【产品】650V/20A/170mΩ的N沟道MOSFET SLP/F65R170E7
美浦森的650V/20A N沟道MOSFET SLP65R170E7、 SLF65R170E7，采用先进的沟槽技术，这种先进技术适合于最小化导通电阻，提供优越的开关性能，并使MOSFET可以承受雪崩和换流模式下的高能量脉冲。产品外观和内部电路如图1所示。
图1 产品外观、封装和内部电路图
2款N沟道MOSFET特点：
·20A/650V/170mΩ@VGS=10V
·超高耐用性
·低栅极电荷（典型值.Qg=30.2nC)
·开关速度快
·100%雪崩测试
·改进的dv/dt能力
2款N沟道MOSFET极限参数值：
图2 最大额定值
SLP65R170E7 / SLF65R170E7的栅极阈值电压最小为2.5V，静态漏源导通电阻最大仅为0.17Ω，导通区特性和转移特性如图3，图4所示。
图3 导通区特性
图4 转移特性
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