英诺赛科VGaN双向导通氮化镓芯片(40V/4.8mΩ),助力Edge 40首创全链路GaN,实现快充自由
根据市调机构Canalys发布的2023年第一季度全球智能手机重点市场厂商排名,联想手机在欧洲、拉美等重点区域、以及全球五大市场之一巴西,均实现逆势增长,其中欧洲市场占有率近6年来首次挺进前五,一季度出货量同比增长13%。这些成绩主要来自联想旗下摩托罗拉。
近期,摩托罗拉发布了一系列新机,也得到了市场端的良好反馈。其中,5月10日发布的Edge 40备受关注。该手机搭载全新的6纳米工艺联发科天玑8020芯片,不仅拥有出色的性能表现,还能有效降低功耗和发热。配备了8GB的LPDDR4X内存和256GB的UFS 3.1存储空间,内置4400mAh的电池,能够满足用户对于大内存、大存储以及长续航的需求。同时,在屏幕刷新率和拍摄功能上也有显著提升。
与以往不同的是,Edge 40不仅标配了68W氮化镓快充,还创新性地将氮化镓芯片引入到手机内部电池主板。
联想产品开发部Allen表示:
“近期摩托罗拉新机的发布,在海外市场得到非常不错的响应。此次Edge40更是创新性的采用氮化镓芯片实现了手机内、外部全链路快充,使手机空间利用率大幅提高,峰值发热降低约85%,成为摩托罗拉手机在充电技术上的一次重大突破!”
据介绍,摩托罗拉Edge40手机内部采用的英诺赛科VGaN双向导通氮化镓芯片(40V/4.8mΩ),其具备无体二极管、低导通阻抗等特性,到目前为止是全球唯一内置到手机主板,并实现终端量产的氮化镓芯片。其原理是利用一颗VGaN代替传统手机内部的两颗背靠背Si MOS,实现了更低导通损耗的手机电池充、放电功能,保证手机在充电过程中更高效,更安全。
该产品已于2022年被评为第十七届“中国芯”优秀技术创新产品,并在OPPO,Realme,一加等品牌的多款手机中成功量产。
而在标配充电器方面,Edge40的68W充电器最高输出功率68.2W,不管在手机还是笔记本都有不错的兼容性。其内部采用的氮化镓器件(定制产品INN650DAL02A)同样来自英诺赛科。
该芯片封装为DFN 5*6,支持超高开关频率,具备低Qg,低Co(tr),无反向恢复损耗Qrr等特性,为Edge 40标配的68W充电器实现小体积、高效率的设计。据充电头网测评显示,摩托罗拉68W充电器功率密度达1.01W/cm³,轻松执于掌心,算得上是手机官配里的良心制作了。
Edge40全链路GaN快充的发布成为摩托罗拉手机发展历程中的一次重要尝试与突破。创新性在手机内部成功导入GaN芯片,实现了更低导通损耗的手机电池充、放电功能,不仅提高充电效率,降低电池损耗,还大大节省了手机内部宝贵的空间。同时推出68W氮化镓标配充电器,从外部实现高效充电,缓解续航焦虑,共同为消费者提供全链路快充的绝佳体验。
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本文由玉鹤甘茗转载自英诺赛科公众号,原文标题为:摩托罗拉强势回归!Edge 40首创全链路GaN,实现快充自由,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。
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型号- 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