【产品】40V/18A的N沟道增强型场效应晶体管YJG18N04A，采用低RDS(ON)的高密度单元设计
扬杰科技推出的N沟道增强型场效应晶体管YJG18N04A，采用PDFN 5X6封装。漏源电压最大额定值为40V，栅源电压最大额定值为±20V。器件具有低导通电阻RDS（ON），静态漏源导通电阻不超过14mΩ（VGS=10V，ID=15A）。且采用沟道功率低压MOSFET技术和低RDS(ON)的高密度单元设计，可用于大电流负载应用、负载开关、硬开关和高频电路及不间断电源等领域。
图1 产品实物图
YJG18N04A具有出色的散热封装，结温和存储温度范围均为-55~+175℃，能适应广泛的工业温度范围。结壳热阻最大额定值为7.1℃/W，散热性能优异。此外，在Tc= 25℃条件下，YJG18N04A的漏极电流最大额定值可达18A，脉冲漏极电流最大额定值75A，总耗散功率最大额定值为21W。
产品特性：
●VDS 最大40V
●ID 最大18A
●RDS（ON）（VGS=10V时）＜14 mohm
●RDS（ON）（VGS=4.5V时）＜19mohm
●沟道功率低压MOSFET技术
●良好的散热封装
●低RDS（ON）的高密度单元设计
应用领域：
●大电流负载应用
●负载开关
●硬开关和高频电路
●不间断电源
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dylen Lv7. 资深专家 2021-02-25学习 -
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夏拉 Lv7. 资深专家 2021-02-25学习 -
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好运常伴吾 Lv8. 研究员 2021-02-25学习
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产品型号
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品类
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Package
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Status
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ESD
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Configuration
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Type
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VDSS(V)
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ID(A)
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PD(W)
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VGS(V)
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Tj(℃）
|
Vth_Typ(V)
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Rdson@VGS10V_TYP(mΩ)
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Rdson@VGS10V_Max(mΩ)
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Rdson@VGS4.5V_TYP(mΩ)
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Rdson@VGS4.5V_Max(mΩ)
|
Ciss_Typ(pF)
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Coss_Typ(pF)
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Crss_Typ(pF)
|
Qg_Typ(nC)
|
Grade
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|
2N7002
|
MOSFET
|
SOT-23
|
Active
|
No
|
Single
|
N
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60
|
0.34
|
0.35
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±20
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150
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1.5
|
1200
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2500
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1300
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3000
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27.5
|
2.75
|
1.9
|
1.6
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Standard
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