上下行速率,目前在FTTH、FTTO等领域获得了长足发展,是目前“三网合一”的最佳方案。
GPON通常由光线路终端OLT、光网络单元ONU和无源分光器POS组成。GPON支持更大的分光比和更大的带宽传输。ONU是直接面对用户接口的器件,典型的ONU结构图如下。
图1:GPON ONU的整体设计框图
GPON的传输速率高,数据量大,ONU为了防止上行数据溢出,需要FPGA外挂大容量的存储单元进行缓存。通常在ONU的系统中使用SDRAM,同时在FPGA中设计独立的SDRAM刷新控制逻辑来保证SDRAM不掉电。
ONU的数据位宽一般是16位,由于上游OLT的指定时隙功能以及高传输带宽,导致ONU的上行存储数据量较大,最大可以达到16*32Mbit容量。出于设计的需要,所有引脚与LVTTL 接口兼容,所有输入和输出都以系统时钟的上升沿为参考。
ALLIANCE AS4C32M16SA是一种4 Bank的动态随机存取存储器(SDRAM),存储容量达到4Bank x 8Mbit x 16( 512M )。AS4C32M16SA采用数据预取和同步技术,最高可以以166MHz的时钟工作频率工作, AS4C32M16SA工作时,所有的控制,地址,数据输入和输出电路均同步于外部时钟,在时钟的上升沿完成数据采样。AS4C32M16SA包括4个物理Bank,允许在4个bank中随机存储,且通过pin脚选择不同的工作bank。
鉴于AS4C32M16SA的上述特性,本设计中可以用AS4C32M16SA参与设计,具体参考电路如下:
图 2 :AS4C32M16SA的典型应用结构图
AS4C32M16SA常规参数如下:
• 数据总线宽度: 16 bit
• 组织: 32 M x 16
• 封装 / 箱体: SOP-54
• 存储容量: 512 Mbit
• 最大时钟频率: 143 MHz
• 采样:上升沿采样
• 模式:支持省电工作模式,自动预充电命令控制
• 访问时间: 5.4 ns
• 电源电压-最大: 3.6 V
• 电源电压-最小: 3 V
• 最大工作电流: 130 mA
• 工作温度: 0 °C ~70°C(工业级:-40°C ~85°C)
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本网站所有内容禁止转载,否则追究法律责任!
相关推荐
【产品】32M×16bit的高速DDR2 SDRAM内存AS4C32M16D2B, 提供工业款和商用款
AS4C32M16D2B是Alliance公司推出的一款全新产品,其全称为高速CMOS DDR2同步动态随机存取存储器(SDRAM)。该内存产品容量达到512Mb,并配置16位数据宽度的I/O接口,内部结构由4组DRAM构成。这款内存按照工作温度范围可分为商用款(AS4C32M16D2B-25BCN)和工业款(AS4C32M16D2B-25BIN)两种型号。
新产品 发布时间 : 2018-11-03
第三代高速SRAM、SDRAM,数据传输率可达1600Mb
第三代高速双倍数据率同步动态随机存取存储器—AS4C64M16D3-12BAN震撼来袭!
新产品 发布时间 : 2016-05-18
AS4C512M16D4A 512M x 16 bit DDR4 Synchronous DRAM (SDRAM)
型号- AS4C512M16D4A-62BIN,AS4C512M16D4A,AS4C512M16D4A-62BCN,AS4C 512M16D4A-62BC/INXX
低功耗SDRAM的优势及应用
ALLANCE的DDR3 SDRAM系列具有其速度快、容量大、价格便宜以及功耗低等各种优势,因此可以广泛的应用于图像处理与高速数据采集等场合。
新产品 发布时间 : 2016-04-01
【产品】1Gb高速DDR3同步同步动态随机存取存储器AS4C128M8D3B, 78-ball FBGA封装
AS4C128M8D3B是一款由美国Alliance Memory公司推出的高速DDR3同步动态随机存取存储器(SDRAM),其总容量可达1Gb,由8组DRAM内存构成,结构为16Mbit x 8 I/Os x 8组DRAM。对于一般应用,其双倍数据传输速率特性,可使数据传输速率可达到1600Mb/sec/pin。
新产品 发布时间 : 2020-03-19
【产品】8Gb高速DDR3L同步动态随机存取存储器AS4C512M16D3LB, 96-ball FBGA封装
AS4C512M16D3LB是一款由美国Alliance Memory公司推出的高速DDR3L同步动态随机存取存储器(SDRAM),其总容量可达8Gb,由8组DRAM内存构成,结构为64Mbit x 16 I/Os x 8组DRAM。对于一般应用,其双倍数据传输速率特性,可使数据传输速率可达到1600Mb/sec/pin。
新产品 发布时间 : 2020-03-20
读写速率高达1600M/s/p的DDR3,高速存储器的新选择
AS4C64M16D3-12BAN是一款存储容量为1Gb的高速动态随机存取存储器,采用双数据率架构以实现高速的数据读写操作。
新产品 发布时间 : 2016-03-14
Reliability Qualification Report for SDR SDRAM with Pb/Halogen Free (4M×32, 63nm SDRAM AS4C4M32SA-6TCN/AS4C4M32SA-7TCN)
型号- AS4C4M32SA-7TCN,AS4C4M32SA-6TCN
【产品】容量为4G的DDR3 SDRAM,数据传输快速又稳定
这两款DDR3存储器符合JEDEC要求,读写速率可达1866Mb/sec/pin。
新产品 发布时间 : 2017-06-26
电子商城
现货市场
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址: 西安 提交需求>
可定制位移传感器量程范围10~600mm,该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐,每毫米的变化量误差不超过3ue/mm,可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标:非线性<0.2%;供桥电压<10v;测试精度:0.01mm。
最小起订量: 1 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论