【产品】漏源电压-30V的P沟道增强型MOSFET AM3401B，适用于极低的RDS(ON)
AIT推出的AM3401B是一款P沟道增强型MOSFET。除非另有说明，否则当环境温度为25℃时，可以承受的绝对最大额定参数为：漏源电压-30V、栅源电压±12V、连续漏极电流-4.2A。
特点：
VDS= -30V
VGS= ±12V
ID(A)= -4.2A
当VGS = -10V时 ，RDS(ON) = 55mΩ(最大值)
当VGS = -4.5V时，RDS(ON) = 70mΩ(最大值)
当VGS = -2.5V时，RDS(ON) =120mΩ(最大值)
AM3401B为SOT-23封装，引脚分布如下图：
产品特性：
超高密度电池设计，适用于极低的RDS(ON)
产品可靠且稳固
AM3401B为SOT-23封装
应用：
电源管理
便携式设备和电池供电系统
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