【应用】一种与DSP供电兼容的MOS管隔离驱动芯片SI8238
目前许多电源的设计出于小体积化需求，通常在所选电源拓扑中往往涉及到多颗MOS的使用，出于体积及成本的考虑，需要具有多路驱动功能的驱动芯片，另外在考虑电源供电简单及布板的需求，希望驱动芯片的原边供电尽可能兼容主控芯片如DSP的供电需求，这样设计上可以节省一路电源，降低设计成本，另外对体积减小也带来好处。SILICON LABS的SI8238驱动芯片原边的输入电压满足2.7V-5.5V的供电电压范围，可以实现兼容DSP 3.3V的供电需求，另外双路输出，可以满足半桥或者全桥拓扑的设计，减小设计体积，降低设计成本。
图1为SI8238的典型运用框图，可实现与DSP供电电源兼容及上下桥MOS管驱动；
图1 SI8328典型运用框图
以往的设计思路驱动芯片是双路输出的，可以满足上下桥MOS管设计的需求，但是由于副边供电不是3.3V，通常是5V供电时，在电源的设计时可能需要多加个LDO进行电源给DSP芯片供电，不能实现驱动原边芯片供电和DSP供电兼容，这样可能造成设计的成本增加，及布板空间的难度。
SI8238驱动芯片原边供电电压在3.3V可以正常工作，可以实现与DSP供电电源的兼容，这样可以省掉一颗LDO的电源转换，降低设计的成本，在设计布板时也更方便。另外SI8238具有双路输出的能力，实现上下桥MOS驱动，副边供电电压支持6.5V-24V,驱动电流具有0.5A和4A驱动能力可供选择，隔离电压5KV，爬电距离和电气间隙达8mm,满足过安规即可靠性认证的需求；具体资料可以通过如下链接下载： Si823x Data Sheet
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设计经验 发布时间 : 2019-02-03
【IC】基本半导体推出支持米勒钳位的双通道隔离驱动芯片BTD25350系列，能高效可靠地抑制碳化硅MOSFET的误开通
在驱动碳化硅MOSFET时引入米勒钳位功能非常必要，采用基本半导体自研的BTD25350MM驱动芯片能够高效可靠地抑制误开通，该驱动芯片目前被广泛应用于光伏储能、充电桩、车载OBC、服务器电源等领域中。大家在使用碳化硅MOSFET进行方案设计时，为规避误导通风险，建议选择BTD25350驱动芯片系列产品。
产品 发布时间 : 2024-07-08
【经验】隔离驱动芯片SI8233做MOS管驱动时的注意事项
目前Silicon Labs 的隔离驱动芯片SI8233大量的用来做MOS管驱动，由于具有两路独立的驱动，并且支持原副边5V的隔离电压，每路的峰值驱动电流达4A，所以在电源类产品的拓扑半桥或者全桥电路，PFC都会考虑用SI8233做驱动设计。
设计经验 发布时间 : 2019-05-06
【选型】如何为SIC MOSFET选择一款理想的隔离驱动芯片？
Silicon labs SI827x隔离栅极驱动器高达4A峰值驱动电流，业界最高的抗扰性能（200kV/μs）和闩锁免疫能力（400kV/μs）。最大60ns传输延迟，非常低的抖动200ps p-p。
器件选型 发布时间 : 2018-01-31
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