【产品】漏源电压-30V的P沟道增强型MOSFET AM3401B,适用于极低的RDS(ON)

2021-12-05 AiT
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AIT推出的AM3401B是一款P沟道增强型MOSFET。除非另有说明,否则当环境温度为25℃时,可以承受的绝对最大额定参数为:漏源电压-30V、栅源电压±12V、连续漏极电流-4.2A。

特点:

VDS= -30V
VGS= ±12V
ID(A)= -4.2A
当VGS = -10V时 ,RDS(ON) = 55mΩ(最大值)
当VGS = -4.5V时,RDS(ON) = 70mΩ(最大值)
当VGS = -2.5V时,RDS(ON) =120mΩ(最大值)


AM3401B为SOT-23封装,引脚分布如下图:

产品特性:

超高密度电池设计,适用于极低的RDS(ON)

产品可靠且稳固

AM3401B为SOT-23封装


应用:

电源管理

便携式设备和电池供电系统


订购信息:

授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道:世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
概念,方案,设计,选型,BOM优化,FAE技术支持,样品,加工定制,测试,量产供应服务提供:世强硬创平台www.sekorm.com
集成电路,电子元件,电子材料,电气自动化,电机,仪器全品类供应:世强硬创平台www.sekorm.com
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