【产品】采用微小型QFN3x3封装的功率MOSFET DI040N03PT-AQ，30V/40A
DIOTEC推出了采用微小型QFN3x3封装的功率MOSFET DI040N03PT-AQ，电路板空间要求不超过 3.3 x 3.3 mm²。所有的管脚几乎都隐藏在了器件底部，所以该封装又可称为“无引线”封装。该功率MOSFET具有低导通电阻（典型值为 6 mΩ），环境温度为25°C时，漏极电流可高达40A，漏极-源极电压可高达30 V，单脉冲雪崩能量为100mJ。由于其具有低导通电阻和出色的关断特性，不仅适合直流操作，同样也适用于高频开关。典型应用包括USB充电器、电源管理单元、电池供电设备、负载开关和极性保护。除了满足AEC-Q101认证的DI040N03PT-AQ外，还可订购商用级版本DI040N03PT。
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小李飞刀 Lv8. 研究员 2021-06-24学习 -
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黄小珍 Lv4. 资深工程师 2021-06-23学习 -
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好运常伴吾 Lv8. 研究员 2021-06-23学习 -
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tiankai001 Lv7. 资深专家 2021-06-22了解，学习
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DIOTEC MOSFETs选型表
DIOTEC提供以下参数选型： Drain Source Voltage VDS[V]:-100~700、Drain Current ID[A]：-70~280、Junction Temperature Tjmax[℃]：150~175、Power Dissipation Ptot [W]：0.2~425、Peak Drain Current IDM [A]：-350~1200、Threshold Voltage VGSth[V]：-4~4.2、On-Resistance RDSon[Ω]：0.0013~15、On-Resistance ID[A]:-30~100、On-Resistance VGS[V]：-10~10、Turn-OnTime ton[ns]：3~1206、Turn-Off Time toff[ns]：7~991
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产品型号
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品类
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Type
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Package
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Drain Source Voltage VDS[V]
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Drain Current ID[A]
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Junction Temperature Tjmax[℃]
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Polarity pol
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Power Dissipation Ptot [W]
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Peak Drain Current IDM [A]
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Threshold Voltage VGSth[V]
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On-Resistance RDSon[Ω]
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On-Resistance ID[A]
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On-Resistance VGS[V]
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Turn-OnTime ton[ns]
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Turn-Off Time toff[ns]
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2N7000
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MOSFETs
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Wire-lead
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TO-92
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60
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N
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0.35
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选型表 - DIOTEC 立即选型
DI035P04PT P沟道功率MOSFET
本资料介绍了DI035P04PT型P沟道功率MOSFET的特性，包括静态和动态特性、热特性、封装尺寸等。产品适用于电源管理、电池供电设备、负载开关和极性保护等应用。
DIOTEC - P通道功率MOSFET,P-CHANNEL POWER MOSFET,DI035P04PT,DI035P04PT-AQ,COMMERCIAL,电池供电设备,负荷开关,电源管理单元,商业的,LOAD SWITCHES,POWER MANAGEMENT UNITS,BATTERY POWERED DEVICES
DI050N04PT N沟道功率MOSFET
该资料详细介绍了DI050N04PT型号的N沟道功率MOSFET的特性，包括其静态和动态特性、热特性、封装尺寸、应用领域等。该器件适用于电源管理、电池供电设备、负载开关和极性保护等应用。
DIOTEC - N沟道功率MOSFET,N-CHANNEL POWER MOSFET,DI050N04PT,DI050N04PT-AQ,COMMERCIAL,INDUSTRIAL,电池供电设备,负荷开关,电源管理单元,商业的,LOAD SWITCHES,POWER MANAGEMENT UNITS,BATTERY POWERED DEVICES,工业
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Diotec DI025N06PT N沟道功率MOSFET，采用QFN3x3封装，具有通态电阻低，开关速度快栅极电荷低等特点。产品适用于电源管理单元，电池供电设备，负载开关，极性保护以及商业/工业级应用等领域。
DI040N03PT N沟道功率MOSFET
该资料介绍了DI040N03PT型号的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的特性。它是一种用于电源管理单元、电池供电设备、负载开关和极性保护的小型化、低剖面高度组件，具有低导通电阻、快速切换时间和低栅极电荷等特点。
DIOTEC - N沟道功率MOSFET,N-CHANNEL POWER MOSFET,DI040N03PT,DI040N03PT-AQ,COMMERCIAL,电池供电设备,负荷开关,电源管理单元,商业的,LOAD SWITCHES,POWER MANAGEMENT UNITS,BATTERY POWERED DEVICES
DI008C04PT N+P沟道功率MOSFET
本资料介绍了DI008C04PT型号的N+P通道功率MOSFET，包括其静态和动态特性、热特性、封装尺寸等。该器件适用于电源管理单元、电池供电设备、负载开关和极性保护等领域。
DIOTEC - N+P CHANNEL POWER MOSFET,两个互补MOSFET,TWO COMPLEMENTARY MOSFETS,N+P沟道功率MOSFET,DI008C04PT,COMMERCIAL,INDUSTRIAL,电池供电设备,负荷开关,电源管理单元,商业的,LOAD SWITCHES,POWER MANAGEMENT UNITS,BATTERY POWERED DEVICES,工业
DI048N04PT N沟道功率MOSFET
本资料介绍了DI048N04PT型N沟道功率MOSFET的特性，包括其静态和动态特性、热特性、封装尺寸等。该器件适用于电源管理单元、电池供电设备、负载开关和极性保护等领域。
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DI035N10PT N沟道功率MOSFET
该资料介绍了DI035N10PT型号的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的特性。它是一种用于电源管理单元、电池供电设备和负载开关等应用的电子元件。资料提供了该产品的最大额定值、典型应用、产品特性、机械数据、静态和动态特性、热特性和尺寸信息。
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该资料介绍了DI8A6C03SQ型号的N+P通道功率MOSFET的特性，包括其静态和动态特性、热特性、封装尺寸等。产品适用于电源管理单元、电池供电设备、负载开关和极性保护等领域。
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DI050P03PT P沟道功率MOSFET
该资料介绍了DI050P03PT型功率MOSFET的特性、规格和应用。它是一种低导通电阻、快速开关时间的P沟道功率MOSFET，适用于电源管理单元、电池供电设备和负载开关等领域。
DIOTEC - P通道功率MOSFET,P-CHANNEL POWER MOSFET,DI050P03PT-AQ,DI050P03PT,COMMERCIAL,INDUSTRIAL,电池供电设备,负荷开关,电源管理单元,商业的,LOAD SWITCHES,POWER MANAGEMENT UNITS,BATTERY POWERED DEVICES,工业
DI045N03PT N沟道功率MOSFET
该资料介绍了DI045N03PT型号的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的特性。它适用于电源管理单元、电池供电设备、负载开关和极性保护等领域。产品具有小型化设计、低导通电阻、快速切换时间和低栅极电荷等特点。
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DI065N06PT N沟道功率MOSFET
该资料介绍了DI065N06PT型号的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的特性。它适用于电源管理单元、电池供电设备、负载开关和极性保护等领域。产品具有小尺寸、低导通电阻、快速切换时间等特点，符合RoHS标准。
DIOTEC - N沟道功率MOSFET,N-CHANNEL POWER MOSFET,DI065N06PT,COMMERCIAL,INDUSTRIAL,电池供电设备,负荷开关,电源管理单元,商业的,LOAD SWITCHES,POWER MANAGEMENT UNITS,BATTERY POWERED DEVICES,工业
电子商城
现货市场
服务
可来图定制热管最薄打扁厚度0.35±0.05mm；笔电D8热管打扁厚度1.0mm，可解40W热量；高功率D10热管可解60W热量。
最小起订量： 10000 提交需求>
可定制ATP TE Cooler的冷却功率：40~200W；运行电压：12/24/48V(DC)；控温精度：≤±0.1℃； 尺寸：冷面：20*20~500*300；热面：60*60~540*400 （长*宽；单位mm）。
最小起订量： 1 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
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授权代理品牌：机械电子元件
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