【技术】浅析TVS瞬态抑制二极管的主要参数及作用

时间： 2022-09-27 来源：里阳半导体官网

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TVS瞬态抑制二极管是一种新型高效电路保护元器件，是在齐纳二极管工艺基础上发明。业内对TVS瞬态抑制二极管的叫法有很多，TVS、TVS管、瞬态电压抑制二极管、瞬态抑制二极管、瞬变电压抑制二极管、瞬变抑制二极管、瞬态二极管、瞬变二极管等等。TVS二极管有单双向之分，其电路符号和齐纳二极管相同，但是其工作原理与齐纳二极管是有差异的。本文将浅析TVS瞬态抑制二极管的主要参数哪些?

一、TVS瞬态抑制二极管的主要参数

1、VBR：Reverse Breakdown Voltage（反向崩溃电压即击穿电压）

定义：当TVS流过规定的1mA电流（IR）时，测德TVS两极间的电压VBR是TVS最小的雪崩电压。25℃时，在这个电压之前，TVS是不导通的，当瞬态电压超过VBR，瞬态电压抑制二极管便产生崩溃把瞬态电压抑制在某个水平，提供瞬态电流一个超低电阻通路，让瞬态电流透过瞬态电压抑制二极管被引开，避开被保护元件。

2、IR：Reverse Leakage Current（反向漏电电流）

当最大反向工作电压施加到TVS上时，TVS管有一个漏电流IR，一般都会有10-100μA的反向漏电电流。当TVS用于高阻抗电路时，这个漏电流是一个重要的参数。

3、VRWM：最大反向工作电压（Reverse Stand-off Voltage：可承受的反向电压）是器件反向工作时，在规定的IR下，器件两端的电压值。此时二极管为不导通之状态，通常VRWM=（0.8~0.9)VBR。使用时，应使VRWM不低于被保护器件或线路的正常工作电压。

4、VC(max)：最大箝位电压（TVS diode Clamping Voltage：抑制电压）

在脉冲峰值电流Ipp作用下,器件两端的最大电压值称为最大箝位电压。使用时，应使VC(max)不高于被保护器件的最大允许安全电压。最大箝位电压与击穿电压之比称为箝为系数。即：箝位系数=VC(max)/VBR一般箝位系数为1.3左右。

5、Cj：TVS diodeJunction Capacitance（瞬态二极管的电容值)

TVS的电容由硅片的面积和偏置电压来决定,电容在零偏情况下，随偏置电压的增加，该电容值呈下降趋势。电容的大小会影响TVS器件的响应时间。瞬态电压抑制二极管的电容值越大对电路的干扰越大，形成噪音越大或衰减讯号强度越大，对于数据/讯号频率越高的回路，电容值不大于10pF。

6、IPP：最大的峰值脉冲电流。

在反向工作时，在规定的脉冲条件下，器件允许通过的最大脉冲峰值电流。

7、PPR：反向脉冲峰值功率。

TVS的PPR取决于脉冲峰值电流IPP和最大箝位电压VC，除此以外，还和脉冲波形、脉冲时间及环境温度有关。

二、TVS瞬态抑制二极管的作用

那么，TVS瞬态抑制二极管的作用是什么呢?了解其作用之前，先来看看TVS瞬态抑制二极管工作原理。当TVS瞬态抑制二极管的两端经受瞬间高能量冲击时，它以PS秒级的速度把两端间的阻抗值由高阻抗变为低阻抗，以吸收一个瞬间大电流，把它的两端电压箝制在一个预定的数值上，从而保护后面的精密元器件不受瞬态高压尖峰脉冲的冲击。从TVS瞬态抑制二极管的工作原理可以看出，TVS瞬态抑制二极管的作用就是浪涌保护。

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