【产品】N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管AM4812，采用高单元密度制造，适用于低电压应用

时间： 2021-12-08 来源：AiT

技术问答

AIT推出的AM4812是一颗N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度制造。先进的沟槽技术可提供卓越的RDS(ON)。AM4812采用高密度工艺是特别为最小化通态电阻而定制的。AM4812系列特别适用于低电压应用，低导通功率损耗更是小外形表面贴装封装产品所需求的。

除非另有说明，否则环境温度为25℃时，AM4812的绝对最大额定参数为：漏源电压30V、栅源电压±20V、当VGS=10V时，连续漏极电流为10A、脉冲漏极电流为20A、耗散功率为3.2W。工作结温与存储温度均为-55℃~150℃。AM4812采用SOP8封装，引脚分布如下图：

产品特性：

● 30V / 7.8A, RDS(ON) = 16mΩ (典型值) @VGS = 10V

● 30V / 5.8A, RDS(ON) = 22mΩ (典型值) @VGS = 4.5V

● 用于极低RDS(ON)的超高单元密度设计

● 卓越的导通电阻性能和最大的直流载流能力

● 采用 SOP8 封装

产品应用：

高频负载点的同步

新型DC-DC电源系统

负载开关

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N沟道逻辑增强型MOSFET：

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