【产品】N/P沟道功率MOSFET DI045N03PT和DI035P04PT，采用QFN3x3小型封装，可节省空间
DIOTEC推出DI045N03PT型N沟道功率MOSFET和DI035P04PT型P沟道功率MOSFET，漏源电压最大额定值分别为30V和-40V。这两款MOSFET在TC = 25°C条件下，漏极连续电流分别为45A和-35A，耗散功率分别为16W和25W。在温度方面：两种器件的结温和存储温度范围宽至-55~150°C，能够在不同环境下可靠工作。此外，MOSFET采用QFN3x3小型封装，具有高速开关特性和低栅极电荷，可用于电源管理单元，电池供电的设备和负载开关，极性保护等领域。
图1 产品外观和内部电路（分别为DI045N03PT和DI035P04PT）
特性：
● 小型封装，可节省空间
● 薄型，高度低
● 低通态电阻
● 高速开关时间
● 低栅极电荷
● 符合RoHS，REACH，冲突矿物
● 重约0.1g
● 外壳材料阻燃等级UL 94V-0
● 焊接和组装条件为260℃/10s MSL = 1
应用：
● 电源管理单元
● 电池供电的设备
● 负载开关，极性保护
● 商业级
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