【经验】以SCT2160KEC为例说明SiC MOSFET误开通的现象和规避方法
本文主要介绍SiC MOSFET误开通的现象和规避方法。想要了解SiC MOSFET误开通,首先得了解Sic MOSFET的相关参数。本文中以ROHM的SCT2160KEC为例进行介绍,这是一款1200V/160mΩ的SiC MOSFET。SCT2160KEC的主要参数如下表:
栅极的驱动电压范围在-6V~+22V之间,驱动负压只有-6V,负压非常的窄,驱动设计误导通可能性高,误导通是困扰SiC MOSFET设计的主要原因之一。
图1是误导通常见的现象,在VDS急剧变化时,由于MOSFET的寄生电容,造成栅极的电压上升(Vgs),结果是在回流侧回路造成误开通的现象。管子误开通很容易造成上下桥臂直通,直接造成管子过流损坏。
图1
误导通会带来管子应用风险,接下来分享一下针对栅极误导通的一些对策:
1:Sic MOSFET是0V(图2的-Vgs)关断的,但是为了避免误导通风险,可将栅极电压置为负电压,考虑到负压裕量,一般建议是-3V左右,同时使用时需注意极限应用负压电压不要超最大规格。
图2
2:在栅源之间加节间电容(Cgs)来降低GS之间的阻抗(图2),抑制电平上升。Cgs不能过大,过大会影响驱动时间常数,使时间常数加大,Cgs过大的情况下也可以通过减小Rg进行调节。Cgs一般是1nF~10nF。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由Joshua提供,版权归世强硬创平台所有,非经授权,任何媒体、网站或个人不得转载,授权转载时须注明“来源:世强硬创平台”。
相关推荐
【经验】基于栅极驱动器BM6104FV-C与IXDD609的SiC MOSFET驱动电路设计
SiC MOSFET对驱动要求高,主要体现在驱动电压和驱动速度。SiC MOSFET标称驱动电压范围一般为-6~22V,其开启电压一般很低,并随温度上升而降低,但只有达到18-20V时,才能完全开通。硅器件的驱动电压最高一般为15V,所以驱动不能直接用于驱动SiC MOSFET。笔者针对应用要求,在实际设计中选用ROHM BM6104FV-C栅极驱动器并在后级添加力特的IXDD609进行功率放大。
【经验】简析Sic MOSFET相对于IGBT器件的三个优势:低导通损耗、低开关损耗、高驱动电压条件下更低导通电阻
ROHM的SCT2080KEHR是1200V,导通电阻是80mΩ,电流40A,封装TO-247-3的车规级SiC MOSFET,驱动电压范围VGSS在 -6V~+22V,驱动范围比较窄。本文以CT2080KEHR为例,对比市场通用的1200V/40A的TO-247-3的IGBT单管,说明Sic MOSFET在导通损耗和开关损耗上更具优势。
【经验】以SIC MOSFET SCT3040KR为例说明SiC MOS应用中Vds关断尖峰的应对策略
在SiC MOS应用中,通常在mos关断过程中存在较大的Vds尖峰,主要原因在Turn ON 时流过的电流的能量储存在线路和基板布线的寄生电感中,并与开关元件的寄生电容共振所产生的。本文将以ROHM SiC MOSFET SCT3040KR为例说明SiC MOS应用中Vds关断尖峰的应对策略。
ROHM(罗姆) SiC(碳化硅)MOSFET选型指南(中文)
描述- SiC MOSFET原理上在开关过程中不会产生拖尾尾电流,可高速运行且开关损耗低。低导通电阻和小型芯片尺寸造就较低的电容和栅极电荷。此外,SiC还具有如导通电阻增加量很小的优异的材料属性,并且有比导通电阻可能随着温度的升高而上升2倍以上的硅(Si)器件更优异的封装微型化和节能的优点。
型号- SCT3160KL,SCT4062KR,SCT3030KLHR,SCT4013DE,SCT3080AW7,SCT2450KE,SCT3160KW7,SCT2H12NZ,SCT4062KW7HR,SCT2450KEHR,SCT4013DR,SCT3060ALHR,SCT3040KRHR,SCT3060ARHR,SCT3040KLHR,SCT4036KEHR,SCT4045DRHR,SCT3022KLHR,SCT2160KE,SCT3080KW7,SCT3017ALHR,SCT3022AL,SCT3080ALHR,SCT3060AR,SCT3105KLHR,SCT4036KR,SCT3060AL,SCT4026DEHR,SCT4062KRHR,SCT3040KR,SCT2080KE,SCT3080KR,SCT3105KRHR,SCT3120AL,SCT4013DW7,SCT3030KL,SCT4062KWAHR,SCT4062KE,SCT3080ARHR,SCT4036KW7,SCT2280KEHR,SCT3120ALHR,SCT2280KE,SCT4062KWA,SCT3030AR,SCT3030AL,SCT3030AW7,SCT4036KRHR,SCT4045DEHR,SCT3120AW7,SCT3040KL,SCT3105KW7,SCT2080KEHR,SCT4018KW7,SCT4045DWA,SCT3080KL,SCT3030ALHR,SCT4062KW7,SCT3040KW7,SCT3022ALHR,SCT3030ARHR,SCT4045DW7,SCT3017AL,SCT4036KE,SCT4018KE,SCT4045DE,SCT4026DW7,SCT4062KEHR,SCT3080AR,SCT4026DW7HR,SCT4026DE,SCT4026DWA,SCT3160KLHR,SCT3080AL,SCT4045DW7HR,SCT4045DR,SCT2160KEHR,SCT3022KL,SCT4018KR,SCT4026DR,SCT4045DWAHR,SCT3105KL,SCT3160KW7HR,SCT3105KR,SCT3080KLHR,SCT3060AW7,SCT4026DRHR,SCT3080KRHR,SCT4026DWAHR
ROHM提供支持电力电子仿真工具PSIM™的第4代SiC MOSFET仿真模型
全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)开始提供支持电力电子仿真工具PSIM™的第4代SiC MOSFET仿真模型。该模型可在Altair® US公司开发的电力电子和电机控制用的电路仿真工具PSIM™中使用。设计人员可从ROHM官网下载模型文件,轻松进行系统级评估。这一进展使得在更广泛的产业领域中进行高效设计和评估成为可能,并能进一步推动功率元器件的使用。
ROHM‘s 4th Generation SiC MOSFET Bare Chips Adopted in Three EV Models of ZEEKR from Geely
ROHM has announced the adoption of power modules equipped with 4th generation SiC MOSFET bare chips for the traction inverters in three models of ZEEKR EV brand from Geely, extending the cruising range and improves performance.
ROHM(罗姆)SiC(碳化硅)MOSFET选型指南(英文)
目录- SiC MOSFETs
型号- SCT3160KL,SCT4062KR,SCT3030KLHR,SCT4013DE,SCT3080AW7,SCT2450KE,SCT3160KW7,SCT2H12NZ,SCT4062KW7HR,SCT2450KEHR,SCT4013DR,SCT3060ALHR,SCT3040KLHR,SCT4036KEHR,SCT4045DRHR,SCT3022KLHR,SCT2160KE,SCT3080KW7,SCT3017ALHR,SCT3022AL,SCT3080ALHR,SCT3060AR,SCT3105KLHR,SCT4036KR,SCT3060AL,SCT4026DEHR,SCT4062KRHR,SCT3040KR,SCT2080KE,SCT3080KR,SCT3120AL,SCT4013DW7,SCT3030KL,SCT4062KE,SCT4036KW7,SCT2280KEHR,SCT2280KE,SCT3030AR,SCT3030AL,SCT3030AW7,SCT4036KRHR,SCT4045DEHR,SCT3120AW7,SCT3040KL,SCT3105KW7,SCT2080KEHR,SCT4018KW7,SCT3080KL,SCT3030ALHR,SCT4062KW7,SCT3040KW7,SCT3022ALHR,SCT4045DW7,SCT3017AL,SCT4036KE,SCT4018KE,SCT4045DE,SCT4026DW7,SCT4062KEHR,SCT3080AR,SCT4026DW7HR,SCT4026DE,SCT4036KW7HR,SCT3080AL,SCT4045DW7HR,SCT4045DR,SCT2160KEHR,SCT3022KL,SCT4018KR,SCT4026DR,SCT3105KL,SCT3105KR,SCT3080KLHR,SCT3060AW7,SCT4026DRHR
SiC MOSFET损耗计算方法:通过波形的线性近似分割来计算损耗的方法
本文ROHM将介绍根据在上一篇文章(《SiC MOSFET损耗计算方法:开关波形的测量方法》)中测得的开关波形,使用线性近似法来计算功率损耗的方法。
罗姆第4代SiC MOSFET裸芯片批量应用于吉利集团电动汽车品牌“极氪”3种主力车型
日前,搭载了罗姆第4代SiC MOSFET裸芯片的功率模块成功应用于“极氪”电动汽车3种车型的主机逆变器上,有助于延长车辆续航距离以及提高性能。
【产品】采用TO263-7L封装的AC/DC转换器IC适用于通用逆变器, 内置1700V耐压的SiC MOSFET
ROHM推出的BM2SC12xFP2-LBZ是业内先进的AC/DC转换器IC,采用一体化封装, 内置1700V耐压SiC MOSFET,使采用了SiC MOSFET的高效AC/DC转换器的设计更容易。
SiC MOSFET 5kW 高效率无风扇逆变电路
描述- 采用了发挥碳化硅(SiC)MOSFET高频特性的Trans-link交错型逆变电路(1)、实现了5kW时的功率转换效率达到99%以上。在该电路拓扑中,平滑电抗器的电感量可以减小。由于电抗器的匝数减少、使铜损大幅度减少实现了高效率。在这份资料中,介绍这个全新的逆变器设计的例子。
型号- PS2501L-1,MCR18ERTJ200,NJM78L05UA,MCR03EZPJ332,MCR03EZPJ334,RK73B1JTTD104J,PC092-01-00,B4B-XH-A,TR10P,DE1E3KX222MA4BN01,RK73B1JTTD472J,GRM188B31H104KA92,RB751S-40,MB3P-90,RK73B2BTTD105J,RK73B2BTTD4R7J,PH-1X10RG2,RK73B1JTTD103J,B5B-PH-K-S,PH-2X09SG,SSM3K318T,GRM1851X1H472JA44,KRB-408,GRM188B11H103KA01,HOT-2608B,ELXZ350ELL101MF15D,TLP700A,SCT3030AL,GRM188R11H104KA93,MCR10ERTJ4R7,TC4069UBF,RK73B1JTTD102J,PC045-00-00,S4B-EH,MOSX1C1R0J,NJM431U,GRM185B31E105MA12,DE1E3KX102MA4BN01,2SCR542P,GRM188R71E104KA01,PH-2X04SG,FHU-2×4SG,MCR10EZPJ105,PH-2X08SG,RK73B1JTTD153J,RK73B1JTTD101J,MCR03EZPJ101,ADR-48-50-0R5YA,MCR03EZPJ102,MCR03EZPJ103,24LC64SN,EG01C,MCR03ERTJ302,CQ-3303,CT-6E-P5KΩ,TR008A,1SS355,NE555D,ECQE6103KF,MCR18ERTJ4R7,ES1A,GRM188B11H102KA01,PC089-01-00-50P,NJM2732M,BFC233920105,MB4P-90,MCR03ERTJ331,B3P-VH,TBD,STR-A6079M,ACPL-C87AT,SCS212AM,MCR18ERTJ1R0,TRANS-LINK,GRM1851X1H222JA44,2SAR542P,MOSX1C334J,MCR03ERTJ202,FHU-2X9SG,VDCT,UDZS5.1B,ECQE6104KF,ELXZ100ELL681MF15D,S3B-EH,RK73B1JTTD271J,2SC3325,PH-1X04SG,MCR03EZPJ152,GRM188R71E105KA12,ELXS451VSN561MA50S,GRM21BR71E105KA99,MCR03ERTJ470,RK73B1JTTD470J,SCT3017AL,RK73B2BTTD563J,RK73B1JTTD000J,TA48M05F,MCR03ERTJ102,MCR03ERTJ103,SBR1U150SA-13,FHU-2X8SG,450MPH105J,UCS2W220MHD
ROHM 4th Gen SiC MOSFET Simulation Models for PSIM™ Now Available
ROHM has begun offering 4th Gen SiC MOSFET simulation models compatible with PSIM™, a circuit simulator designed for power electronics and motor drive developed by Altair®. Designers can now easily download model files to perform system-level evaluations, allowing for efficient design and evaluation across a wire range of industrial sectors, further promoting the use of power devices.
【经验】如何通过增加栅极电容的方式减缓SiC MOSFET 的米勒效应
SiC MOSFET 同Si 基MOSFET和IGBT一样,由于存在米勒电容,都会有米勒效应的存在。由于SiC材料所带来的优势,SiC MOSFET可以工作在更高开关频率下,这样就会面临更严峻的误触发现象。所以在驱动电路设计中需要增加相关设计,使之能够较为有效地避免误触发。本文将主要介绍增加栅极电容的方式。
SiC MOSFET 栅极-源极电压的浪涌抑制方法 Application Note
描述- 本应用手册主要探讨了SiC MOSFET在开关动作过程中栅极-源极电压浪涌的产生原因及抑制方法。详细分析了桥式电路中开关动作产生的栅极-源极电压浪涌现象,并提出了浪涌抑制电路的设计方案,包括正向和负向浪涌的抑制措施。同时,对浪涌抑制电路的布线设计进行了说明,以确保电路的稳定性和效率。
型号- SCT3040KR,SCT3040KR 4L
在EV应用中使用第4代SiC MOSFET的效果:图腾柱PFC实机评估
本文将介绍在相同的BEV电源架构的组成模块之一—OBC的双向图腾柱PFC中使用第4代SiC MOSFET时的实验结果。图腾柱PFC是作为可提高效率的PFC转换器在近年来备受关注的拓扑。另外,为了微电网系统更加稳定,并促进供需平衡,全球范围都在研究V2G(Vehicle To Grid),双向工作也变得越发重要。
电子商城
现货市场
服务
定制液冷板尺寸5mm*5mm~3m*1.8m,厚度2mm-100mm,单相液冷板散热能力最高300W/cm²。
最小起订量: 1片 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论