【产品】通过AEC-Q101认证的65V增强型氮化镓场效应晶体管EPC2219,可实现零反向恢复电荷

2021-03-14 EPC
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氮化镓材料具有极高的电子迁移率和较低的温度系数,可实现较小的导通电阻(RDS(on)),此外横向器件结构和多数载流子二极管可实现极低的栅极电荷(QG)和零反向恢复电荷(QRR)。因此,这些器件适合要求开关频率高、导通时间短的应用,以及对导通损耗有严格要求的应用。


EPC推出的EPC2219是一款集成了反向栅极钳位二极管的增强型氮化镓场效应晶体管(eGaN FET),漏源电压最大额定值为65V,漏源导通电阻最大值为3300mΩ(VGS=5V, ID=0.05A)。该产品通过了AEC-Q101认证,仅以带焊球的钝化芯片形式提供,芯片尺寸为0.9mm×0.9mm。

外观图和电路符号

产品优势

· 超高效率

· 超低栅极电荷

· 超小外形尺寸


产品应用

· 激光雷达/脉冲式功率应用

· 高速栅极驱动

· 无线电源传输

· 同步自举电路

· D类音频放大器


最大额定值


主要特性参数(TJ=25℃,除非另有说明)


输出特性曲线(在25℃下)


转移特性曲线

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产品型号
品类
Configuration
VDSmax(V)
VGSmax(V)
Max RDS(on) (mΩ) @ 5 VGS
QG typ(nC)
QGS typ (nC)
QGD typ (nC)
QOSS typ (nC)
QRR(nC)
CISS (pF)
COSS (pF)
CRSS (pF)
ID(A)
Pulsed ID (A)
Max TJ (°C)
Package(mm)
Launch Date
EPC2040
Enhancement Mode Power Transistor
Single
15
6
30
0.745
0.23
0.14
0.42
0
86
67
20
3.4
28
150
BGA 0.85 x 1.2
Apr, 2017

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