【经验】电子电路仿真基础之SPICE子电路模型:使用数学公式的模型
在子电路模型中,除了器件模型组合而成的子电路模型之外,还有以数学公式为主的子电路模型。本文将介绍使用数学公式的子电路模型。
本文中介绍的子电路模型的类型是由数学公式构成的,通过数学公式特性来表达元器件特性。下面是使用数学公式的ROHM(罗姆)的SCS220AG SiC-SBD(肖特基势垒二极管)的子电路模型示例和RSR020N06 MOSFET的子电路模型示例。在这里将省略关于描述的详细介绍,不过通过示例可以了解到两种描述的不同。
使用数学公式的子电路模型,可根据元器件的特性调整数学公式,因此具有再现性高的特点。但是,模型比较复杂,因此具有仿真时间较长、容易出现收敛误差的缺点。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由宝丁转载自ROHM,原文标题为:电子电路仿真基础——SPICE子电路模型:使用数学公式的模型,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。
相关研发服务和供应服务
相关推荐
【经验】肖特基势垒二极管分析及引起热失控的原因说明
一般的二极管是利用PN接合来发挥二极管特性,而肖特基势垒二极管是利用了金属和半导体接合产生的肖特基势垒。与一般的PN结二极管相比,具有正向电压 (VF) 低,开关速度快的特点。但漏电流 (IR) 大,有如果热设计错误则引起热失控的缺点。
【经验】SiC肖特基势垒二极管更新换代步履不停,实现了Si-SBD、Si-PND无法攀登的高耐压范围
ROHM推出了SiC肖特基势垒二极管第三代产品“SCS3系列”。SCS3系列是进一步改善了第二代SiC SBD实现的当时业界最小正向电压,并大幅提高了抗浪涌电流性能的产品。本文就SCS3系列的特点、应用范围展望等展开探讨。
【经验】SiC-SBD(SiC肖特基势垒二极管)与Si二极管的比较
本文从特征高速性和高耐压讲述了SiC-SBD(SiC肖特基势垒二极管)与Si二极管的比较,SiC拥有超过硅10倍的绝缘击穿场强,所以不仅能保持实际应用特性且可耐高压。并展示ROHM推出的1200V耐压SiC-SBD SCS210KG技术规格。
【产品】60V/30A的肖特基势垒二极管RBR30NS60A,漏电流仅为μA级别
RBR30NS60A是ROHM推出的一款肖特基势垒二极管,该二极管具有高可靠性、小型封装及低正向电压等特性,适合开关电源用途。该二极管正向压降VF最大为0.67V,反向漏电流仅600uA,较低的正向压降可以降低器件导通时的损耗,而且该系列产品的漏电流仅为μA级别,结壳热阻(对于每个二极管)最大为0.78℃/W,损耗低的同时发热量也会得到比较好的改善。
内置SiC-SBD的SiC-MOSFET产品规格表中记载的二极管规格是体二极管的还是SiC-SBD的?
连接于内部,不能从外部分离出特性。 但是SiC-SBD的VF小,通常使用范围内只在SiC-SBD流过正向电流,因此If-Vf特性、反向恢复特性基本上是SiC-SBD的特性。
ROHM SiC肖特基势垒二极管的可靠性试验
进行半导体元器件的评估时,可靠性也是非常重要的因素。JEITA ED-4701是称为“半导体器件的环境和耐久性试验方法”的标准,是用来进行工业及消费电子的半导体评估的试验方法。从文中给出的可靠性数据可以看出,已实施了评估的ROHM的SiC-SBD,在与Si晶体管和IC可靠性试验相同的试验中,确保了充分的可靠性。
【产品】60V/40A的肖特基势垒二极管RBR40NS60A,采用TO-263S封装
ROHM推出的RBR40NS60A肖特基势垒二极管,采用TO-263S封装形式,具有高可靠性、小型封装、共阴极双二极管等特性,可用于开关电源类应用。在60Hz半正弦波、非重复性的电路条件下,峰值正向浪涌电流为100A,反向漏电流最大仅为800uA(VR=60V时),正向压降最大仅为0.60V(IF=20A时)。
【产品】提高追求高可靠性第三代SiC-SBD——效率与安全余量
ROHM推出第三代SiC-SBD的亮点在于,高温时的正向电压VF更低、抗浪涌电流性能IFSM更高、反向电流(漏电流)IR更低。SCS3系列改善了第二代的正向电压特性,可进一步提高效率。而且,抗浪涌电流性能提升达2倍以上,对于意外发生的异常问题等具有更高的安全余量。最适用的用途是电源装置,尤其是PFC。
【产品】100V/20A低反向电流肖特基势垒二极管RBQ20BM100A,内部采用共阴极双二极管结构
RBQ20BM100A是ROHM推出的一款低反向电流、硅外延平面结构肖特基势垒二极管,采用TO-252封装,可靠性高,非常适合应用于开关电源。该产品内部采用共阴极双二极管结构,反向重复峰值电压为100V,正向平均整流电流为20A,正向峰值浪涌电流为100A(非重复,单个二极管,Ta=25°C)。
ROHM的SIC碳化硅功率模块/MOSFET/SBD/肖特基势垒二极管/栅极驱动器,帮助实现电力的有效利用
ROHM的“全碳化硅”功率模块可最大限度发挥碳化硅的高速性能,将开关损耗最大减少85%;SiC-MOSFET可实现高速开关和低导通电阻,高温下也具备优良的电气特性;SiC-SBD的反向恢复电荷量 (Qrr) 小,可大幅降低开关损耗;内置绝缘元件的栅极驱动器采用碳化硅实现高速工作。
电子商城
现货市场
服务
可定制LAMP LED、 CHIP LED、 PLCC LED、 汽车用车规级LED、COB LED的尺寸/电压/电流等参数,电压1.5-37V,电流5-150mA,波长470-940nm。
最小起订量: 30000 提交需求>
可定制单色光灯珠、双色灯珠、全彩灯珠、发光二极管、贴片灯珠、贴片LED等产品,尺寸:0.6*0.3mm-3.2*2.7mm,波长:405-940nm,亮度:24-750mcd,电压:1.5-3.5V。
最小起订量: 3000 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论