【元件】爱仕特新推SiC MOSFET MT7系列，采用TO263-7L封装，导通速度更快且损耗更小

时间： 2023-06-26 来源：深圳爱仕特科技有限公司公众号

技术问答

深圳爱仕特科技有限公司（以下简称“爱仕特”）推出新款SiC MOSFET MT7产品，采用具有驱动器源极引脚的低电感表贴封装，具有显著的性能优势，使自身SiC MOSFET产品阵容更加丰富。

目前爱仕特MT7已进入量产，可应用于电动汽车、消费类电源等领域。MT7采用TO263-7L封装可以实现SiC MOSFET源极引脚的开尔文连接，栅极驱动相关的部分和主电流路径不再共享主源极侧的电感LS。因此，可以使器件的导通速度更快，损耗更小。

TO-263-7L表贴封装及其寄生电感

另外，漏极引脚和源极引脚的电感比TO-247-3\4L封装小得多。由于漏极引脚的接合面积大，另外源极引脚可以由多根短引线并联连接组成，因此可以降低封装的电感（LD或LS）。

采用两种不同封装的相同SiC MOSFET的开关动作比较

爱仕特SiC MOSFET采用具备驱动器源极引脚的低电感表贴封装所带来的性能优势，在大电流条件下，由于栅极环路不受dI/dt以及源极引脚电感导致的电压降的影响，因此采用表贴封装的产品导通损耗大大降低。封装电感的总体减小还使得SiC MOSFET的关断速度加快，显著降低了器件导通和关断时的开关损耗。

采用TO247-3/4L封装和TO263-7L封装的爱仕特SiC MOSFET的开关损耗比较

爱仕特产品阵容中有额定电压分别为1200V和1700V的TO-263-7L封装SiC MOSFET产品，更多符合汽车电子产品可靠性标准的车载级产品也在计划中。

TO-263-7L封装的爱仕特SiC MOSFET产品阵容

关于我们

深圳爱仕特科技有限公司，主要从事第三代半导体碳化硅大功率电力电子芯片与模块，以及相关系统方案的开发。公司拥有独立自主的知识产权与品牌运营管理，是从事SiC MOS芯片设计、模块生产、系统开发全产业链的国家高新技术企业。产品涵盖电压650V-3300V、电流5A-150A的SiC MOS芯片，高功率低耗损的SiC模块，以及基于SiC模块的整机应用系统方案，各项性能指标达到国际水平，提供各类规格参数的SiC MOS定制化服务，满足不同行业需求。

自2017年成立以来，爱仕特致力于碳化硅功率器件的研发与产业化。公司建立的车规级模块专用工厂，已实现全SiC功率模块的批量生产。爱仕特不断提升技术研发实力和产品创新能力，于2021年获得国家高新技术企业认定，并通过IATF16949、ISO9001等质量体系和AEC-Q101产品可靠性认证。

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型号- WS4A020120A,WS4A050065D,WMH075M120A1A,WS4A050065B,WS4A020120B-V,WS4A020120B,WS4A020120D,WS4A040120K,WMIT075M120B1A,WS4A040120D,WM2HA020065Y,WS4A040120B,WMT075M120B1A,WMH020M065A1A,WS4A030065D,WS4A020120J,WS4A040120B-V,WS4A020120K,WS4A030065J,WS4A025170B,WS4A025170D,WS4A030065B,WM2A030065L,WM2A030065K,WS4A030065K,WS4A050170B-V,WMD075M120B1A,WM2HV020170L,WS4A006065F,WM2HV020170K,WS4A006065E,WS4A004065A0,WS4A006065B,WS4A006065A,WS4A010065E,WS4A015065J,WS4A010065F,WS4A010065A,WS4A015065F,WS4A010065B,WM2A080170N,WM2A080170L,WM2A080170K,WM2HV140120N,WM2HV140120L,WM2HV040065L,WM2HV040065K,WM2HA040120N,WM2HA040120L,WM2HA040120K,WM2A060065N,WM2A060065K,WM2HV040065N,WM2A060065L,WS4A050170B,WM2A060065Y,WM2HA030120N,WM2HA030120K,WS4A050170D,WM2HA030120L,WM2HA020120K,WM2HV140120K,WS4A005120E,WM2HA020120L,WM2A040120L,WM2HV020120N,WM2HA020120N,WM2HV020120K,WM2HV020120L,WM2A040120K,WS4A010065J,WS4A015120J,WS4A015120D,WM2V080170K,WS4A050065B-V,WS4A005120A,WS4A005120B,WMH016M120A1A,WM2V080170L,WM2HA040065N,WM2V080170N,WM2HA040065L,WM2HA040065K,WS4A020065A,WS4A020065D,WS4A020065B,WM2HV030120K,WS4A020065B-V,WM2HA040065Y,WS4A020065F,WS4A015120A,WM2V040120L,WM2V040120K,WS4A015120B,WMH060M120A1A,WM2HA011075K,WM2HA011075L,WM2HA04006Y,WM2HV030120N,WS4A060120D,WS4A020065K,WM2HV030120L,WS4A020065J,WM2HA024200LP,WS4A060120K,WM2V040170L,WM2V040170N,WS4A025170B-V,WM2V040170K,WMH080M170A1A,WS4A030120K,WS4A030120B-V,WM2HV060120L,WM2HV060120K,WM2HV060120N,WMIT040M120B1A,WM2HV011075L,WM2HV011075K,WS4A200120T,WMT040M120B1A,WM2HA240120N,WS4A010120E,WS4A004065F0,WS4A010120D,WS4A010120B,WS4A010120A,WM2A050330L,WM2HA240120E,WS4A008065B,WM2HV040120L,WS4A060065K,WS4A008065A,WMD040M120B1A,WS4A008065F,WS4A008065E,WM2HA140120L,WSXAXXXXXX0,WM2HA140120K,WM2HA140120N,WS4A050120D,WS4A050120B,WMH040M120A1A,WM2HV016120L,WM2HV016120K,WM2HA020170L,WS4A010120J,WM2HA020170K,WS4A040065K,WS4A050120B-V,WMH060M075A1A,WS4A015065A,WS4A015065B,WM1A650170N,WM1A650170K,WM2A075120K,WM2A075120L,WM2A075120N,WM2V020065N,WM2V020065K,WM2V020065L,WS4A004065B0,WS4A004065E0,WMXAXXXXXX0,WM2V075120N,WM2HA060120K,WM2V075120K,WM2HA060120L,WM2V075120L,WM1A080120K1,WM2HA060120N,WM2HV075120L,WM2HA020065K,WS4A030065B-V,WM2HA020065L,WM2A040170K,WM2A040170L,WM2A040170N,WM2HA016120L,WM2HA016120K,WM2HA020065N,WM2HA016120T,WM2A060090N,WMH020M120A1A,WM2A060090K,WM1A080120L1,WM2A060090L,WM2A100200LP,WM1A01K170K,WS4A030120D,WM2A050200LP,WM2A020065L,WM2A020065K,WM2A020065N,WM1A01K170N,WS4A030120B

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