【经验】以SCT2160KEC为例说明SiC MOSFET误开通的现象和规避方法

2020-01-25 世强
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本文主要介绍SiC MOSFET误开通的现象和规避方法。想要了解SiC MOSFET误开通,首先得了解Sic MOSFET的相关参数。本文中以ROHMSCT2160KEC为例进行介绍,这是一款1200V/160mΩ的SiC MOSFETSCT2160KEC的主要参数如下表:

 


栅极的驱动电压范围在-6V~+22V之间,驱动负压只有-6V,负压非常的窄,驱动设计误导通可能性高,误导通是困扰SiC MOSFET设计的主要原因之一。


图1是误导通常见的现象,在VDS急剧变化时,由于MOSFET的寄生电容,造成栅极的电压上升(Vgs),结果是在回流侧回路造成误开通的现象。管子误开通很容易造成上下桥臂直通,直接造成管子过流损坏。

图1


误导通会带来管子应用风险,接下来分享一下针对栅极误导通的一些对策:

1:Sic MOSFET是0V(图2的-Vgs)关断的,但是为了避免误导通风险,可将栅极电压置为负电压,考虑到负压裕量,一般建议是-3V左右,同时使用时需注意极限应用负压电压不要超最大规格。

2


2:在栅源之间加节间电容(Cgs)来降低GS之间的阻抗(图2),抑制电平上升。Cgs不能过大,过大会影响驱动时间常数,使时间常数加大,Cgs过大的情况下也可以通过减小Rg进行调节。Cgs一般是1nF~10nF。


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型号- PS2501L-1,MCR18ERTJ200,NJM78L05UA,MCR03EZPJ332,MCR03EZPJ334,RK73B1JTTD104J,PC092-01-00,B4B-XH-A,TR10P,DE1E3KX222MA4BN01,RK73B1JTTD472J,GRM188B31H104KA92,RB751S-40,MB3P-90,RK73B2BTTD105J,RK73B2BTTD4R7J,PH-1X10RG2,RK73B1JTTD103J,B5B-PH-K-S,PH-2X09SG,SSM3K318T,GRM1851X1H472JA44,KRB-408,GRM188B11H103KA01,HOT-2608B,ELXZ350ELL101MF15D,TLP700A,SCT3030AL,GRM188R11H104KA93,MCR10ERTJ4R7,TC4069UBF,RK73B1JTTD102J,PC045-00-00,S4B-EH,MOSX1C1R0J,NJM431U,GRM185B31E105MA12,DE1E3KX102MA4BN01,2SCR542P,GRM188R71E104KA01,PH-2X04SG,FHU-2×4SG,MCR10EZPJ105,PH-2X08SG,RK73B1JTTD153J,RK73B1JTTD101J,MCR03EZPJ101,ADR-48-50-0R5YA,MCR03EZPJ102,MCR03EZPJ103,24LC64SN,EG01C,MCR03ERTJ302,CQ-3303,CT-6E-P5KΩ,TR008A,1SS355,NE555D,ECQE6103KF,MCR18ERTJ4R7,ES1A,GRM188B11H102KA01,PC089-01-00-50P,NJM2732M,BFC233920105,MB4P-90,MCR03ERTJ331,B3P-VH,TBD,STR-A6079M,ACPL-C87AT,SCS212AM,MCR18ERTJ1R0,TRANS-LINK,GRM1851X1H222JA44,2SAR542P,MOSX1C334J,MCR03ERTJ202,FHU-2X9SG,VDCT,UDZS5.1B,ECQE6104KF,ELXZ100ELL681MF15D,S3B-EH,RK73B1JTTD271J,2SC3325,PH-1X04SG,MCR03EZPJ152,GRM188R71E105KA12,ELXS451VSN561MA50S,GRM21BR71E105KA99,MCR03ERTJ470,RK73B1JTTD470J,SCT3017AL,RK73B2BTTD563J,RK73B1JTTD000J,TA48M05F,MCR03ERTJ102,MCR03ERTJ103,SBR1U150SA-13,FHU-2X8SG,450MPH105J,UCS2W220MHD

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