【应用】EPC GaN晶体管EPC2059用于反激开关电源，典型导通电阻6.8mΩ
开关电源需要先通过整流的方式将交流信号转变为直接信号，在经由逆变转高频信号后通过整流滤波输出稳定直流电。但由于其内部开关管和线圈会产生高频脉冲和较大的浪涌电流，造成电磁干扰问题，目前常见的方案是在硬件电路周边增加电感和电容来降低EMI，但有时会出于成本和PCB面积考虑，只能通过开关调频方式来分散各点的EMI幅值。
有客户目前在做一款大功率的反激开关电源，输入电压9~24V，计划用GaN做开关，要求Vds耐压≥150V，导通电阻小，导通能力二三十安，越大越好。本文给客户推荐一款EPC的GaN晶体管EPC2059，漏源电压170V，典型导通电阻6.8mΩ，具备极低栅极电荷和零反向恢复时间，非常适合需要进行高速开关的场合。
图1 . EPC2059在开关电源的应用
EPC2059在开关电源中的优势：
1. 6.8mΩ导通电阻，0反向恢复时间，比起MOS开关频率高，损耗小；
2.170V/24A，脉冲电流最大可达102V，满足大多数大功率段开关电源需求；
3. 高功率密度，小体积，2.8mm×1.4mm封装，有效节省PCB空间。
综上所述，EPC推出的GaN晶体管EPC2059满足客户设计需求，非常适用于大功率反激开关电源。
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EPC eGaN®FET/晶体管选型表
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产品型号
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品类
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Configuration
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VDSmax(V)
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VGSmax(V)
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Max RDS(on) (mΩ)
@ 5 VGS
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QG typ(nC)
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QGS typ (nC)
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QGD typ (nC)
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QOSS typ (nC)
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QRR(nC)
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CISS (pF)
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COSS (pF)
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CRSS (pF)
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ID(A)
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Pulsed ID (A)
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Max TJ (°C)
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Package(mm)
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Launch Date
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EPC2040
|
Enhancement Mode Power Transistor
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Single
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15
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6
|
30
|
0.745
|
0.23
|
0.14
|
0.42
|
0
|
86
|
67
|
20
|
3.4
|
28
|
150
|
BGA 0.85 x 1.2
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Apr, 2017
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产品型号
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品类
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最大耐压（V）
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持续电流(A)
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导通阻抗(mΩ)
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导通电荷(nC)
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峰值电流(A)
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封装（mm)
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EPC2040
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Enhancement Mode Power Transistor
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15V
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3.4A
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30mΩ
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0.745nC
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28A
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BGA 0.85 mm*1.2mm
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选型表 - EPC 立即选型
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实验室地址： 深圳 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
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授权代理品牌：电源及模块
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授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
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授权代理品牌：机械电子元件
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