【产品】基于屏蔽栅沟槽技术的低损耗SGT MOSFET，100%雪崩击穿测试保证UIS/EAS能力 | 视频

时间： 2021-03-29 来源：世强

技术问答

随着手机市场支持的电池容量和充电速度提升，PD充电器的市场占有量比重在充电器市场将会越来越高；目前市场上以18W、25W、30W、65W的PD充电器为主流，目前在PD快充的同步整流、Buck Boost与负载开关中不乏MOSFET的使用，且优质的PD快充还会配备抗浪涌、雷击原件。为此，高特提供了一套较为完善的方案与您共同探讨。

基于屏蔽栅沟槽技术的低损耗SGT MOSFET，100%雪崩击穿测试保证UIS/EAS能力

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全部评论（2）

terrydl Lv9. 科学家 2022-01-04

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江天子 Lv5. 技术专家 2021-04-29

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场效应管晶体管肖特基二极管瞬态抑制稳压管三端稳压器稳压二极管超快恢复二极管 MOSFET 高压MOSFET ESD TVS SGT MOSFET 线性稳压LDO 可控硅

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原装替代，降低50%器件成本，高性能MOSFET厂商华轩阳电子授权世强硬创代理

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顾邦半导体（GOSEMICON）拥有自主研发半导体工艺、自有知识产权和丰富的IP积累，产品聚焦功率半导体，提供高可靠性、高性能的功率器件SGT、SJ MOSFET和电源管理芯片产品。其秉持“惟实创新，笃行担当”的公司理念，专注新能源、ICT数据中心，通信等市场，提供可靠产品，保障合作合办电子电气产品高效、稳定、节能、安全运行，创造行业价值。

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