【产品】45A/100V N沟道功率MOSFET DI045N10PQ，采用QFN5×6/~TDSON-8封装

时间： 2020-09-13 来源：Diotec

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DIOTEC（德欧泰克）推出的N沟道功率MOSFET DI045N10PQ，采用QFN5×6/~TDSON-8封装，具有低导通电阻和快速开关时间的特点。电气参数方面，漏极-源极电压为100 V，栅极-源极电压为±20V，功率耗散为110W，允许通过的漏极连续电流为45A（T_C= 25℃ ），漏极峰值电流为185 A，工作结温和存储温度范围-55~+150℃。适用于DC/DC转换器、电源、DC驱动、电源工具、同步整流等应用场合。

特征：

节省空间的薄型封装

低导通电阻

快速开关时间

低栅极电荷

高雪崩耐量

符合ROHS、REACH指令和冲突矿物法

图1. 产品外形、尺寸及内部结构图

典型应用：

DC/DC转换器

电源

DC驱动

电源工具

同步整流

后缀-Q：符合AEC-Q101标准

机械参数：

盘带卷装：5000/13”

重约0.1 g

外壳材料阻燃等级：UL 94V-0

焊接和组装条件：260℃/10s，MSL=1

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Drain Source Voltage VDS[V]

Drain Current ID[A]

Junction Temperature Tjmax[℃]

Polarity pol

Power Dissipation Ptot [W]

Peak Drain Current IDM [A]

Threshold Voltage VGSth[V]

On-Resistance RDSon[Ω]

On-Resistance ID[A]

On-Resistance VGS[V]

Turn-OnTime ton[ns]

Turn-Off Time toff[ns]

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