【产品】N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管AM4812，采用高单元密度制造，适用于低电压应用
AIT推出的AM4812是一颗N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度制造。先进的沟槽技术可提供卓越的RDS(ON)。AM4812采用高密度工艺是特别为最小化通态电阻而定制的。AM4812系列特别适用于低电压应用，低导通功率损耗更是小外形表面贴装封装产品所需求的。
除非另有说明，否则环境温度为25℃时，AM4812的绝对最大额定参数为：漏源电压30V、栅源电压±20V、当VGS=10V时，连续漏极电流为10A、脉冲漏极电流为20A、耗散功率为3.2W。工作结温与存储温度均为-55℃~150℃。AM4812采用SOP8封装，引脚分布如下图：
产品特性：
● 30V / 7.8A, RDS(ON) = 16mΩ (典型值) @VGS = 10V
● 30V / 5.8A, RDS(ON) = 22mΩ (典型值) @VGS = 4.5V
● 用于极低RDS(ON)的超高单元密度设计
● 卓越的导通电阻性能和最大的直流载流能力
● 采用 SOP8 封装
产品应用：
高频负载点的同步
新型DC-DC电源系统
负载开关
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型号- SL2314
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|
产品型号
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品类
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V(BR)DSS (V)
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VGS (V)
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IDS (A) (25°C)
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VGS(TH) (V) Min/Max
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RDS(ON) Vgs=±10V (mΩ)Typ
|
Type
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ESD
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Vgs=±4.5V (mΩ) Typ
|
Vgs=±2.5V (mΩ) Typ
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Vgs=±1.8V (mΩ) Typ
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Package Type
|
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AM0292
|
低压MOS管
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100
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±20
|
120
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2.0/4.0
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4
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N
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–
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–
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–
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–
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TO-220
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选型表 - AIT 立即选型
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型号- AM4812,AM4812M8R,AM4812M8VR
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可定制共模扼流圈、DIP功率扼流圈、大电流扼流圈、环形扼流圈/线圈等产品，耐温范围-40℃~125℃，电感量最高1200mH。
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