【元件】爱仕特新推SiC MOSFET MT7系列，采用TO263-7L封装，导通速度更快且损耗更小

时间： 2023-06-26 来源：深圳爱仕特科技有限公司公众号

代理服务

技术支持

采购服务

SiC MOSFET,SiC MOS芯片,SiC模块,半导体碳化硅大功率电力电子芯片

深圳爱仕特科技有限公司（以下简称“爱仕特”）推出新款SiC MOSFET MT7产品，采用具有驱动器源极引脚的低电感表贴封装，具有显著的性能优势，使自身SiC MOSFET产品阵容更加丰富。

目前爱仕特MT7已进入量产，可应用于电动汽车、消费类电源等领域。MT7采用TO263-7L封装可以实现SiC MOSFET源极引脚的开尔文连接，栅极驱动相关的部分和主电流路径不再共享主源极侧的电感LS。因此，可以使器件的导通速度更快，损耗更小。

TO-263-7L表贴封装及其寄生电感

另外，漏极引脚和源极引脚的电感比TO-247-3\4L封装小得多。由于漏极引脚的接合面积大，另外源极引脚可以由多根短引线并联连接组成，因此可以降低封装的电感（LD或LS）。

采用两种不同封装的相同SiC MOSFET的开关动作比较

爱仕特SiC MOSFET采用具备驱动器源极引脚的低电感表贴封装所带来的性能优势，在大电流条件下，由于栅极环路不受dI/dt以及源极引脚电感导致的电压降的影响，因此采用表贴封装的产品导通损耗大大降低。封装电感的总体减小还使得SiC MOSFET的关断速度加快，显著降低了器件导通和关断时的开关损耗。

采用TO247-3/4L封装和TO263-7L封装的爱仕特SiC MOSFET的开关损耗比较

爱仕特产品阵容中有额定电压分别为1200V和1700V的TO-263-7L封装SiC MOSFET产品，更多符合汽车电子产品可靠性标准的车载级产品也在计划中。

TO-263-7L封装的爱仕特SiC MOSFET产品阵容

关于我们

深圳爱仕特科技有限公司，主要从事第三代半导体碳化硅大功率电力电子芯片与模块，以及相关系统方案的开发。公司拥有独立自主的知识产权与品牌运营管理，是从事SiC MOS芯片设计、模块生产、系统开发全产业链的国家高新技术企业。产品涵盖电压650V-3300V、电流5A-150A的SiC MOS芯片，高功率低耗损的SiC模块，以及基于SiC模块的整机应用系统方案，各项性能指标达到国际水平，提供各类规格参数的SiC MOS定制化服务，满足不同行业需求。

自2017年成立以来，爱仕特致力于碳化硅功率器件的研发与产业化。公司建立的车规级模块专用工厂，已实现全SiC功率模块的批量生产。爱仕特不断提升技术研发实力和产品创新能力，于2021年获得国家高新技术企业认定，并通过IATF16949、ISO9001等质量体系和AEC-Q101产品可靠性认证。

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 0
| 转发至：

本文由犀牛先生转载自深圳爱仕特科技有限公司公众号，原文标题为:爱仕特推出新品MT7，碳化硅功率器件的导通速度更快，损耗更小，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。

平台合作

提交评论

全部评论（0）

暂无评论

【产品】三相1200V/450A SiC MOSFET 智能功率模块，用于电动汽车电机驱动或电力逆变器

本文介绍了一种用于电动汽车电机驱动或电力逆变器的新型三相1200V SiC MOSFET 智能功率模块（IPM），含有栅极驱动器和三相全桥SiC MOSFET功率电路，可用于水冷功率系统，优化了功率模块的电气、机械和散热设计及其控制驱动。

2021-08-08 - 新产品代理服务技术支持采购服务

【产品】漏源电压高达650V的SiC MOSFET，导通电阻40mΩ，适用于电动汽车充电装置等应用

瞻芯电子推出漏源电压高达650V的SiC MOSFET IV1Q06040T3，采用TO247-4封装，具有导通电阻小（40mΩ典型值，VGS=20V, ID=20A@TJ=25℃）、寄生电容小、工作节温高（-55℃~175℃）的特点，适用于电动汽车充电装置等应用。

2021-08-09 - 新产品代理服务技术支持采购服务

【产品】爱仕特推出1200V的车规级SiC MOS模块ASC700N1200MD3，可用于轨道交通等领域

深圳爱仕特科技有限公司自主设计研发出SiC MOS芯片ASC700N1200MD3，是爱仕特推出的一款1200V的SiC MOS模块。通过使用碳化硅元器件，使设备小型化、低功耗化。优异的高耐压、高耐热性能使其在比以往更狭小的空间和更严苛的环境下得以使用。

2022-01-24 - 新产品代理服务技术支持采购服务

解读SiC MOSFET关键参数——Rds(on)

当代电子技术的发展不仅需要高效性能，还需要可靠和可持续的解决方案。而SiC MOSFET作为一种新型的功率器件，正在引领着未来能源转型的浪潮。今天，我们要聊的主角是碳化硅MOSFET中的一个关键参数——Rdson，这个参数的优化，就像是在节能减排的长跑中，为我们的电动汽车、可再生能源系统换上了更轻盈的跑鞋。

2024-07-11 - 技术探讨代理服务技术支持采购服务

SiC模块先进DTS+Cu Bonding工艺，解决车规可靠性最后一块拼图？

半导体技术的进步，特别是碳化硅，产生了具有高功率密度的器件，并允许器件在明显更高的结温度下运行。互连技术在设备和组件的不间断运行中起着重要的作用。以DTS技术和铜线键合的功率模块，可作为新一代基于碳化硅的高功率模块提供有效的技术支持。

2024-07-23 - 技术探讨代理服务技术支持采购服务

萃锦半导体SiC MOSFET具有极低的开关损耗，应用在电动汽车中提高功率密度和效率

碳化硅（SiC）在电动汽车行业中具有巨大的应用潜力。通过提高器件的导热性、击穿电压和导通电阻，以及其对环保的潜在作用，SiC为电动汽车行业的发展提供了有力支持。萃锦半导体SiC MOSFET产品品质可靠性，100%经过晶圆级老化，性能和参数对标国际产品在芯片制造价值链上，可以提供"一站式 FSM+BGBM”中后道完整解决方案，对标国际领先技术水平，定制背面金属及减薄工艺，保证产品高性能和高性价比。

2025-01-16 - 应用方案代理服务技术支持采购服务

爱仕特专注于第三代半导体碳化硅（SiC）MOS芯片设计、功率模块的生产制造及其基于SiC器件在新能源领域的应用系统开发方案，由武岳峰资本及国内多家知名投资机构投资数亿元，中国科学院及清华大学博士领军，数十位半导体行业资深人士共同组建的高科技技术创新性企业。公司已申请25项专利技术，采用6英寸技术已量产20余款650V~3300V全系列SiC MOSFET产品，可为客户提供整套应用解决方案。

SiC MOS芯片 SiC MOS模块

代理服务线上商城技术资料

爱仕特（AST）SiC碳化硅芯片及模块选型指南

公司简介和芯片/模块产品规则芯片模块参数含义和芯片/模块产品可靠性要求介绍

爱仕特 - SIC MODULES,半导体碳化硅芯片,碳化硅MOS器件,SIC MOS模块,单芯片,SIC功率模块,SIC MOS芯片,六英寸SIC MOS芯片,SIC模块,SIC CHIPS,碳化硅芯片,ASC20N650MT3,ASC100N1200MD10,ASC700N1200,ASC800N1200,ASC12N650MT3,ASC100N1700MT3,ASC100N900MT3,ASC100N900MT4,ASC10N1200MT3,ASC5N1700MT3,ASC1000N900,ASC60N650MD8,ASC30N1200MT3,ASC30N1200MT4,ASC100N650MT3,ASC100N650MT4,ASC18N1200MT3,ASC60N1200MT4,ASC60N1200MT3,ASC20N3300MT4,ASC60N650MT3,ASC60N900MT4,ASC60N650MT4,ASC60N900MT3,ASC600N1200,ASC-60-N-650-M-T-4,ASC100N1200,ASC300N1200,ASC60N1200MD8,ASC100N1200MT3,ASC100N1200MT4,ASC8N650MT3,ASC5N1200MT3,ASC1000N1200,电机控制器,变频器,适配器,充电机,舰船,地铁,电磁炉,混合动力汽车,电焊机,家电电器,医疗电源,电厂除尘设备,变频空调,坦克,变频洗衣机,动车,雷达,牵引变流器,智能电网,风电换流器,轻型直流输电,辅助电源,有源滤波器,太阳逆变器,车载充电机,电磁炮,消费电子,车载电源,节能环保,电动汽车,PFC电源,核磁共振仪,微波炉,计算机断层扫描,医疗设备,新能源发电,电池储能电站,充电桩,潜艇,充电器,激光炮,鱼雷,新能源汽车,CT,感应加热,电子计算机断层扫描仪,国防军工,轨道交通,无功补偿器

2021/11/26 - 选型指南代理服务技术支持采购服务

一文看懂瑞之辰SiC MOSFET相对于IGBT器件的优势

在功率电子领域，相较于传统的绝缘栅双极晶体管（IGBT），碳化硅（SiC）MOSFET以其卓越的性能逐渐受到业内关注，成为行业的焦点。碳化硅功率器件近年来越来越广泛应用于工业领域，目前瑞之辰旗下的碳化硅产品线包括SiC PIM大功率模块、SiC IPM智能功率模块和SiC MOSFET—TO247-4PHC器件（直插和贴装两种）。

2024-12-26 - 技术探讨代理服务技术支持采购服务

基本半导体（BASIC）碳化硅功率器件选型指南

深圳基本半导体有限公司是中国第三代半导体行业创新企业，专业从事碳化硅功率器件的研发与产业化。公司总部位于深圳，在北京、上海、无锡、香港以及日本名古屋设有研发中心和制造基地。公司拥有一支国际化的研发团队，核心成员包括二十余位来自清华大学、中国科学院、英国剑桥大学、德国亚琛工业大学、瑞士联邦理工学院等国内外知名高校及研究机构的博士。

基本半导体 - 工业级全碳化硅功率模块,单通道智能带功率器件短路保护检测驱动芯片,双通道隔离驱动芯片,低边驱动芯片,碳化硅MOSFET,栅极驱动器ICS,碳化硅MOSFET晶圆,功率模块,SIC功率半导体器件,碳化硅二极管,GATE DRIVER ICS,碳化硅功率器件,晶圆,汽车级TPAK碳化硅MOSFET模块,裸片,混合碳化硅分立器件,半桥MOSFET模块,单开关模块,碳化硅功率模块,SIC POWER SEMICONDUCTOR DEVICES,门极驱动芯片,全碳化硅,汽车级HPD碳化硅MOSFET模块,隔离驱动芯片,单通道隔离驱动芯片,碳化硅二极管晶圆,汽车级全碳化硅功率模块,汽车级DCM碳化硅MOSFET模块,B2D05120E1,B2M1000170Z,B2M1000170R,BTD5350SBPR,BTL27523R,B2M080120Z,BMS600R12HLWC4_B01,B3D40120HC,B2D40065H1,BGH75N65HS1,BD2M040A120S1,B2M080120R,BGH75N65ZF1,B2D,B2D60120H1,BMS800R12HWC4_B02,BMS950R08HLWC4_B02,BTL27523B,B2M080120H,B2D16120HC1,B3D03120E,BGH40N120HS1,B2DM060065N1,BTD5350E,BTD5350SBWR,BTD5350EBPR,B3D系列,BTD21520M,BTL27524R,B2D30120H1,BTD21520E,BTD5350MBPR,BD2D20A120S1,BD2D40A120S1,B3D,BTL27524BR,BTL27524B,B2D02120K1,BTD21520S,BMF800R12FC4,BTL2752X,AB2M040120Z,BD2D10A065S1,B2M040120H,BTD25350MMCWR,BTD21520系列,BTD3011R,BTD21520MBWR,B2D10120E1,AB2M040120R,BTD5350SCPR,BMF240R12E2G3,BMF600R12FC4,BMS700R08HWC4_B01,BTD21520EBWR,B2D08065K1,B2M032120Y,BTD25350MECWR,BTD5350EBWR,B2D30120HC1,B2D40120HC1,BD2D04A065S1,B2D10065F1,B2M040120Z,B2M009120Y,BD2M065A120S1,BD2D02A120S1,BMF700R08FC4,B2D系列,B1D06065KS,B2D40120H1,B2M040120R,BMS950R08HWC4_B02,BGH50N65HS1,BGH50N65ZF1,B2D10065KF1,B2D04065E1,BTD5350,BTD5350SCWR,B3D40200H,BTD5350ECPR,BTD5350M,BTD5350MBWR,BTD21520MBPR,BTD5350S,B2D08065KS,BD2D30A120S1,BTD5350MCPR,B2D20065F1,BD2D08A120S1,B2M1000170H,BTL27523BR,BMS800R12HLWC4_B02,BD2D15A065S1,BD2D20A065S1,B2D20120H1,B2M160120Z,BTD25350MMBWR,B2D10120K1,BTD21520MAWR,B2D20065HC1,B2D30065HC1,BTD25350,B2M160120R,BTD21520EAWR,B2D40065HC1,BMS700R08HLWC4_B01,BTD5350ECWR,BTD25350MEBWR,B2D04065KF1,BGH75N65HF1,B2D10065KS,BTD21520EBPR,BMZ200R12TC4,BTD21520SBWR,B2D04065K1,B3D20120H,BMS600R12HWC4_B01,B2M160120H,BGH75N120HF1,B2M030120R,BD2D08A065S1,BTD25350系列,B2M011120HK,BTD21520SBPR,BTD3011R系列,BTD21520MAPR,B2M030120Z,B2M009120N,BTD5350MCWR,B2D06065K1,BTD5350系列,BMZ250R08TC4,B2M012120N,B3D50120H2,BTD25350MSCWR,BTL2752X系列,B2D20065H1,B2D10065E1,B2M030120H,BD2D30A065S1,B2D06065KF1,B2D05120K1,B2D02120E1,B2D06065E1,BMF950R08FC4,BD2D05A120S1,BGH50N65HF1,B2D20120F1,BD2D15A120S1,B2D20120HC1,B2D10120HC1,BTD21520EAPR,BTD25350ME,BTD21520SAWR,BTD21520,B2D20065K1,B2M018120Z,BTD25350MM,BTD25350MS,B2D16065HC1,AB2M080120R,B2D10120H1,B2M018120N,BD2D06A065S1,B2D30065H1,B2M065120Z,BTD21520SAPR,AB2M080120H,B2M065120R,B2M018120H,B2M065120H,BD2D10A120S1,BTL27523,B2D10065K1,AB2M080120Z,BTD25350MSBWR,B2M020120Y,BTL27524,B3D05120E,B2DM100120N1,BD2D40A065S1,储能设备,电机控制器,电源系统,车载电源,新能源汽车主逆变器,空调压缩机,光伏发电,大功率快速充电桩,OBC,车载充电器,不间断电源,电动汽车,UPS,混合动力汽车,光伏储能,PFC电源,字母S,PD快充,储能,电机驱动,工业控制,ESS,光伏组串逆变器,新能源汽车主驱逆变器,光储一体机,数据中心UPS,充电桩,新能源汽车,新能源汽车电机控制器,医疗电源,电力电子系统,EV充电,燃料电池DCDC,隔离式DC-DC电源,线性驱动器,家用电器,DC-AC太阳能逆变器,智能电网,AC-DC电源,轨道交通,通信电源,光伏逆变器

2024/5/16 - 选型指南代理服务技术支持采购服务