【产品】采用微小型QFN3x3封装的功率MOSFET DI040N03PT-AQ，30V/40A
DIOTEC推出了采用微小型QFN3x3封装的功率MOSFET DI040N03PT-AQ，电路板空间要求不超过 3.3 x 3.3 mm²。所有的管脚几乎都隐藏在了器件底部，所以该封装又可称为“无引线”封装。该功率MOSFET具有低导通电阻（典型值为 6 mΩ），环境温度为25°C时，漏极电流可高达40A，漏极-源极电压可高达30 V，单脉冲雪崩能量为100mJ。由于其具有低导通电阻和出色的关断特性，不仅适合直流操作，同样也适用于高频开关。典型应用包括USB充电器、电源管理单元、电池供电设备、负载开关和极性保护。除了满足AEC-Q101认证的DI040N03PT-AQ外，还可订购商用级版本DI040N03PT。
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小李飞刀 Lv8. 研究员 2021-06-24学习 -
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黄小珍 Lv4. 资深工程师 2021-06-23学习 -
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好运常伴吾 Lv8. 研究员 2021-06-23学习 -
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WilberTse Lv6. 高级专家 2021-06-23学习学习！ -
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tiankai001 Lv7. 资深专家 2021-06-22了解，学习
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DIOTEC MOSFETs选型表
DIOTEC提供以下参数选型： Drain Source Voltage VDS[V]:-100~700、Drain Current ID[A]：-70~280、Junction Temperature Tjmax[℃]：150~175、Power Dissipation Ptot [W]：0.2~425、Peak Drain Current IDM [A]：-350~1200、Threshold Voltage VGSth[V]：-4~4.2、On-Resistance RDSon[Ω]：0.0013~15、On-Resistance ID[A]:-30~100、On-Resistance VGS[V]：-10~10、Turn-OnTime ton[ns]：3~1206、Turn-Off Time toff[ns]：7~991
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产品型号
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品类
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Type
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Package
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Drain Source Voltage VDS[V]
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Drain Current ID[A]
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Junction Temperature Tjmax[℃]
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Polarity pol
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Power Dissipation Ptot [W]
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Peak Drain Current IDM [A]
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Threshold Voltage VGSth[V]
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On-Resistance RDSon[Ω]
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On-Resistance ID[A]
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On-Resistance VGS[V]
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Turn-OnTime ton[ns]
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Turn-Off Time toff[ns]
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2N7000
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MOSFETs
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Wire-lead
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TO-92
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选型表 - DIOTEC 立即选型
DI035P04PT P沟道功率MOSFET
描述- 本资料介绍了DI035P04PT型P沟道功率MOSFET的特性，包括静态和动态特性、热特性、封装尺寸等。产品适用于电源管理、电池供电设备、负载开关和极性保护等应用。
型号- DI035P04PT,DI035P04PT-AQ
DI8A6C03SQ N+P沟道功率MOSFET
描述- 该资料介绍了DI8A6C03SQ型号的N+P通道功率MOSFET的特性，包括其静态和动态特性、热特性、封装尺寸等。产品适用于电源管理单元、电池供电设备、负载开关和极性保护等领域。
型号- DI8A6C03SQ
DI050N04PT N沟道功率MOSFET
描述- 该资料详细介绍了DI050N04PT型号的N沟道功率MOSFET的特性，包括其静态和动态特性、热特性、封装尺寸、应用领域等。该器件适用于电源管理、电池供电设备、负载开关和极性保护等应用。
型号- DI050N04PT,DI050N04PT-AQ
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DI040N03PT N沟道功率MOSFET
描述- 该资料介绍了DI040N03PT型号的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的特性。它是一种用于电源管理单元、电池供电设备、负载开关和极性保护的小型化、低剖面高度组件，具有低导通电阻、快速切换时间和低栅极电荷等特点。
型号- DI040N03PT,DI040N03PT-AQ
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DI048N04PT N沟道功率MOSFET
描述- 本资料介绍了DI048N04PT型N沟道功率MOSFET的特性，包括其静态和动态特性、热特性、封装尺寸等。该器件适用于电源管理单元、电池供电设备、负载开关和极性保护等领域。
型号- DI048N04PT,DI048N04PT-AQ
DI050P03PT P沟道功率MOSFET
描述- 该资料介绍了DI050P03PT型功率MOSFET的特性、规格和应用。它是一种低导通电阻、快速开关时间的P沟道功率MOSFET，适用于电源管理单元、电池供电设备和负载开关等领域。
型号- DI050P03PT-AQ,DI050P03PT
DI045N03PT N沟道功率MOSFET
描述- 该资料介绍了DI045N03PT型号的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的特性。它适用于电源管理单元、电池供电设备、负载开关和极性保护等领域。产品具有小型化设计、低导通电阻、快速切换时间和低栅极电荷等特点。
型号- DI045N03PT,DI045N03PT-AQ
DI065N06PT N沟道功率MOSFET
描述- 该资料介绍了DI065N06PT型号的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的特性。它适用于电源管理单元、电池供电设备、负载开关和极性保护等领域。产品具有小尺寸、低导通电阻、快速切换时间等特点，符合RoHS标准。
型号- DI065N06PT
DI049N06PTK N沟道功率MOSFET
描述- 本资料介绍了DI049N06PTK型号的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的特性。该器件适用于电源管理单元、电池供电设备、负载开关和极性保护等领域。它具有低导通电阻、快速切换时间、低栅极电荷等特点，并符合RoHS标准。
型号- DI049N06PTK-AQ,DI049N06PTK
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服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
可定制波导隔离器频率覆盖5.5GHz~110GHz，插损损低至0.25dB、隔离度、正向方向功率、封装尺寸参数。
最小起订量： 1pcs 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
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