【应用】GAN PA、增益放大器和环形器合体助力5G小基站，实现国产化降本

时间： 2021-09-25 来源：世强

技术问答

由于5G小基站体积小，功率高，发射通道的PA普遍采用效率更高的GAN PA，由于前期国产产品推出比较晚，市场普遍被Qorvo等国际大厂占据，时代速信推出的GHPS060010A能够很好的满足小功率小站对GAN PA的国产化降本需求。该功率放大器GHPS060010A配合国产通量科技的增益放大器 FW2106和大普通信的环形器 DP0119C，实现完整的低成本发射通道方案。

其基本链路框图如下：

在发射通道中，FW2106是增益放大，GHPS060010AT是PA，进一步放大至输出设定值，通过环形器DP0119C与天线，覆盖到终端区域。

GHPS060010AT的增益约20dB，输出P-1约40dBm，一般在5G基站设计中，需要功率回退，输出的最大功率约34dBm，在保证线性度的同事，此时的效率为约40%（如下图）。由此可见，GHPS060010AT在5G小基站上应用具有高效率、高性能特点。相对同款Qorvo产品，作为国内品牌，GHPS060010AT在价格和交期上也具备明显优势。

FW2106的增益约20dB，输出P-1约20dBm，GHPS060010AT要输出34dBm的功率，只需要FW2106输出14dBm，FW2106完全能够满足。FW2106是国产通量推出的量产产品，可以放心使用。

DP0119C是大普通信推出的直径7mm的小体积大功率的环形器，其耐受功率15w，峰值功率100w。功率上完全满足该应用，应用频率为3.4~3.8GHz，损耗约0.5dB。其典型特点是，小体积、耐功率大，损耗小，国产化。

由上可知，由FW2106、GHPS060010AT、DP0119C组成的5G小基站射频发射电路，能够满足体积小、高性能、成本低、国产化的要求，在当下，交期问题也能得到改善，是不错的选择。

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选型指南 - NISSHINBO - 2023/4/27 PDF 中文下载

时代速信高性能低噪声放大器、增益模块产品助力射频微波系统性能升级

时代速信GaAs LNA聚焦于第二代半导体GaAs材料，优化电路设计以降低噪声，实现输入输出的良好匹配及高隔离度，同时提供高增益与线性度，确保信号无失真放大。凭借优秀的参数性能、可靠的质量、有竞争力的价格和稳定的交付，GaAs LNA系列产品已广泛应用于移动通信、汽车电子、卫星通信等行业，助力射频微波系统性能升级。

产品发布时间 : 2024-08-31

通量科技射频模块选型表

提供通量科技驱动放大器、低噪声放大器、射频开关、射频前端模组以及增益放大器选型,工作频段:0.03GHz-8.5GHz,增益:17@0.7GHz-39@2.14GHz,OP0.1dB:35dBm-40dBm,OP1dB:18dBm-32dBm,OIP3:30dBm-61dBm,ACPR:44dBc-64dBc,Icq@3.3V:1 uA-200 uA,Icq@5V:58mA-400mA,NF:0.4dB-21dB,封装:DFN/SOT/QFN

产品型号	品类	描述	频率(GHz)	Gain(dB)	OP1dB(dBm)	OIP3(dBm)	ACPR(dBc)	Icq@5V(mA)	P2P对照	封装(mm)
FW2204	驱动放大器	0.5W PreDriver	0.4-5.0	17@0.7GHz	27	40	61	135	-	SOT-89

选型表 - 通量科技立即选型

通量科技（FLUXWORKS）成立于2014年，2016年加入上市公司天和集团，专注于射频与毫米波模拟集成电路的研发生产,主营产品包含宽带低噪声放大器、驱动放大器、多通道射频开关等。围绕5G通信芯片的应用场景，有针对性地推出了芯片系列和专业化的应用方案。

功率驱动放大器单刀双掷射频开关低噪声放大器单刀四掷射频开关单通道两级LNA 驱动放大器增益放大器微波雷达芯片射频低噪声放大器射频开关芯片射频驱动放大器

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【IC】时代速信发布Ku波段高线性氮化镓功率放大器芯片，连续波下功率增益大于24dB

深圳市时代速信科技有限公司日前推出一款13-15GHz氮化镓功率放大器芯片SX1913，芯片面积3.8mmx6.3mm。在连续波情况下，功率增益大于24dB，输出功率大于50W，典型饱和效率45%。在回退至25W输出功率时，三阶交调系数优于-25dBc，漏极电流约为2.6A。性能达到业内先进水平，目前该芯片已经实现批量交付。

产品发布时间 : 2024-08-27

大普通信2005年成立于东莞，是一家集研发、制造、销售于一体的现代移动通信解决方案及器件供应商，长期专注于移动通信领域的核心技术的产品研发及推广，围绕以时钟、射频为核心技术，提供从芯片、模组到产品整体解决方案

实时时钟芯片温补晶振 PHY芯片环形器隔离器

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时代速信（SDSX）是国内领先的射频芯片供应商，专注于氮化镓功率放大器（GaAs/GaN PA )芯片和低噪声放大器（GaAs/GaN LNA ) 芯片、驱动放大器芯片等集成电路、射频芯片、多功能芯片、应用方案的研发生产，拥有完全独立自主知识产权的 PA、LNA芯片专利，国内顶尖的芯片封装平台和可靠性测试实验平台，同类产品技术参数指标世界一流。

射频芯片 GaN PA GaAs PA GaAs LNA Wi-Fi 6 IC

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【IC】时代速信发布Ka波段氮化镓线性功放芯片SX1909，连续波工作下小信号增益大于20dB

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产品发布时间 : 2024-07-29

【选型】大普通信射频无源器件（隔离器/环形器）选型指南

目录- 隔离器/环形器

型号- DP0255S,DP-IL0520A634,DP-IL0520A873,DP1018C,DP0119C,DP0309C,DP-IL0520A2140,DP-IL0520B2350,DP0220C,DP0187C,DP0244C,DP0002C,DP0147C,DP0313C,DP0325C,DP0216C,DP-IL0520A3625,DP0030C,DP0151C,DP0260C,DP0175C,DP0284C,DP-IL0520A748,DP-IL0520B2593,DP0163C,DP-IL0520A2155,DP0157S,DP0226S,DP1017C,DP0173S,DP-CL0520B1842,DP0001C,DP0243C,DP-CL0520A2140,DP0267C,DP0279C,DP0312C,DP0190C,DP0283C,DP0340C,DP1004C,DP0168S,DP0213S,DP0249S,DP1016C,DP1020C,DP0242C,DP0121C,DP0266C,DP0145C,DP0311C,DP0169C,DP0335C,DP0117C,DP-IL0520B2655,DP-IL0520B1962,DP-IL0520A1900,DP-IL0520B3500,DP-IL0520B1960,DP0282C,DP1015C,DP1003C,DP-IL0520A3700,DP0318C,DP0209C,DP-IL0520B3450,DP0265C,DP1014S,DP0277C,DP0310C,DP0289C,DP-CL0520B2350,DP0281C,DP0241C,DP0166S,DP1002C,DP0223S,DP0247S,DP0317C,DP0329C,DP-CL0520A2350,DP0251S,DP0143C,DP1013S,DP0333C,DP0236C,DP0171C,DP0280C,DP-IL0520B2155,DP0240C,DP-IL0520A942,DP-IL0520B634,DP1001C,DP-IL0520B1842,DP-IL0520B3625,DP-IL0520B873,DP0219C,DP-IL0520A780,DP1009S,DP-IL0520A2350,DP-IL0520A2593,DP0275C,DP-IL0520B2140,DP1012S,DP0029C,DP0259C,DP0017C,DP0291C,DP0194C,DP-IL0520B748,DP-IL0520B942,DP-CL0520A1842,DP0327C,DP0218C,DP0339C,DP-IL0520B780,DP-IL0520A3450,DP0177C,DP0331C,DP0189C,DP0234C,DP0004C,DP0149C,DP-IL0520B3700,DP-CL0520B2140,DP0193C,DP0181C,DP1011S,DP0032C,DP0262C,DP-IL0520A1960,DP1019C,DP-IL0520A3500,DP-IL0520B1900,DP-IL0520A1962,DP-IL0520A1842,DP-IL0520A2655,DP0188C,DP0297C,DP0003C,DP0245C,DP0269C,DP0039C,DP0180C,DP0261C,DP1010S,DP0273C,DP0031C

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成都通量推出高性能增益放大器FT21403LP3，工作频率范围100MHz~6000MHz

FT21403LP3是成都通量研发的超宽带高性能增益放大器芯片，工作频率范围100MHz~6000MHz。该芯片拥有出色的宽带工作能力，能够覆盖较宽的频率范围，可广泛应用于通信、雷达、医疗等多个领域，为用户提供稳定、高效、可靠的信号放大服务。

产品发布时间 : 2024-06-12

时代速信射频芯片选型表

提供时代速信低噪声放大器、功率放大器、射频芯片的选型，工作频率范围:30MHz-38GHz，P1dB:0.5dBm-27dBm，Pout:8W-1500W/40dBm-47dBm，增益:11.5dB-36.5dB，NF:1.1dB-5.5dB，Eff:0.25%-0.79%，Vcc:5V-50V，Id:16mA-560mA