【元件】爱仕特新推SiC MOSFET MT7系列，采用TO263-7L封装，导通速度更快且损耗更小

时间： 2023-06-26 来源：深圳爱仕特科技有限公司公众号

技术问答

深圳爱仕特科技有限公司（以下简称“爱仕特”）推出新款SiC MOSFET MT7产品，采用具有驱动器源极引脚的低电感表贴封装，具有显著的性能优势，使自身SiC MOSFET产品阵容更加丰富。

目前爱仕特MT7已进入量产，可应用于电动汽车、消费类电源等领域。MT7采用TO263-7L封装可以实现SiC MOSFET源极引脚的开尔文连接，栅极驱动相关的部分和主电流路径不再共享主源极侧的电感LS。因此，可以使器件的导通速度更快，损耗更小。

TO-263-7L表贴封装及其寄生电感

另外，漏极引脚和源极引脚的电感比TO-247-3\4L封装小得多。由于漏极引脚的接合面积大，另外源极引脚可以由多根短引线并联连接组成，因此可以降低封装的电感（LD或LS）。

采用两种不同封装的相同SiC MOSFET的开关动作比较

爱仕特SiC MOSFET采用具备驱动器源极引脚的低电感表贴封装所带来的性能优势，在大电流条件下，由于栅极环路不受dI/dt以及源极引脚电感导致的电压降的影响，因此采用表贴封装的产品导通损耗大大降低。封装电感的总体减小还使得SiC MOSFET的关断速度加快，显著降低了器件导通和关断时的开关损耗。

采用TO247-3/4L封装和TO263-7L封装的爱仕特SiC MOSFET的开关损耗比较

爱仕特产品阵容中有额定电压分别为1200V和1700V的TO-263-7L封装SiC MOSFET产品，更多符合汽车电子产品可靠性标准的车载级产品也在计划中。

TO-263-7L封装的爱仕特SiC MOSFET产品阵容

关于我们

深圳爱仕特科技有限公司，主要从事第三代半导体碳化硅大功率电力电子芯片与模块，以及相关系统方案的开发。公司拥有独立自主的知识产权与品牌运营管理，是从事SiC MOS芯片设计、模块生产、系统开发全产业链的国家高新技术企业。产品涵盖电压650V-3300V、电流5A-150A的SiC MOS芯片，高功率低耗损的SiC模块，以及基于SiC模块的整机应用系统方案，各项性能指标达到国际水平，提供各类规格参数的SiC MOS定制化服务，满足不同行业需求。

自2017年成立以来，爱仕特致力于碳化硅功率器件的研发与产业化。公司建立的车规级模块专用工厂，已实现全SiC功率模块的批量生产。爱仕特不断提升技术研发实力和产品创新能力，于2021年获得国家高新技术企业认定，并通过IATF16949、ISO9001等质量体系和AEC-Q101产品可靠性认证。

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