【产品】漏源电压100V的N沟道功率MOSFET BLM06N10，最大耗散功率为211W
BLM06N10是上海贝岭推出的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的沟槽技术和特殊工艺技术，实现了高ESD能力，导通电阻小、低栅极电荷。适用于电源开关应用、硬开关和高频电路、不间断电源。
产品外观和示意图
特点：
漏源电压VDS = 100V，连续漏极电流ID = 180A
漏源导通电阻RDS(ON) < 6mΩ （VGS=10V）
特殊工艺技术实现高ESD能力
高密度单元设计实现更低导通电阻
充分表征的雪崩电压和电流
稳定性好，均匀性好，EAS高
良好的散热封装
100% UIS测试
100% DVDS测试
应用：
电源开关应用
硬开关和高频电路
不间断电源
最大额定值参数（TA=25℃，除非另有说明）：
热特性：
电气特性（TA=25℃，除非另有说明）：
封装标记和订购信息：
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