ATP推出工业用DDR5内存模组、NVMe固态硬盘及可定制的热管理解决方案和高耐用性解决方案
2022年6月21日至23日，Embedded World2022展会在德国纽伦堡展览中心1-212号展厅召开，华腾国际（ATP Electronics）参展并亮出了其最新产品和定制化解决方案。其中包括工业用DDR5内存模组，NVMe固态硬盘（采用PCIe Gen 4.0x4通道），以及可定制的热管理解决方案和高耐用性解决方案。
DDR5、NVMe PCIe 4.0：新一代的速度、可靠性和效率
相比上代产品，DDR5内存模组在性能和可靠性上都有提升，这两点在关键的计算应用上表现得尤为突出。DDR5的速度是上一代的两倍，容量是其四倍，另外电源效率也更高。
新推出的NVMe M.2 2280模组和U.2固态硬盘都是基于100多层的3D TLC NAND闪存而搭建，拥有PCIe Gen. 4.0接口，数据传输速率从PCIe 3.0时的每通道8GT/秒提升到了每通道16GT/秒。U.2固态硬盘采用了4个PCle通道，理论上最大传输速率可达64GT/秒，而使用PCle3.0时只有32GT/秒。带宽的显著增加让数据传输速率更高，同时延迟更低。
携手共进：针对独特挑战，推出独特解决方案
通过提供能支持独特内存需要和存储需求的专业化配置，ATP完全有能力为各种嵌入式/工业级使用场景提供解决方案。为凸显这一点，ATP现展出了如下可定制的台柱式解决方案。
热管理方案
ATP为NVMe Gen. 3 M.2固态硬盘、Gen. 4 M.2固态硬盘和U.2固态硬盘提供可定制的热管理方案。这些固态硬盘都会配有ATP搭建的硬件和固件，同时兼具模拟系统和测试系统。根据客户要求和应用规范，以及主机系统内的可用空间，ATP可以提供铜箔，以及4毫米或8毫米的翅片式散热器来散热。ATP动态温度调节机制（Dynamic Thermal Throttling mechanism）是一种基于固件的机制，可通过持续检测设备温度来防止极端升温。
高耐用性解决方案
使用新的芯片封装制造的串行ATA（SATA）和NVMe固态硬盘突破了3D三阶储存单元（3D TLC）的耐用性限制。A750Pi/N750Pi系列的配置为全盘伪单级储存单元（pSLC），达到了接近SLC的水平，耐用性至少提高了50%。同时，原生TLC中的A650Si/Sc和N650Si/Sc系列固态硬盘的耐用性提高了66%，达到了接近MLC的水平。
同样，全新的e.MMC E750 Pi/Pc系列采用3D TLC NAND闪存，但配置为pSLC，可提供与SLC相当的耐用性，而采用原生TLC的E650 Si/Sc系列则具有接近MLC水平的耐用性。如果客户希望e.MMC的尺寸灵活多样，ATP提供了可定制的封装解决方案，尺寸有9x10mm和11.5x13mm等。
相关产品及解决方案的关键特性请见下表总结：
最后，安全解决方案也是Embedded World 2022的焦点。ATP推出的可定制的SecurStor microSD卡具有能提供静态数据保护的集成化功能，同时具备多种可选择的定制功能，以满足不同应用的个性化需求。SecurBoot可以确保存储系统的BIOS配置的完整性和有效性，而SecurEncrypt则利用硬件AES-256 XTS加密来保护用户数据区，这是最高级别的硬件加密，且不需要牺牲性能。
另外，ATP SecurStor microSD卡采用多级储存单元（MLC）NAND闪存，并被官方推荐为Raspberry Pi操作系统（以前是Raspbian）的启动设备。
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