【产品】采用微小型QFN3x3封装的功率MOSFET DI040N03PT-AQ，30V/40A

时间： 2021-06-21 来源：Diotec

技术问答

DIOTEC推出了采用微小型QFN3x3封装的功率MOSFET DI040N03PT-AQ，电路板空间要求不超过 3.3 x 3.3 mm²。所有的管脚几乎都隐藏在了器件底部，所以该封装又可称为“无引线”封装。该功率MOSFET具有低导通电阻（典型值为 6 mΩ），环境温度为25°C时，漏极电流可高达40A，漏极-源极电压可高达30 V，单脉冲雪崩能量为100mJ。由于其具有低导通电阻和出色的关断特性，不仅适合直流操作，同样也适用于高频开关。典型应用包括USB充电器、电源管理单元、电池供电设备、负载开关和极性保护。除了满足AEC-Q101认证的DI040N03PT-AQ外，还可订购商用级版本DI040N03PT。

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小李飞刀 Lv8. 研究员 2021-06-24

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黄小珍 Lv4. 资深工程师 2021-06-23

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好运常伴吾 Lv8. 研究员 2021-06-23

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WilberTse Lv6. 高级专家 2021-06-23

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tiankai001 Lv7. 资深专家 2021-06-22

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